Строение молекулярных решёток

Как Мы видели, успех модели атома Резерфорда-Бора выдвинул на первый план электрическую трактовку природы как внутриатомных, так и молекулярных сил. На основе этих представлений удалось построить электростатическую теорию строения кристаллической решётки (Борн), ван-дер-ваальсовых сил (Дебай, Кеезом) и поверхностных адсорбционных сил (Ильин, Тарасов, Семен-ченко). [c.33]

Закон термоэлектронной эмиссии можно также найти и методами волновой механики, решая задачу о прохождении электронной волны через границу металл — вакуум. Результаты такого решения, данные Фаулером и Нордгеймом [154, 162—164], совпадают с формулой (42) и позволяют сделать некоторые заключения о коэффициенте I) и его зависимости от формы потенциального барьера. Форма же потенциального барьера зависит от природы металла (от конфигурации кристаллической решётки и от строения атомного электрического поля данного металла), а также от наличия тех или иных посторонних молекулярных слоёв на поверхности металла. Эта форма, вообще говоря, неизвестна. При подсчёте коэффициента прозрачности О её апроксимируют [c.92]

Учитывая изложенное выше, нам канчется пелесообразным объединить в группе II молекулярно-атомные 8, Р, 8е, Ав, Те, 8Ь и молекулярно-металлические структуры Б1, Ро, Са, 1п, Т1, IIg. Эти 12 элементов образуют не менее 8 разных типов, перечисленных выше, отражающих индивидуальные особенности строения атомов. Они отличаются также особо ярко выраженной тенденцией к образованию своеобразных а.тиютропических форм как в твёрдом, так и в жидком состоянии в разных фазах этих веществ возникают сложные равновесные состояния, в которых одна форма переходит в другую, вторая —в третью. Наблюдаются колебания валентных углов, вследствие компромисса между силовым по.тем решётки и внутренним силовым полем молекулы. [c.358]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология