Позитивные фоторезисты

Позитивные фоторезисты можно разделить на две группы, отличающиеся по механизму образования рельефного позитивного изображения. [c.65]

Глава II ПОЗИТИВНЫЕ ФОТОРЕЗИСТЫ [c.65]

ТАБЛИЦА 1. Позитивные фоторезисты, производимые в СССР [1, 2] [c.280]

Жидкие позитивные фоторезисты [153, 154] обычно состоят из светочувствительной компоненты (сенсибилизатора), пленкообразующей низкомолекулярной смолы новолачного типа, например, (ЬХХ1) [c.49]

Разновидности Ф. т. наз. взрывная (для получения рисунка на пленках металла) и инверсионная (для получения профиля изображения с отрицат. наклоном стенок). В первом случае рисунок получается путем напыления слоя металла на пластину с проявленным фоторезистом, а при снятии фоторезиста удаляют часть металлич. слоя, осевшего на маску во втором - на позитивном фоторезисте получают негативный рис ок. [c.171]

Позитивные фоторезисты имеют высокую разрешающую способность, позволяют применять как контактный способ печати, так и способ проекции. При их обработке можно использовать водорастворимые проявители. Их недостатки —более высокая стоимость, меньшая чувствительность, менее прочное сцепление с подложкой, необходимость более строгого соблюдения условий проявления. [c.132]

Негативные фоторезисты стойки к травителям. Их основной недостаток, явившийся причиной перехода многих электронных фирм на использование позитивных фоторезистов, — недостаточная разрешающая способность. Кроме того, они чувствительны к кислороду и поэтому требуют проведения процесса литографии в среде азота или в вакууме. [c.132]

Недостаток этой группы позитивных фоторезистов — относительно низкая стойкость их в агрессивных средах (кислотах, щелочах), обусловленная наличием свободных оксигрупп и все-таки недостаточно высокой молекулярной массой полимерного слоя, подвергающегося травлению. [c.104]

Резисты, у которых при обработке удаляются области, подвергнутые световому воздействию, известны как позитивно работающие, потому что у них остаются области под защитным покрытием, ослабляющим действие света. Позитивный фоторезист должен состоять из образующей пленку фенолоформальде-гидной смолы, смешанной с нафтохинон-диазидным соединением, ЯВЛЯЮЩИМСЯ фоточувствительным компонентом. Отщепление азота, сопровождаемое перегруппировкой кольца и реакцией со следовыми количествами воды, присутствующей в атмосфере или самой пленке, приводит к образованию инденкарбо-новой кислоты [c.256]

Предложены характеристики невзаимозаместимости и фотографической широты [72]. Известна методика, определяющая свойства слоя по сенситометрической (характеристической) кривой. Она отвечает зависимости й — lgЯ, где й — толщина слоя, Н 1/3 — экспозиция, т. е. величина, обратная светочувствительности. Для негативных составов начальный момент возникновения фоторельефа — появление на подложке нерастворимой в проявляющем растворе пленки с минимальной толщиной 0,03 мкм — определяет пороговую чувствительность композиции (5пор). Часто оценивается также светочувствительность при рабочей толщине слоя, обычно 0,5 мкм [5о,5 см2/(Вт-с)]. Мерой интенсивности процесса служит коэффициент контрастности — тангенс угла наклона прямолинейного участка характеристической кривой (он может принимать значения от единиц до нескольких десятков единиц). Эта методика разработана для определения интегральной и спектральной чувствительности негативных и позитивных фоторезистов. На ее основе получают ряд параметров, характеризующих фототропизм слоя [73]. [c.47]

Проявление двухкомпонентных позитивных фоторезистов осложняется набуханием не сильно потому, что алкилноволаки, конорые образуют основную часть слоя, ннзкомолекулярны и растворяются в основаниях послойно с минимальным набуханием поверхностного слоя. Это одна нз причин, по которой у позитивных фоторезистов хинондназидного типа достигается высокое разрешение. Оптимальная концентрация проявителя определяется скоростью растворения экспонированного резиста при разных концентрациях оснований. [c.51]

Вводят в обычную композицию позитивного фоторезиста (15—25 % диазида, 65—85 7о НС) 6—10 % от массы компонентов слоя продукта кислотно-катализируемой конденсации 2,4-ди- или 2,4,6-, 2,3,4-, 2,4 4 -три- 2,3,4,4 -тетра-гидроксибензофенона и формальдегида [пат. США 4275139 пат. ФРГ 2847878] добавка гидроксибензофеноновой смолы повышает светочувствительность на 76 %, при этом другие параметры слоя не ухудшаются. [c.88]

Образовавшиеся при фотолизе хинондиазидов замещенные инденкарбоновой кислоты способны при нагревании декарбоксилироваться, участки слоя с введенными в иего производными индена теряют способность растворяться в щелочах. Тем самым создается возможность обращения материала — превращения позитивного слоя в негативный. Модификация обработок слоя позитивного хииоидиазидного резиста для создания негатива позволяет получить лучшее разрешение и меньшее число дефектов в негативе, чем в случае слоя на основе собственно негативных резистов. Кроме того, позитивные фоторезисты менее чувствительны к кислороду, чем негативные, что упрощает технологию. Наконец, использование обращаемой системы избавляет от необходимости иметь запас реактивов и материалов для различающихся по материалам и обработкам собственно негативных и позитивных композиций. [c.89]

Промышленность выпускает ряд составов на основе диазида I и полиметилизопропенилкетона. Их проявляют смесью циклогексана и 2-нитропропана. Они обеспечивают высокое разрешение и термическую стойкость рельефа, который выдерживает плазменное травление, например F4—О2 (96 4). Разрешение и светочувствительность таких составов (например, ONNR-20) аналогичны параметрам, получаемым для позитивных фоторезистов [15]. [c.142]

Использование таких систем отличается многооперационностью пониженной разрешающей способностью из-за отсутствия четко границы между удаляемыми с резнстом п остающимися на под ложке участками полиамидного слоя. Поэтому разрабатываютс композиции, обеспечивающие создание нужного микрорельефа ( высокой термостойкостью из одного слоя фоторезиста. Для дости жения этого сообщают светочувствительность термостойким поли мерам, получая прн этом негативные или позитивные фоторезисты [c.192]

Фоторезисты применяют в полупроводниковой электронике, в том числе в процессе фотолитографии. Это наиболее ответственный процесс в технологии изготовления интегральных схем, от которого зависит их качество и который существенно влияет на их стоимость. Традиционно для этой цели используют чувствительные к действию излучения полимеры. В зависимости от того, как воздействует на фоторезист излучение (ультрафиолетовое, рентгеновское, электронный луч), различают позитивные и негативные фоторезисты. В качестве позитивных фоторезистов используют полиметилметакрилат, полибутил- и полифенилме-такрилат, галогенированные полиметакрилаты, полиолефинсуль-фоны [поли(1-бутен)сульфон, поли (2-метил-1-пентен-сульфон)], [c.131]

ТАБЛИЦА 5. Распространенные позитивные фоторезисты, производимые в США фирмой Shipley [8] [c.282]

Примером щелочестойкой ФПК является композиция на основе позитивного фоторезиста ФП-383 и смеси смол (например, новолач-ной К-18 и эпоксидной ЭД-5). Смолы, вводимые в состав жидкой композиции в значительном количестве (около 50%), повышают химостойкость, механическую стойкость, влагостойкость и адгезию маски к подложке, но светочувствительность и разрешающая способность ФПК при этом значительно падают. [c.195]

Пиролитическую газовую хроматографию и соответствующую аппаратуру можно применять для элементного анализа полимеров. Мид, Кейворт, Бранд и Деринг [130] определяли содержание кислорода в органических веществах с применением углеродного катализатора при 1050° С. В этих условиях образуются метан, водород и окись углерода. Разделение проводили на колонке с молекулярными ситами. Определение азота в позитивных фоторезистах описано в работе [131]. [c.240]

ПОЗИТИВНЫЕ ФОТОРЕЗИСТЫ НА ОСНОВЕ НАФТОХИНОНДИАЗИДОВ [c.102]

В последние годы в литературе появились сведения, касающиеся повышения светочувствительности мономерных эфиров о-диазохинонов, составляющих основу позитивных фоторезистов [1—3]. Вопросы повышения чувствительности и разрешающей способности фоторезистов представляют теоретический и особенно практический интерес в связи с развитием проекционной, контактной и электронной литографии. [c.50]

Сополимер метакрилонитрила и метакриловой кислоты обладает малой светочувствительностью из-за отсутствия полос в УФ-свете. После термолиза при 130 °С на воздухе его светочувствительность повышается вследствие появления широкой полосы при 246 нм у возникших циклических структур. Сополимер обладает свойствами позитивного фоторезиста при экспонировании в коротковолновом УФ-свете и негативного в средней УФ-области [7]. Аналогичная термообработка рекомендована для сополимеров метакриловой кислоты с метил-р-хлоракрилатом и метакрилони-трилом, которые являются и электронорезистами при этом повышается их светочувствительность и разрешающая способность [пат. США 4414313, 4415653]. По данным пат. Великобритании 1493089, непосредственно на подложке из тонкого слоя ПМАК при 200°С и обработке аминами получают резисты — имиды поликислоты. [c.179]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология