Разрешение рисунков в слое фоторезиста

Разрешение и точность рисунка в маскирующем слое фоторезиста. ..............614 [c.559]

Максимальное разрешение рисунков в слое фоторезиста, полученное на липпмановских пластинах методом контактной печати [c.615]

Основными факторами, которые определяют качество вытравленных рисунков в тонких пленках, являются разрешение и точность рисунка в (защитном) покрытии фоторезиста, степень подрезания (подтравливания) в процессе травления и наличие проколов разрывов в полимерном защитном слое. В дальнейшем и будут рассмотрены этн вопросы. [c.614]

Если для экспонирования пластин со слоем хрома применяются шаблоны с галоидной эмульсией, то никакого выигрыша в увеличении разрешения получить не удается. Тем не менее, применяя соответствующее экспонирование на эмульсионном шаблоне, можно воспроизвести рисунок без изменения оптической плотности на краях линий. Пленку хрома или вытравливают полностью, или поддерживают ее первоначально заданную толщину в защищенных участках, благодаря чему хромовые фотошаблоны обеспечивают получение хорошей контрастности и четкой проработки края. Необходимо отметить, что это не всегда удается, потому что оптические дефекты в эмульсионном фотошаблоне могут повторяться в процессе печа тания. Многие дефекты эмульсионных фотошаблонов имеют или ничтожно малые размеры, или очень маленькую оптическую контрастность и поэтому не могут быть проявлены фоторезистом. Основное преимущество металли зированных хромом фотошаблонов — их высокая износостойкость. Свойствами, которые обеспечивают их долговечность, являются твердость, хо рошая адгезия и химическая инертность металлической пленки. Первое свойство уменьшает возможность образования царапин на рисунке, следующие два обеспечивают возможность удаления фоторезиста такими растворителями, которые будут растворять изображения в эмульсионном слое. Обычно продолжительность использования хромовых фотошаблонов оценивают от 100 до 500 контактных экспонирований, в зависимости от условий работы н искусства оператора. Пленки фоторезиста, которые защищают пленки хрома в процессе вытравливания, примерно в 10 раз тоньше слоя эмульсии галоида серебра и по своей природе они не зернистого строения. Поэтому хромовые фотошаблоны потенциально обладают большей разрешающей способностью, чем липпмановские пластины. Однако для того чтобы реализовать это преимущество, рисунок изображения необходимо создать непосредственно на металлизированной хромом пластине, покрытой слоем фоторезиста, оптическими методами, с применением аппаратуры, обеспечивающей требуемую разрешающую способность. Для этих целей успешно были применены обращенные микроскопические объективы, кото- [c.587]

Фоторезист может экспонироваться любым источником света, имеющим достаточную мощность в области спектра, близкой к ультрафиолетовой. Большие по площади источники света применяются редко и только в случае использования подложек больших размеров. Свет от таких источников — рассеянный и не позволяет выявить мелкие детали рисунка, поэтому он применим только для разрешения широких линий (от 50 мкм до 0.5 мм). Рисунки с тонкими линиями экспонируются точечным источником света, например, от угольной дуги, лампы с высоким давлением, заполненной парами ртути, ксеноновой импульсной лампы, которые создают поток почти коллимированного света, если они находятся на достаточном удалении от подложки. Коллиматорные линзы необходимо отрегулировать эмпирически, потому что если свет отколлимирован тщательным образом, то он разрешает мельчайшие дефекты в защитном рельефе даже серебра, образуя таким образом островки или проколы в слое фоторезиста [62]. Однородность интенсивности света вдоль всей поверхности подложки получается лучше, если точечный источник удален на достаточно большое расстояние, чем в том случае, когда применяются коллиматорные линзы, особенно если эти линзы меньше рабочего поля изображения и если отсутствует апертура, которая перекрывает периферийные участки светового пучка [91]. [c.600]

Разрешение и точность рисунка в маскируюшем слое фоторезиста. Разработчиков, - анимающихся изготовлением тонких пленок, прежде всего интересуют следующие вопросы каковы наименьшие размеры рисунка, [c.614]

Адгезия фоторезиста и подтравливание. Для того, чтобы реализовать максимальные разрешение и тoчнotть в защитном покрытии фоторезиста, необходимо, чтобы рисунок находился под слоем фоторезиста и точно повторял рисунок, созданный в полимерном слое, как это показано на рис. 16,0. На практике таких идеальных случаев не встречается, потому что химические травители одинаково воздействуют на материал пленки как в горизонтальной, так и в вертикальной плоскостях. В поликристалли- [c.617]

Так, в фоторезист OMR-83, содержащий циклокаучук и диазид I, вводят 1-ЭТ0КСП-4-(4-N,N-диэтилaминoфeнилaзo)бeнзoл. Эта композиция, нанесенная на кремниевую подложку толщиной слоя 1 мкм, выдерживает 20-минутный нагрев перед экспонированием (60 или 80 °С) без заметного снижения поглощения слоя. После проявления слой обеспечивает разрешение 2,5 мкм и точно воспроизводит рисунок элементов щаблона. [c.149]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология