Неорганические резисты

Высокомолекулярные пленки образуются главным образом на предварительных стадиях или из загрязненных промывных или гидрофобизирующих реактивов. Неорганические загрязнения (оксиды, соли, вода и т. п.) могут возникать в операциях с материалом на воздухе из загрязнений контейнеров, печей, в результате действия избытка кислорода при плазменной обработке или предварительном нагреве подложки. Частое явление — адсорбция воды. Загрязняющие чужеродные частицы могут быть остатками резиста от предыдущих операций, перхотью или волосами при ручных операциях, а также попадать из растворов и реагентов. [c.16]

В большинстве полимерных резистов используются аморфные полимеры, физико-химические свойства которых определяются конформацией полимерной цепи или ее сегментов. Молекулярное движение полимерной цепи или ее сегментов зависит от температуры. При повышенных температурах возрастает число степеней свободы цепей, что может вызвать течение, и полимер ведет себя как вязкая жидкость. При понижении температуры движение сегментов полимерной цепи уменьшается, а при температуре стеклования Тс полностью прекращается. Ниже Гс полимерный материал приобретает характеристики стекла. Подобное явление наблюдается и у неорганических полимеров, например у силикатного стекла. Тс определяется подвижностью и гибкостью полимерной цепи и до некоторого предельного значения ММ полимера является характеристикой материала. Так как подвижность сегментов полимерной цепи связана со сменой конформации и зависит от времени, то конформация полимерной цепи никогда не является равновесной для достижения равновесия необходимо бесконечно большое время. [c.21]

Термин неорганические резисты впервые использовал Син-клэйр с сотрудниками [138] при изучении РегОз. Облученный потоком электронов материал в этом случае растворяется в 6М H l несравненно медленнее, чем необлученный, и ведет себя как негативный резист. Чувствительность, однако, по сравнению с органическими резистами гораздо ниже. [c.266]

Интерес к неорганическим резистам возрос после опубликования ряда работ [139, пат. Великобритании 1151310, 1376836], показавших, что аморфные халькогенидные стекла при облучении УФ-светом или электронным излучением ведут себя как резисты. Пленки GeS jr наносят на подложку вакуумным испарением или из раствора и покрывают тонким слоем серебра (около 0,1 мкм) погружением пленки в водный раствор AgNOa. Аморфные халькогенидные пленки легко растворяются в водных растворах как неорганических, так и органических оснований. Сразу же после облучения резиста УФ-светом или электронным излучением серебро [c.266]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология