Эффекты ионизация атомных дефектов

Как уже упоминалось в разделе VH.4, ионизацию доноров и акцепторов в полупроводниках и захват заряженных носителей тока на ионизированных центрах также можно представить в виде реакций диссоциации и образования пар. В соответствии с этим, для описания таких процессов можно использовать поправки Дебая — Хюккеля точно таким же способом, как это было показано выше для образования пар между атомными дефектами. Харви рассмотрел с этой точки зрения процесс ионизации доноров в германии и смог объяснить уменьшение эффективной энергии ионизации с увеличением концентрации [60]. Кроме того, этот эффект проявляется также в уменьшении ширины запрещенной зоны. [c.212]

Когда собственный атомный дефект или примесный атом способен связывать или отдавать больше одного электрона, состояние полного равновесия можно описать, только учитывая дополнительные реакции ионизации. Мы уже встречались с дважды ионизированными вакансиями в германии в разделе Х1.2. В настоящем разделе показано, что двукратная ионизация может вызывать новый интересный эффект — изменение механизма внедрения примесных атомов при изменении их концентрации . [c.264]

По данным Рудольфа равновесие кристалл — пар замораживается при Г1 < 900° К. Следовательно, изменение электропроводности с температурой, наблюдаемое ниже 900° К, обусловлено а) ионизацией или деионизацией доноров или акцепторов, б) изменением подвижности, в) эффектами ассоциация — диссоциация и осаждение — растворение атомных дефектов. Мы пока не будем учитывать эффектов, [c.415]

СТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ - анализ структуры материала и его дефектов. Для исследования атомно-кристаллической структуры исполт,зуют дифракцию и рассеяние рентгеновских лучей (см. Рентгеноструктурный анализ), электронов (см. Электронографический анализ) и нейтронов (см. Нейтронографический анализ). Получили распространение методы анализа с использованием ориентационных эффектов при рассеянии тяжелых заряженных частиц (см. Ме-тодом ориентационных аффектов анализ), а также автоионный микроскопический анализ, в к-ром используют ионизацию атомов (или моле-ку.т) газа в неоднородном электр. поле у поверхности образца. При рассеянии потоков излучений атомами, находящимися в узлах идеальной кристаллической решетки, возникают резкие максимумы и диффузный фон вследствие комптоновского рассеяния. По положению и интенсивности максимумов определяют тип кристаллической решетки, размеры элементарной ячейки и расположение атомов в ней. Нарушения идеальности кристалла, напр, колебания атомов, наличие атомов различных хим. элементов, дислокаций, частиц новой фазы и др., изменяют положение, форму и интенсивность максимумов и вызывают дополнительное диффузное рассеяние, что дает возможность получать информацию об этих нару-шеннях. Дифракционными методалш изучают также строение веществ (напр., аморфных), пе обладающих строгой трехмерной периодичностью. Теории дифракции всех излучений имеют много общего, в то же время в них есть особенности, обусловли- [c.470]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология