Рентгеновское рассеяние малоугловое, зависимость Гинь

Нейтронное рассеяние от растворов может быть проанализировано таким же образом, как и малоугловое рентгеновское рассеяние. Из зависимости Гинье [уравнение (14.36)], построенной для малоуглового рентгеновского или нейтронного рассеяния, можно получить радиус инерции рассеивающего объекта в силу того, что рассеяние от него контрастирует с рассеянием от растворителя. [c.439]

В настоящей работе методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей исследована молекулярная структура гептана и четыреххлористого углерода в жидком состоянии. Измерение угловой зависимости интенсивности рассеяния углеводородами выполнено на дифрактометре КРМ-1 с программным устройством в GuZa-излучении, в интервале углов 0,5 10 —3,5 10" paд при температуре 293 К. Для каждого угла рассеяния регистрировалось не менее 3 10 импульсов. Сглаживание кривых рассеяния проведено па ЭВМ методом частотного фильтрования [9], после чего вносилась поправка на коллимационные искажения [10]. Радиусы инерции (Rg) областей неоднородности электронной плотности определены по методу Гинье [11] из величины углового коэффициента зависимости 1п/(е) от и методом многократного рассеяния [12]. Максимальный размер и форма рассеивающих частиц определены по положению максимумов функции рассеяния [13] и асимптотическому поведению интенсивности малоуглового рассеяния/(е ") [14]. [c.114]

Изучение блочных полимеров методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей показывает существование по крайней мере одного максимума, положение которого примерно соответствует толщине пластин в единичных кристаллах (см., например, работы Бельбойха и Гинье - ). Селла считает, что дифракционный максимум в картине рассеяния рентгеновских лучей под малыми углами является следствием периодичности и регулярности в укладке микропластин, наблюдаемых электронномикроскопическими методами. Путем тщательного отжига образцов, закристаллизованных из расплава, Манделькерн смог получить образцы, в которых существовало несколько порядков в регулярности расположения слоев, приче.м их толщина изменялась в зависимости от условий приготовления (температуры отжига) от 150 до 850 А. Верхний предел определенных нм значений значительно больше, чем шаг по толщине, наблюдаемый в монокристаллах, полученных из разба вленных растворов. Результаты Манделькерна хорошо объясняются исходя из представлений об образовании [c.209]