Рельефы защитные

Исходным материалом при химическом способе служит фольгированный диэлектрик, т. е. изоляционный материал, на поверхность которого с одной или двух сторон наклеена медная фольга толщиной 35—50 мкм. На поверхность медной фольги вначале наносят защитный рисунок (рельеф), соответствующий заданной электрической схеме. Незащищенными остаются пробельные места. Защитный рисунок схемы выполняют стойкими к воздействию травильных растворов материалами (красками или фоторезистами). [c.104]

Д. Удаление защитного рельефа фоторезиста.......612 [c.559]

Рассмотрим случай, в котором в силу конкретных условий (рельеф местности или другие причины) приходится принимать вариант I расположения промплощадки и нет возможности сократить выделение вредных веществ или увеличить ширину санитарно-защитной зоны. [c.146]

Дорогу от промышленного узла в город для предотвращения переноса ветром вредных веществ рекомендуется прокладывать не по прямой, а с уступом, с учетом рельефа местности (рис. 9-4). На рис. 9-5 показаны аэрационные коридоры в санитарно-защитной зоне, предназначенные для проветривания зоны и удаления попавшего в нее загрязненного воздуха. [c.151]

На лабораторных занятиях студенты знакомятся с современными способами изготовления печатных плат (ПП) и протекающими при этсм химическим и электрохимическими процессами. При анализе физико - химических процессов большое внимание уделяется теоретическим основам химического меднения, активации поверхности, особенностям применяемых растворов, получению защитного рельефа, в том числе использования различных фоторезистов [c.50]

Перед уборкой и учетом урожая на каждой стороне делянки выделяются защитные полосы шириной от 0,5 до 1,5 м (в зависимости от размера делянок и характера опыта). Это делается для того, чтобы исключить возможное влияние на растения удобрений соседней делянки. Оставшаяся часть делянки называется учетной площадью. Если на делянке обнаружатся понижение или повышение рельефа или участки, неодинаково удобренные в предшествующие годы, то этим участкам придают прямоугольную форму и урожай на них убирают без учета вместе с растениями защитных полос. [c.269]

A. Создание негативного защитного рельефа. . .....624 [c.559]

Защитный рельеф. (Прим. перев.). [c.570]

В литературе, касающейся фоторезиста AZ-1350, имеются указания на го, что нет необходимости проводить сушку слоя в том случае, если используются слабые химические реактивы. Преимуществом такого процесса является свободное удаление полимера после травления. Когда применяются более сильные травители, например, буферные растворы фтористоводородной или азотной кислот, все же окончательную сушку при температуре 150° С в течение 30 мин проводить необходимо. Наиболее высокая химическая стойкость достигается прокаливанием при 200° С, однако после этого удаление полимера для создания защитного рельефа весьма затруднено [95]. [c.604]

Реактивы, которые обычно применяются для вытравливания рисунков в тонких пленках, в основном состоят из тех же самых химических веществ, которые, как известно, растворяют материалы в объемно-плотном состоянии. Для травления тонких пленок эти химические реактивы применяются в виде сильно разбавленных растворов для того, чтобы уменьшить скорость травления и избежать воздействия растворителя на вытравливаемый материал под защитным рельефом из полимера. Поскольку чаще всего применяются водные растворы, иногда для замедления реакции за счет уменьшения дислокации химических реагентов или повышения вязкости этих растворов, к ним добавляются спирты, например, метиловый, или этиленгликоль, глицерин. Обычно более слабые травители создают меньшее подтравливание, чем сильные травители. Если возможен выбор применяемых реактивов, то ионы металла, изменяющие валентное состояние, подобно железу [c.604]

I) Обратная фотолитография. Простейшим способом создания защитного негативного рельефа является использование для этой цели фоторезиста, Методы создания защитного рельефа те же, что и в обычной фотолитографии, После осаждения пленки рельеф фоторезиста может быть удален со всех участков поверхности подложки с помощью набухания фоторезиста в соответствующих органических растворителях и осторожного механического удаления этого рельефа. Для того, чтобы сохранить пленку на боковых участках (участок 5 на рис, 17), чтобы она была здесь тоньше или даже с разрывом, толщина защитного рельефа должна быть больше, че.м толщина пленки. Это позволяет растворителю проникать к защитному рельефу под пленкой, взаимодействовать с ним, при этом легче вымываются выступающие над поверхностью участки пленки. [c.624]

Хотя N0 — газ и бесцветный, однако обычно происходит выделение коричневых паров, потому что при соприкосновении NO с воздухом образуется NO2. Причиной предпочтения реакций предшествующего типа является то, что пузырьки газа часто прилипают к поверхности не полностью вытравленных пленок и таким образом предотвращают образование чистого четкого рельефа рисунка. Другим критерием выбора реактивов и растворителей является их воздействие на защитный рельеф фоторезиста. [c.604]

Д. Удаление защитного рельефа фоторезиста [c.612]

Несмотря на то, что традиционные методы фотолитографии, перечисленные в предыдущих разделах, весьма универсальны, тем не менее по ряду причин все эти методы имеют пределы их возможного применения. Одно из таких ограничений обусловлено тем, что органические фоторезисты не выдерживают воздействия сильных окислительных реактивов, применение которых просто необходимо для травления пленок стойких инертных материалов. Для преодоления подобных затруднений были разработаны два метода создание негативного защитного рельефа и катодное травление. Другого рода ограничения возникают при использовании фотошаблонов, изготовленных из фотопластин с эмульсией на основе галоидов [c.623]

А. Создание негативного защитного рельефа [c.624]

Влияние межэлектродного расстояния проявляется особенно сильно при его изменениях в пределах величин, соизмеримых с размерами электродов (рис. 22, в), и имеет значение для характерных при износостойко.м хромировании деталей с простым рельефом (цилиндрических и плоских). Для деталей с развитым рельефом, характерным для защитно-декоративного покрытия, с увеличением межэлектродного расстояния улучшается распределение покрытия по рельефной поверхности в соответствии с кроющей способностью электролита. [c.34]

Необходимо указать, что все однослойные хромовые защитные покрытия должны наноситься по возможности равномерно и во всяком случае контроль их толщины следует производить магнитным толщиномером в углублениях рельефа хромированной поверхности и в других местах, где толщина покрытия минимальна. В этих местах толщина хрома должна соответствовать заданному значению. [c.77]

В качестве кислотоупорного слоя применяют фотоэмульсию, которая позволяет получить позитивный защитный рельеф рисунка [c.134]

Другие способы обратного маскирования. Недостатки, связанные с введением фоторезиста в вакуумную систему, можно избежать, применяя для создания защитного негативного рельефа другие легко растворимые материалы. Но в этом случае необходимо ввести дополнительную операцию, а именно, осаждение пленки, из которой должен быть создан защитный негативный рельеф методами обычной фотолитографии. О таком способе сообщается в работе Мэрфи [131], который использовал пленку В1гОз, полученную реактивным распылением. Этот окисел имеет хорошее сцепление со стеклом и легко растворяется в 1%-ном растворе хлористоводородной кислоты. При последующем осаждении пленки, в которой [c.625]

При абразивном износе на поверхности трения образуются царапины, глубина и ширина которых у образцов из стали, закаленной токами высокой частоты (ТВЧ), намного больше, чем у образцов из стали с защитным диффузионным покрытием на основе бора и марганца. Для образцов конструкционной стали, подвергнутых обычной закалке, в процессе трения с присутствием абразива характерно образование сплошных глубоких царапин [74]. На поверхности трения образцов после НТМПО царапины были прерывистыми, распространялись на меньшую глубину и с менее резким рельефом поверхности. [c.15]

В результате чернения на поверхности изделий из серебра образуется стойкая защитная пленка, которая не разрушается водой и слабыми растворами кислот. Черненые изделия после промывки в воде и сушки обрабатывают мягкими латунными крацовочными щетками, после чего изделия приобретают красивый блеск. Участки, которые должны быть высветлены, освобождают от слоя сульфида легким полированием выступающих частей рельефа, протирая их мягкой такнью с венской известью. [c.183]

Большинство композиций на основе диазосмол дает негативное изображение шаблона из-за того, что при фотолизе растворимость полимеров ухудшается. Однако получают позитивные слои с использованием диазосмол. В некоторых работах удавалось достичь улучшения растворимости фотолизоваиных участков слоя (собственно позитивный процесс), в других работах создавались обратные печатные формы, отличаюш-иеся трудоемкостью в изготовлении. Первоначально их получали на основе очувствленных бихроматом природных коллоидов (гуммиарабика, рыбьего или костного клея и др.) рядом последовательных операций фотолиза слоя композиции на подложке через позитив с образованием негативного изображения, удаления незасвеченных участков проявителем, глубокого травления незащищенных рельефом участков подложки, сплошного покрытия пластины лаком, а затем защитной краской, удаления негативного рельефа с лаком и краской специальным раствором, гидрофилизации фосфорной кислотой незащищенных лаком и краской участков подложки. В результате негативного процесса получали позитивную печатную форму. [c.119]

Независимо от типа используемого антикоррозионного покрытия для достижения хорошего сцепления с металлической поверхностью защищаемого изделия необходимо тщательно зачистить ее поверхность и полностью удалить оксидные отложения (окалину). Перед нанесением бетумных или пластмассовых защитных покрытий окалину и ржавчину удаляют до тех пор, пока невооруженным глазом виден рельеф вследствие наличия пор. При нанесении реакционноспособных лаков окалина и ржавчина удаляются полностью. Прокатная окалина с поверхности стали может быть удалена путем термического воздействия, пескоструйной обработки или путем травления. Механические способы удаления ржавчины включают ручную обработку, например, проволочными щетками, шпателем, шабером, молотком для отстукивания и другими ручными инструментами, вращающимися проволочными щетками, шлифовальными кругами и лентами и т. п. При термической обработке окалина сбивается пламенем ацетиленовой горелки. При такой обработке можно использовать Т-образные горелки гребенного типа со скоростью подачи 3-5 м/мин, наводимые на обрабатываемую поверхность либо за один ход, либо за несколько ходов с промежуточными охлаждениями. [c.136]

Перед изготовлением медного контррельефа предварительно к обратной стороне копируемой металлической модели припаивают медную подвеску — контакт из хлорвинилового провода соответствующего сечения, подобранного по рабочей плоскости тока. З атем форму обезжиривают щелочью и, если требуется, протравливают азотной кислотой и обрабатывают вращающейся мягкой латунной щеткой. Подготовленную модель с обратной стороны покрывают плотным слоем врска, парафина или кислотоупорного лака, чтобы место припайки контакта нерабочая сторона модели, края модели и незначительная часть припуска у самых краев модели были изолированы. Необходимо следить за тем, чтобы воск не попал иа обработанный фон или рельеф модели. Защитный изоляционный слой лучше наносить на слабо подогретую модель для более прочного сцепления его с металлом. Края модели и незначительную часть фона (3—5 мм, если позволяют размеры) следует покрывать изолирующим слоем с учетом того, на какую величину будут срезаться края будущей репродукции. Изолирующий слой облегчает отделение копии от формы. [c.108]

При нанесении некоторых видов функциональных или защитно-декоративных покрытий предъявляются строгие требования к микрогеометрии поверхности осаждаемого металла — необходима определенная степень сглаженности или, наоборот, шероховатости поверхности, т. е. определенный микрорельеф (микропрофиль). Микропрофиль — это совокупность отдельных элементов рельефа с размерами, не превышающими десятых долей миллиметра он зависит от начальных микрогеометрических параметров поверхности катода и от характера микрораспределения осаждаемого металла. Под термином микрораспределение обычно понимают распределение скорости электроосаждения на отдельных элементах рельефа— выступах и впадинах. Различают три типа микрораспределения металла равномерное, положительное истинное выравнивание и отрицательное выравнивание (антивыравнивание). При положительном выравнивании в микроуглублениях наблюдаются более высокие скорости осаждения, чем на микровыступах, при отрицательном выравнивании характер микрораспределения меняется на противоположный. [c.128]

В условиях влажных субтропиков Закавказья для подзимних и весенне-летних посевов на зеленое удобрение используются весьма разнообразные растения (люпин, горох, вика, клевер, соя, бобы, маш, однолетняя леспедеза и др.). При наличии гористого рельефа и большого количества атмосферных осадков зеленое удобрение имеет большое значение и как защитное средство против эрозии почв. В связи с большой кислотностью почв и их обогащенностью полуторными окислами в условиях влажного Закавказья для успешного возделывания растений на зеленое удобрение необходимо применение извести и повышенных доз фосфорных удобрений. [c.209]

Перед экспонированием подложки с защитным рельефом фоторезиста следует проверить на отсутствие дефектов и наличие знаков для совмещения на каждом фотошаблоне комплекта. Наиболее эффективные методы контроля фотошаблонов рассмотрены Хенриксеном [90]. Одним из методов является контроль под микроскопом при 600-кратном увеличении размеров, изучение дефектов рисунка, контрастности, вуали, резкости краев линий рисунка, установление проколов и других дефектов. Контроль совмещения отдельных фотошаблонов комплекта при отсутствии ошибок при компоновке можно осуществить наложением всех фотошаблонов на одну и ту же подложку с последующим сравнением всех деталей рисунка с оригиналом компоновки. [c.600]

Фоторезист может экспонироваться любым источником света, имеющим достаточную мощность в области спектра, близкой к ультрафиолетовой. Большие по площади источники света применяются редко и только в случае использования подложек больших размеров. Свет от таких источников — рассеянный и не позволяет выявить мелкие детали рисунка, поэтому он применим только для разрешения широких линий (от 50 мкм до 0.5 мм). Рисунки с тонкими линиями экспонируются точечным источником света, например, от угольной дуги, лампы с высоким давлением, заполненной парами ртути, ксеноновой импульсной лампы, которые создают поток почти коллимированного света, если они находятся на достаточном удалении от подложки. Коллиматорные линзы необходимо отрегулировать эмпирически, потому что если свет отколлимирован тщательным образом, то он разрешает мельчайшие дефекты в защитном рельефе даже серебра, образуя таким образом островки или проколы в слое фоторезиста [62]. Однородность интенсивности света вдоль всей поверхности подложки получается лучше, если точечный источник удален на достаточно большое расстояние, чем в том случае, когда применяются коллиматорные линзы, особенно если эти линзы меньше рабочего поля изображения и если отсутствует апертура, которая перекрывает периферийные участки светового пучка [91]. [c.600]

Тщательное регулирование установки для экспонирования должно выполняться посредством тестовых рисунков [32]. Чтобы обеспечить воспроизводимость, энергопитание источника света должно быть тщательно отрегулировано. Для получения хорошей четкости тонких линий интенсивность излучения при экспонировании не должна отклоняться от оптимального вначения больше чем на 5—10% [65]. Следовательно, интенсивность излучения по всей поверхности подложки должна либо регулироваться непрерывно, либо проверяться периодически. Несмотря на то, что фоторезисты позволяют изменять экспозицию в широких пределах, явления дифракции, влияющие на качество фотошаблонов, вызывают необходимость поддерживать упомянутую выше точность. Передержка, например, приводит к образованию в слое фоторезиста поперечных связей на некоторых участках под защитным рельефом фоторезиста, вне зоны максимальной плотности. Расширение экспонированных участков под слой рельефа производится также и за счет диффузии рассеянного света в слое фоторезиста из-зя отражения от поверхности пленки или подложки, находящейся под ней. В результате этих явлений линии расширяются, иногда на величину до 2,5 мкм. С другой стороны, недодержка приводит к образованию более опасных дефектов, чем те, к которым приводит образование поперечных связей При проявлении изображения может быть вытравлен весь рисунок. В случае позитивных фоторезистов, наоборот, недостаточно экспоин-роваиный pH ynoiK целиком остается под вуалью нерастворенного полимера. Эти выводы также указывают на то, что продолжительность оптимальной выдержки зависит от толщины. [c.601]

Нитрид кремния. Пленки SisN4 химически инертны и с большим трудом поддаются травлению. Наиболее подходящим травителем является концентрированная (48%) HF при этом скорость травления изменяется от 150 А мин [110] до 500 я 1000 А мин- [98], в зависимости от метода получения пленок и их толщины. Буферные растворы HF взаимодействуют с гораздо меньшей скоростью, около 15 А мин [ПО]. Еще одним травителем может быть раствор, состоящий из 3 мл концентрированной HF и 10 мл концентрированной HNO3 травление осуществляется при температуре 70° С i[98]. Общий недостаток всех этих реактивов состоит в том, что все существующие фоторезисты не выдерживают взаимодействия с ними достаточно продолжительное время, чтобы вытравить несколько сотен ангстрем пленки 31з 4. Для преодоления этого препятств.чя с помощью рельефа рисунка по покрытию фоторезиста изготавливают защитные пленки из молибдена [ПО] или сплава хром — серебро [98]. Эти металлы не взаимодействуют с HF и она не проникает под пленки этих металлов, так что таким способом могут быть изготовлены сравнительно бездефектные рисунки. Сообщают об изготовлении таким способом отверстий диаметром около 7,5 мкм и прямых линий с четкими и резкими краями, [110]. Известно, что в качестве маскирующего покрытия применяют пленки ЗЮг и пленки 51зМ4. которые затем травятся горячей, концентрированной серной кислотой [113]. [c.610]

Дефекты в фотошаблоне и проникновение травителя. Еще одним критерием качества вытравливаемых рисунков является сложность защитного рельефа в слое фоторезиста. При отсутствии ошибок в конструкции чертежей и без учета легко обнаруживае.мых больших дефектов, трещины в вытравленном рисунке могут возникать по двум причинам. Первая — наличие микродефектов в стеклянных фотошаблонах вторая — неудовлетворительная стойкость полимерного защитного рельефа к проникновению травителя под защитный слой. Фотошаблоны на основе стеклянных фотопластин очень восприимчивы к образованию небольших дефектов как в процессе их производства, так и в процессе их эксплуатации. Такими дефектами могут быть — некачественное покрытие эмульсией, наличие проколов, царапин, частичек пыли, волокон на поверхности покрытия. На сформированном слое поли.мерного рельефа такие дефекты являются причиной, приводящей к локально.му изменению контрастности изображения. Характер дефектов, образующихся в тонкопленочном рисунке в результате дефектов уже и.меющихся в фотошаблоне, зависит еще и от типа используемого фоторезиста и от природы материала пленкн, которая подвергается травлению. Детально этот вопрос рассматривался Плаффом с сотрудника.ми [129]. Основные выводы по образованию, развитию дефектов можно сделать по данным, представленным на рис. 13 и в табл. 11. [c.620]

В обычной фотолитографии слой фоторезиста наносится поверх слоя пленки, которая затем подвергается травлению и представляет собой позитивное изображение рисунка, который в дальнейшем должен быть изготовлен, Существуют также и обратные методы, когда негативный защитный рельеф сначала создается прямо на подложке, после чего уже на него осаждается, например, пленка металла, В результате этого пленка осаждается непосредственно на подложке только в незащищенных участках, Последующие операции приведены на рис, 17. На конечной операции зашигный рельеф удаляется растворителем, который взаимодействует только с материалом защитного слоя, но не с материалом пленки. Для того, чтобы этот метод мог быть применим, необходимо хорошее сцепление с подложкой, [c.624]

Катодное травление в высокочастотном разряде. Возможность удаления тонких слоев изолирующих материалов методом катодного травления в ВЧ разряде была продемонстрирована в 1962 г. Андерсоном, Майером и Винером [136]. В 1965 г. Давидзе [137] установил, что фоторези-стивный защитный рельеф может подвергаться воздействию высокочастотного тлеющего разряда достаточно продолжительное время (необходимое для вытравливания тонких пленок любого состава). Простота высокочастотных систем, отсутствие подтравливания, обусловленного прямым столкновением ионов с поверхностью, очень хорошее формирование края линий, достаточно высокая скорость травления, которая может при этом достигаться, и возможность использования уже разработанных методов применения фоторезистов для создания защитных рельефов при вытравливании, — вот все те преимущества, которые позволили немедленно применить этот метод на практике. В про.чышленности появились установки для катодного травления, укомплектованные устройствами для настройки емкости электродов и подводимой мощности [138]. [c.627]

Проекционные способы формирования рисунка. Защитный рельеф фоторезиста для травления тонких пленок может быть создан без контакта с фотошаблоном, если уменьшенное изображение промежуточного диапозитива, применяющегося в обычной технологии изготовления фотошаб- [c.630]

Внедрение твердых частиц капсулируемого вещества в монолитные полимерные объекты основано на качественном различии совмещаемых компонентов в твердости или неограниченной совместимости капсулируемого вещества с полимером в расплавленном состоянии. Внедрение жидкости в пленку возможно двумя способами путем ее растворения в поверхностном слое при нагревании с последующим расслаиванием образовавшегося студня при охлаждении или модификацией физической структуры поверхностного слоя, созданием рельефа из микроячеек, способных выполнять функции защитных оболочек для жидкости. [c.120]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология