Фоторезист

Исходным материалом при химическом способе служит фольгированный диэлектрик, т. е. изоляционный материал, на поверхность которого с одной или двух сторон наклеена медная фольга толщиной 35—50 мкм. На поверхность медной фольги вначале наносят защитный рисунок (рельеф), соответствующий заданной электрической схеме. Незащищенными остаются пробельные места. Защитный рисунок схемы выполняют стойкими к воздействию травильных растворов материалами (красками или фоторезистами). [c.104]

Большое число применений фоторезистов кратко описано в разд. 8.5. Одно из важнейших приложений они находят в производстве электронных интегральных схем, где резисты используются для обозначения участков нанесения покрытия на кремниевой подложке, на которых в последующем образуются сопротивления, конденсаторы, диоды и транзисторы готовой схемы, а также металлические проводники, соединяющие между собой элементы, изолирующие и пассивирующие слои. В процессе производства сложной схемы может быть несколько десятков стадий переноса изображения, травления, легирования или других операций. Каждая стадия должна выполняться в пространстве с точностью не хуже сотен нанометров. Для получения необходимой точности используются фотографические методы, хотя УФ-излучение может быть дополнено более коротковолновыми рентгеновскими лучами, пучками электронов или ионов в случае необходимости размещения большого числа компонентов в малом пространстве. Применяемые в настоящее время фоторезисты в основном построены на полимерных системах. Те, которые используются в полупроводниковой промышленности, представляют собой улучшенные варианты фоторезистов для приготовления фотопластинок. В этом разделе будут описаны три типичные системы фоторезистов. [c.256]

На лабораторных занятиях студенты знакомятся с современными способами изготовления печатных плат (ПП) и протекающими при этсм химическим и электрохимическими процессами. При анализе физико - химических процессов большое внимание уделяется теоретическим основам химического меднения, активации поверхности, особенностям применяемых растворов, получению защитного рельефа, в том числе использования различных фоторезистов [c.50]

СИНТЕЗ ПРОИЗВОДНЫХ в-НИТРОБЕНЗИЛОВЫХ ЭФИРОВ — ПОЛУПРОДУКТОВ для ФОТОРЕЗИСТОВ с ХИМИЧЕСКИМ УСИЛЕНИЕМ ИЗОБРАЖЕНИЯ [c.53]

Несмотря на широкий ассортимент зарубежных и отечественных фоторезистов, разработка новых светочувствительных материалов с улучшенными свойствами представляет собой важную научно-техническую задачу. Весьма актуальными в научном и прикладном отношении являются синтез и исследование свойств соединений на основе 1 -нафталинон-2-диазида 4(5)-сульфонилхлоридов с целью изучения возможности создания новых видов фоторезистов. [c.55]

Синтезированные соединения были испытаны в качестве светочувствительного компонента для композиции фоторезиста на основе новолачных смол. [c.55]

Синтез производных о-нитробензиловых эфиров — полупродуктов для фоторезистов с химическим усилением изображения [c.185]

Очень интересны фоторезисты — материалы, которые под действием света приобретают способность избирательно растворяться. Такие материалы наносят на поверхность твердого тела в виде [c.137]

Соединения серебра и меди широко используются в изготовлении так называемых печатных схем, микромодулей, твердых и пленочных схем. Особое значение в современной технологии изготовления миниатюрных радиосхем приобрела техника точного травления — точечная и порисунку. Для этого широко применяется фотолитографический метод. Он заключается в следующем. На поверхность твердого тела (кристалла) наносят слой фотоэмульсии, называемой фоторезистом (от фр. resi ter — сопротивляться). Фоторезист способен задубливаться под действием ультрафиолетового облучения, после чего может противостоять действию травителей. Свойствами фоторезиста, например, обладают желатин с добавками бихромата калия, спирта и аммиака, поливиниловый спирт с бихроматом аммония и другие вещества. Фотографическим способом изготовляют шаблон (маски) — четкий чернобесцветный рисунок на фотопластинке. Им закрывают поверхность твердого тела со слоем фоторезиста. Облучают фоторезист через шаблон ультрафиолетовой лампой. На облученных участ,ках фоторезист по-лимеризуется ( задубливается ) и переходит в нерастворимое состояние. С помощью растворителей фоторезист смывают с участков, не подвергавшихся облучению, а облученные участки остаются защищенными плотно прилегающей к поверхности, устойчивой к травителям [c.359]

Можно на полупроводниках по рисунку нанести вакуумным напылением или электролитически, или химическим осаждением проводящие тонкие слои металла (Си, Ag и др.) или, наоборот, стравить по рисунку, например, медь с фольгированного гетинакса, что используется при изготовлении печатных схем. Фотолитографическим методом можно по рисунку удалить слой диэлектрика с полупроводника (например, 5Юо с поверхности кремния), образовать слой диэлектрика на металле или полупроводнике и т. д. Задубленные слои фоторезистов удаляют специально подобранными растворителями. [c.360]

Разновидности Ф. т. наз. взрывная (для получения рисунка на пленках металла) и инверсионная (для получения профиля изображения с отрицат. наклоном стенок). В первом случае рисунок получается путем напыления слоя металла на пластину с проявленным фоторезистом, а при снятии фоторезиста удаляют часть металлич. слоя, осевшего на маску во втором - на позитивном фоторезисте получают негативный рис ок. [c.171]

Технология изготовлеиия печатных плат состоит в следующем [21]. На поверхность медной фольги наносят фоторезист экспонируют печатную схему, проявляют и вытравливают рисунок. В двусторонней или многослойной печатных платах для соединения металлических слоев между собой высверливают отверстия, которые подвергают химическому меднению. Для увеличения толщины слоя меди на поверхности и внутри отверстий применяют электрохимическое меднение. Печатные схемы имеют сложный рисунок (рис. 133). В печатной схеме для компьютера — около 10 ООО отверстий. Изготовляют печатные платы толщиной от 3 до 40 мкм. Наиболее ответственный этап в технологии изготовления печатных плат — металлизация отверстий и достижение надежного контакта между слоями. Для этого, например, применяют травление диэлектрика (см. табл. 21). Раствор для травления должен удалять даже полимер, подвергнутый деструкции во время сверления. [c.259]

Ряд перфторированных веществ чрезвычайно стойки к действию кислорода, элементного фтора и других агрессивных веществ, устойчивы при температурах даже выше 400 °С. Все это является предпосылками для их широкого применения в качестве теплоносителей, мономеров, красителей, фоторезистов, антиоксидантов, светостабилизаторов, лекарственных препаратов, детергентов. Они используются в качестве смазочных материалов и герметиков в вакуумной технике, в аэрокосмической и холодильной технике, легкой и пищевой промышленности, радиоэлектронике (в современной технологии изготовления интегральных схем для микроэлектроники, процессах газоразрядного плазмохимического травления, ионной имплантации, очистки поверхности подложек и т.п.). [c.15]

Продукт конденсации 3,3 -диамино-4,4 -дигидроксибензофенона и 1 -нафталинон-2-диазида 5-сульфонилхлорида представляет интерес в качестве перспективного материала для композиций фоторезистов с инверсией изображения. [c.55]

Получение более или менее постоянной записи света и тени с помощью фотографии представляет наиболее хорошо известный из прикладных фотохимических процессов. Фотография относится к одному из методов получения фотоизображения, в котором для записи и копирования изобразительной информации используются кванты света. Помимо фотографии другие широко распространенные приложения фотоизображения включают копирование деловых бумаг (ксерокопию) и изготовление различных видов печатных форм. Если рисующий свет изменяет свойства (например, растворимость) материала, используемого для защиты некоторой подложки, то последующей обработкой можно перенести изображение на первоначально защищенную шаблоном поверхность. Такие материалы называются фоторезистами. Они чрезвычайно важны в производстве печатных форм, интегральных схем и печатных плат для электронной промышленности, в изготовлении мелких компонентов типа сеток электрических бритв, пластин затворов фотоаппаратов и многих других изделий. В настоящее время большое внимание привлечено к получению изображения с целью создания полностью оптических запоминающих устройств, отличающихся от магнитных тем, что запись и считывание информации осуществляются электромагнитным излучением видимой части спектра. Хорошо развиваются сейчас приложения оптического считывания к видео- и аудиотехнологиям ( компакт-диски ), а также в области оптического считывания — записи в запоминающих устройствах для компьютеров. [c.242]

Резисты, у которых при обработке удаляются области, подвергнутые световому воздействию, известны как позитивно работающие, потому что у них остаются области под защитным покрытием, ослабляющим действие света. Позитивный фоторезист должен состоять из образующей пленку фенолоформальде-гидной смолы, смешанной с нафтохинон-диазидным соединением, ЯВЛЯЮЩИМСЯ фоточувствительным компонентом. Отщепление азота, сопровождаемое перегруппировкой кольца и реакцией со следовыми количествами воды, присутствующей в атмосфере или самой пленке, приводит к образованию инденкарбо-новой кислоты [c.256]

Сама смола обладает слабокислыми свойствами и растворима в щелочных растворах, но сенсибилизатор исходно нерастворим в воде и защищает пленку. Однако инденкарбоновая кислота, образующаяся при облучении, будет растворяться в щелочном проявителе, поэтому вся освещенная пленка будет растворена, а нерастворенной останется пленка на неэкспонированных участках. Два важных негативно работающих фоторезиста зависят от фотополимеризации, а не от изменения растворимости полимера, как описано в последнем абзаце. Фотополимеризацию можно классифицировать в зависимости от того, требует ли каждое увеличение относительной молекулярной массы своей собственной фотохимической стадии активации или большое число стадий термической полимеризации происходит после поглощения кванта света. [c.257]

Поливиниловый спирт используется в фотолитографии на его основе готовятся фоторезисты (гл. ХП, 8 и 9). Для поливинилового спирта характерны все свойства спиртов. В присутствии минеральных кислот он реагирует с альдегидами, образуя поливинилацетали. Спиртовые растворы поливинилацеталей используются как высококачественные клеи, например, для изготовления безосколочного стекла (триплекс) и в смеси с резольной фенол-формальдегидной смолой (как клей БФ). На основе поливинилацеталей готовятся высококачественные электроизоляционные эмальлаки (винифлекс), которые используются для приготовления эмалированных (обмоточных) проводов. Винифлекс был впервые разработан Всесоюзным электротехническим институтом имени В. И. Ленина. [c.387]

В настоящее время для получения люминофорной мозаики на экране цветного телевидения почти исключительно пользуются фотопечатью. Для этого приготовляют суспензию люминофора данного свечения в водно-спир-товом 2—4%-ном растворе поливинилового спирта (см. гл. XIII, 5), содержащем 0,4—0,8% (ЫН4)2Сг207. Суспензию распределяют по экрану поливом. Цокрытие сушат, засвечивают через фотографически полученную маску определенные места ( точки ) фоторезиста, затем удаляют с незащищенных мест фоторезист с люминофором (проявление). Процесс повторяют для люминофоров другого цвета свечения, закрепляемого таким же фотолитографическим методом на других участках ( точках ) [c.459]

Развитие научных основ электрофлотомембранной технологии позволяет решать проблемы ресурсосбережения и экологической безопасности гальванических производств. Сточные воды представляют собой сложную систему, содержащую большое количество различных минеральных и органических загрязняющих веществ, что объясняется разнообразием перерабатываемого сырья и применяемых материалов. Несмотря на существенные различия в технологии металлургического производства и металлопокрытий различных изделий, их объединяет наличие отходов, содержащих большое количество ионов меди, Щ1нка, никеля, кадмия, хрома, кислот и щелочей, фоторезист СПФ-ВЩ. [c.53]

Исследования, проведенные с фоторезистом, в состав которого входят 12 компонентов, показали, что в растворах NaOH (раствор снятия) и КагСОз (раствор проявления) происходит его растворение в технологическом процессе и загрязнение промывных вод. Установлено, что при увеличении кислотности раствора до рН=2-3 происходит полимеризация компонентов фоторезиста и его эффективное извлечение, причем в присутствии СОз процесс протекает более эффективно. Время флотации составляет 3-5 минут. Положительное влияние на процесс оказывают ионы меди (II), железа (II и III), алюминия (III), олова (II), кальция и магния. [c.54]

Ароматич. Д. применяют преим. для получения азокрасителей, а также как светочувствит. материалы для изготовления фоторезистов и в диазотишш (см. [c.41]

Фотолитография включает след, стадии нанесение слоя фоторезиста на пленку 8Ю2, покрывающую кремниевую пластину экспонирование слоя фоторезиста через фотошаблон-стеклянную пластину с множеством одинаковых рисунков областей прибора проявление слоя фоторезиста получение оксидной маски травлением пленки 810 через окна в проявленном фоторезисте удаление фоторезиста. Используют фотолитографто контактную (фотошаблон контактирует со слоем фоторезиста) и проекщюнную, осуществляемую либо однократным проецированием фотошаблона с множеством структур на всю пов-сть пластины, либо пошаговым экспонированием, при к-ром на пластину с определенным сдвигом (шагом) многократно проецируют фотошаблон с изображением одной структуры. Кроме фотолитографии используют также рентгеновскую и электронную литографию. [c.557]

ФОТОЛИЗ, разрыв связи в молекуле в результате поглощения фотона. Часто этот термин неточно используют в более широком смысле как любое хим. превращение при действии света на в-во. В термине импульсный фотолиз такое употребление считается приемлемым. Подр нее см. Фотохимические реакции. М.Г. Кузьмин. ФОТОЛИТОГРАФИЯ, способ формирования рельефного покрьп ия заданной конфигурации с помощью фоторезистов. [c.171]

Ф. обычно включает 1) нанесение фоторезиста на металл, диэлектрик или полупроводник методами центрифугирования, напыления или возгонки 2) сушку фоторезиста при 90-110 °С для улучшения его адгезии к подложке 3) экспонирование фоторезиста видимым или УФ излучением через фотошаблон (стжло, кварц и др.) с заданным рисунком для формирования скрытого изображения осуществляется с помощью ртутных ламп ( и контактном способе экспонирования) или лазеров (гл. обр. при проекц. способе) 4) проявление (визуализацию) скрытого изображения imeM удаления фоторезиста с облученного (позитивное изображение) или необлученного (негативное) участка слоя вымыванием водно-щелочными и орг. р-рителями либо возгонкой в плазме высокочастотного разряда 5) термич. обработку (дубление) полученного рельефного покрьп ия (маски) при 100-200 С для увеличения его стойкости при травлении 6) травление [c.171]

Часто для првдания фоторезистному покрытию специфич. св-в (пошшение стойкости к травителям, уменьшение отражения из чения от подложки, планаризация рельефа и др.) формируют многослойные по1фьггия, в к-рых один из слоев, обычно верхний, является собственно фоторезистом, а остальные имеют вспомогат. ф-ции. Двухслойное покрытие м. 6. сформировано и в однослойном фоторезисте путем локальной хнм. модификации пов-сти. [c.171]

Осн. требования к Ф. высокая разрешающая способность, минимально привносимая дефектность и большая производительность, к-рые определяются обычно св-вами фоторезистов, параметрами фотолитографич. оборудования и чистотой технол. помещений. [c.171]

Важные практич. применения Ф. связаны с фотофафией, фотолитофафией и др. процессами записи и обработки информации, пром. и лаб. синтезом орг. и неорг. в-в (фото-нитрозирование циклогексана с целью получения капролак-тама, синтез витаминов фуппы Д напряженных полициклич. структур и др.), синтезом и модификацией полимерных материалов (фсггополимеризация, фотомодификация и фотодеструкция полимеров), квантовой электроникой (фотохим. лазеры, затв ы, модуляторы), микроэлектроникой (фоторезисты), преобразованием солнечной энергии в химическую. [c.183]

Процесс изготовления микроаналитических систем базируется на технологиях, использующихся при производстве интегральных схем (чипов). В их основе лежат хорошо изученные и отработанные на практике процессы фотолитографии и травления либо в растворах, либо в газовой фазе (например, реакционное ионное травление). На рис. 15.2-1 представлен типичный процесс изготовления устройства с системой микроканалов. Подложку, обычно из кремния, стекла или кварца (в принципе, возможно использование полимеров), покрьшают пленкой металла (обычно хром или золото с тонким слоем хрома для улучшения адгезии) и слоем фоторезиста. Затем с использованием фотошаблона, на котором нанесен рисунок будущего микроустройства, поверхность подвергают действию УФ-излучения. После соответствующей химической обработки (проявления) пленка фоторезиста удаляется с участков, подвергнутых экспозиции. Пленка металла, не защищенная фоторезистом, удаляется в травильных ваннах. Затем, на второй стадии травления травится и сама подложка (обычно в НГ/НКОз или КОН). В зависимости от выбранного травителя и типа подложки получающиеся микроканалы имеют различный профиль. Стеклянные и другие аморфные подложки обычно изотропны по свойствам и травятся с одинаковыми скоростями в любом выбранном направлении. Протравленные каналы, как правило, имеют скругленные кромки. На монокристаллических кремниевых или кварцевых подложках в присутствии подходя1цих травителей возможно анизотропное травление, приводящее к получению каналов со специфичными профилями, зависящими от расположения кристаллографических плоскостей, подвергнутых травлению. На заключительной стадии процесса по- [c.642]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология