Время прохождения спин-спиновой релаксации

Величина Т а определяется по наклону прямолинейного участка. Для определения значения Гзь необходимо строить дополнительный график зависимости логарифма разности значений Л между криволинейным и прямолинейным участками. По наклону получаемой прямой 2 вычисляется Тгь- Относительные содержания протонов в фазах (населенности ра и рь) соответственно равны Л1/Л0 и (Ло—ЛО/Ло. По мере дальнейшего прохождения реакции в отверждаемой композиции возникают три фазы с различной молекулярной подвижностью. Наличие третьей фазы проявляется в том, что вместо прямой 2 на рис. 15.10 получается график, аналогичный кривой 1. Обработка этого графика, как и в случае двухфазной системы, позволяет определить населенность третьей фазы Рс и времена релаксации Ггь и Т с- Время спин-спиновой релаксации третьей фазы Ггс наиболее короткое и близко к Тг отвержденного олигомера. Населенность этой фазы рс соответствует относительному содержанию сшитого олигомера. [c.230]

Во многих случаях оказывается удобным сочетать импульсное насыщение с методами, позволяющими наблюдать распределение спиновой температуры вдоль неоднородной линии. В этих методах регистрируется форма сигналов поглощения или дисперсии в условиях быстрого прохождения. Обычно магнитное поле модулируется таким образом, что амплитуда модуляции больше ширины неоднородной линии, а время прохождения через линию много меньше времени спин-решеточной релаксации. Синхронно с частотой модуляции осуществляется импульсное насыщение небольшого участка линии ЭПР. [c.128]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология