Двойниковая структура высокотемпературных сверхпроводников

Двойниковая структура высокотемпературны сверхпроводников [c.238]

Экспериментальное исследование двойниковой структуры высокотемпературных сверхпроводников. Как уже отмечалось, материалы с высокотемпературной сверхпроводимостью часто являются гетерофазными системами с развитой двойниковой структурой, В настоящее время не вызывает сомнений тот факт, что двойниковая структура существенно влияет на сверхпроводящие характеристики этих материалов, К тому же пока не удается получить сколько-нибудь массивных кристаллов с высокотемпературной сверхпроводимостью без развитой двойниковой структуры. Она была обнаружена уже в первых исследованиях материалов с высокотемпературной сверхпроводимостью и стала одним из основных объектов исследований их структуры. Наиболее детально двойниковая структура изучена в материалах с высокотемпературной сверхпроводимостью типа УВа2Сиз07 с, или сокращенно 1—2—3 (подробнее см. обзор [487]). [c.238]

Сходство двойниковых структур высокотемпературных сверхпроводников с двойниковыми структурами в материалах, испытывающих мартенситные превращения или сегнетоэластические фазовые переходы (например, в [511] кристалл Y-Ba- u-0 рассматривается как представитель сегнетоэластиков), позволяет думать, что и механические свойства сравниваемых материалов подобны, и в высокотемпературных сверхпроводниках, в частности, также возможны проявления обратимой пластичности, Для ее реализации границы раздела должны обладать определенной подвижностью во внешних полях, Ниже мы рассмотрим с этой точки зрения имеющиеся экспериментальные данные, обсудим уже зарегистрированные проявления обратимой пластичности высокотемпературных сверхпроводников и обсудим возможные механизмы ее реализации. [c.244]

Окончательное решение вопроса о роли двойниковых границ в высокотемпературных сверхпроводниках требует детального экспериментального изучения изолированных двойниковых границ. В любом случае, следуя [511], можно отметить, что, хотя в несдвойникованных кристаллах -Ва-Си-0 может наблюдаться высокотемпературная сверхпроводимость, несдвойникованное состояние является нестабильным, и кристаллы V—Ва—Си—О, как правило содержат густую сеть двойниковых границ. Поэтому любое последовательное теоретическое рассмотрение высоко температурных сверхпроводников не может игнорировать эту фyндaмeн- тальную Особенность их структуры ). [c.243]

Покажем, что немалую роль в обратимой пластичности высокотемпературных сверхпроводников может играть псевдодвойниковавде. Рассмотрение перемещения двойникующей дислокации в решетке У-Ва-Си-О (рис. 9.11) приводит к вьшоду [524], что сдвойникованная структура является зеркальным отражением материнского кристалла (истинным двойником отражения), если одновременно с двойниковым сдвигом ато- Мов будет происходить диффузионный перескок атомов кислорода в базисной плоскости из позиции 6 в позицию Л Быстрое перемещение двойниковой границы, за которым не успевают следовать диффузионные процессы, будет приводить к воз1Шкновению разупорядоченной структуры (псев до двойника) с избыточной объемной энергией. В этом случае (см. 1Я, 6) возможна сверхупругость, по внешним проявлениям подобная сверх- [c.247]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология