Примеси чистоту и форму кристалл

Наличие примесей может изменить форму кристаллов осадка, поэтому необходимо иметь в виду чистоту приме- 12 [c.12]

Германий (Гпл = 937°С) в принципе должен расти легче, чем кремний (Гпл = 1412°С), из-за его более низкой температуры плавления. Расплавы германия обычно содержатся прямо в графитовых тиглях, которые являются одновременно и приемниками индукционных токов при индукционном нагреве. При этом карбиды германия не образуются, а растворимость С в Ge при температуре плавления незначительна. Индукционный нагрев применяется чаще всего, так как в печах сопротивления выше вероятность загрязнения расплава. Для выращивания очень чистого Ge используется исходный материал наивысшей чистоты, полученный зонной плавкой. Бор — особенно вредная примесь в полупроводниках четвертой группы, где он действует как электрический акцептор. Поскольку его коэффициент распределения в Si близок к единице, он не оттесняется при обычной зонной плавке или при выращивании методом вытягивания. Загрязнение бором из графитовых тиглей может оказаться серьезной проблемой. Но для ядерных применений выпускается графит, почти свободный от бора, и он имеется в форме тиглей. Бор, первоначально присутствующий в исходном реактиве Si, можно удалить зонной плавкой в присутствии паров воды [56], которые селективно окисляют бор. Окисел же удаляют путем испарения. На фиг. 5.16 показано устройство для выращивания кристаллов Ge и Si методом вытягивания из расплава. Нагрев печи обеспечивается 10-киловаттным генератором, работающим на частоте 450 Гц, который нагревает графитовый приемник индукционных токов. Температуру измеряют термопарой Pt/Pt — 10% Rh в молибденовом колпачке, установленной в нужной точке приемника. Для создания требуемой атмосферы через трубу из плавленого кварца с герметичными латунными концевыми фланцами, охлаждаемыми водой, пропускают поток газа. Затравку зажимают в патроне на валу из нержавеющей стали, который [c.211]

В начале 80-х годов нашего столетия появилась серия работ под общим заголовком Полезные примеси для расщепления на оптические антиподы [31 [. Суть описываемого в этих работах метода заключается в том, что намеренно внесенная примесь задерживает рост одной из составных частей конгломерата. Используя специальный прибор, этим методом удается получать аминокислоты с оптической чистотой до 90%. Предложены также специальные приборы для удобного осуществления преимущественной кристаллизации энантиомера из рацемата. Т ич, описан [32] сосуд, в котором подвешены зародышевые кристаллы (- )-и ( —)-форм при перемешивании и медленном охлаждении раствора кристаллы постепенно растут. В другом варианте насыщенный раствор с суспензией рацемата циркулирует между двумя сосудами с разной температурой в более холодном из них подвешена затравка выделяемого энантиомера [33]. Таким путем удалось вырастить трехграммовый монокристалл гидробензоина почти 100%-ной оптической чистоты. [c.49]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология