Кристалл материнский

Рис. 1.1 Сферическая область материнского кристалла единичного радиуса после двойникования превращается благодаря послойному относительному сдвигу х в эллипсоид вращения - плоскость двойникования, -П] - направление сдвига, — второе круговое сечение эллипсоида, - угол наклона большой оси эллипсоида по отношению к плоскости

При построении количественной теории образования трехмерных и двумерных зародышей в процессе электрокристаллизации металлов М. Фольмер и Т. Эрдей-Груз исходили из представлений о механизме возникновения новой фазы из пересыщенных раствора или пара, согласно которым работа образования зародыша новой фазы тем меньше, чем меньше его размеры. Однако с уменьшением размеров зародыша возрастает химический потенциал слагающего его компонента, поскольку при малых размерах зародыша относительно велико число поверхностных атомов, обладающих повышенной энергией. При образовании новой фазы в равновесных условиях химические потенциалы каждого компонента в обеих фазах должны быть равны. Для выполнения этого условия необходимо повысить химический потенциал компонента в материнской фазе, что достигается при пересыщении раствора или пара по данному компоненту. Пересыщение — главная особенность процесса образования новой фазы. Степень пересыщения и размеры элемента новой фазы, который при этом может возникнуть и служит зародышем для роста больших кристаллов или капель, оказываются взаимосвязанными. Так, при образовании капель жидкости из пересыщенного пара радиус г капли определяется соотношением Томпсона [c.328]

Чистые цеолиты бесцветны. Кристаллы некоторых природных образцов так прозрачны, что их трудно разглядеть в материнской породе. Появление окраски у минералов объясняется присутствием в них небольшого количества примесей например, в розовом шабазите, найденном в Новой Шотландии (Канада), содержится железо. [c.400]

Дислокации и дислокационные (мозаичные) границы. Помимо дислокаций как таковых в качестве дефекта, связанного с ними, следует упомянуть включения материнского раствора, которые могут располагаться в каналах вдоль дислокаций с большим вектором Бюргерса. Отличительная их особенность в том, что они образуют цепочки, секущие зоны роста. Так, более или менее правильные сетки вытянутых включений в виде пространственного скелета или спиральные цепочки включений, видимо, дислокационного происхождения наблюдаются иногда в кристаллах бромата натрия. [c.129]

В случае кристаллов все не так просто — для полного описания необходимо знать также расположение молекул, так как образования из равного числа молекул могут быть чрезвычайно разнообразными по форме. Это многообразие, к счастью, ограничивается практическим исключением большинства возможных форм — остаются лишь те, свободная энергия которых близка к минимальной. Этот отбор происходит как путем обмена молекулами между материнской фазой и зародышевым агрегатом, так п путем обмена местами поверхностных молекул на последнем. Обме н местами, согласно с. 58, происходит значительно [c.154]

При пользовании только шлифованными кристаллами наблюдение тонкой структуры рентгеновских рефлексов затруднительно. Восстановление четкости рентгеновских рефлексов наступает после тщательной полировки шлифованных кристаллов. Это наблюдается также и на кристаллах каменной соли и находится в полном согласии с многочисленными электронографическими наблюдениями и результатами рентгенографических исследований, в которых наблюдались сходные явления на кристаллах кварца и топаза. Авторы этих исследований объясняли наблюдавшиеся ими явления частичной рекристаллизацией поверхностных слоев полированного слоя вещества на поверхности материнского кристалла. [c.50]

Изотермы сорбции имеют петли гистерезиса и ступени на обеих ветвях. Часто наличие ступеней на ветви сорбции связано с изменениями решетки, эквивалентными образованию зародышей новой фазы, богатой молекулами- гостями , на поверхности или в матрице старой фазы. Наличие ступеней на ветви десорбции свидетельствует об образовании зародышей фазы, бедной молекулами- гостями , на поверхности или в матрице. фазы с большим содержанием этих молекул. В обоих случаях для деформации и преодоления поверхностного натяжения на поверхности раздела частиц новой фазы и старой матрицы необходима затрата энергии извне. Именно поэтому происходит задержка появления стабильных частиц новой фазы как в процессе сорбции, так и в процессе десорбции, что и является причиной гистерезиса. Такие гистерезисные петли могут быть воспроизводимыми, но воспроизводимость их может зависеть от числа циклов сорбция — десорбция, через которые проходит система. Отдельные гистерезисные петли имеют непрямоугольную форму вследствие того, что образующиеся зародышевые центры (ядра) могут иметь различную форму, а кроме того, они могут возникнуть в разных местах на тонкоизмельченных материнских кристаллах. Таким образом, может произойти перераспределение напряжения и поверхностного натяжения для различных зародышевых ядер, и из этих зародышей развиваются ядра во всем интервале давлений, что и обусловливает появление на изотермах нечетко выраженных ступеней. [c.365]

Рис. 1.8. Схема механического двойникования под действием толкателя со скошенным торцом а - толкатель касается границы двойникованной части с материнским кристаллом, что приводит к образованию упругих двойников, превращающихся в тонкие двойниковые прослойки (получается полисинтетический двойник) б - толкатель касается только двойникованного материала, что приводит к утолщению одной двойниковой прослойки

При деформации полисинтетического двойникового включения одновременно с увеличением толщины пакета двойниковых включений происходит уменьшение толщины промежуточных прослоек материнского кристалла. При этом обнаружено, что при постоянной нагрузке скорость уменьшения толщины прослоек, начиная с некоторого их значения, резко возрастает. По-видимому, с уменьшением толщины прослойки сопротивление двойникованию снижается. Подобное явление наблюдается при отжиге кристаллов натриевой селитры, когда исчезают тонкие двойникованные при комнатной температуре прослойки [45]. [c.28]

Полученные результаты позволяют сделать выводы, что физическая толщина границы (под толщиной границы мы будем понимать область, в которой энергия атомов существенно отлична от ее значения в объеме материала) оказалась сравнительно малой - несколько атомных слоев. Начиная с расстояний от границы За и глубже (а — постоянная решетки) в сторону двойника и материнского кристалла, энергия атомов практически не меняется. Это значение (порядка 10 эВ/атом) принималось за фоновое значение. Фоновое значение энергии может возникать вследствие приближенного характера потенциала и наличия малых колебаний атомов. [c.42]

При всех преимуществах метод эманирования имеет ряд ограничений. Так, например, этот метод не позволяет получать данные о подвижности собственных ионов кристаллической решетки материнские радиоактивные вещества, порождающие при своем распаде эманацию, очень часто не способны давать смешанные кристаллы с изучаемым веществом и, следовательно, не могут быть абсолютно равномерно распределены по всему объему наконец, в ряде случаев атомы материнского элемента при нагревании вытесняются на поверхность кристалла, и тем самым область изучаемых температур становится ограниченной., Поэтому исследование явления эманирования необходимо дополнять изучением процесса миграции собственных ионов кристаллической решетки и ионов примесей. [c.770]

Если молекулярные ио ы возникают в результате адиабатических -переходов и их свободные электронные уровни оказываются выше занятых уровней материнских молекул, то такие ионы могут сохраняться- в матрицах кристаллической решетки материнских веществ. Растворение кристаллов материнских веществ, содержащих эти ионы, в малополярных растворителях приводит к ассоциации их с нротивоионами и к образованию продуктов стабилизации молекулярных ионов R3P0X. [c.75]

Рис. 1.2. Расположение атомов в плоскости сдвига кальцита слева - материнская часть, справа - двойник. Строение границы показано условно ОЕ - плоскость двойникования, ОВ и ОБ - плоскости спайности, ВС и В С - ребра ромбоэдров материнского и сдвойникованного кристаллов, 1 - углерод, 2 - кальций, 3 кислород. Стрелки показывают направления двойникующих усилий

В заключение остановимся на вопросе зарождения бразильских двойников. Из природы этих образований следует, что они имеют чисто ростовое происхождение и не могут быть получены деформационным путем. Трудно представить, чтобы структура правого кварца трансформировалась в структуру левого в результате подвижек атомов. Если такие превращения и возможны, то, во-первых, маловероятно, чтобы они захватывали достаточно большие объемы кристалла, и, во-вторых, для своего существования они, очевидно, требуют больших энергий и поэтому вряд ли возможны в условиях роста а-кварца. Ростовое происхождение бразильских Двойников подтверждается тем наблюдением, что во всех описанных случаях они образуются преимущественно на гранях, обращенных вверх во время роста кристалла. Это проще всего объяснить, предположив спонтанное зарождение энантиоморфных микрокристаллов в растворе, их оседание на обращенные вверх грани н прирастание своими / -гранями к плоским микроучасткам / -граней материнского кристалла в двойниковой ориентации. Такой способ зарождения бразильских двойников позволяет легко объяснить их образование в пирамидах <Я> и <с>, значительно труднее— в пирамидах <г> и <—х>, поскольку представить, что на соответствующих гранях могли формироваться хотя бы микроуча-стки граней Я, невозможно. [c.107]

Рпс. 1-32. Субипдивиды разной формы в теле материнского кристалла. [c.58]

Послехиее выражение является следствием простого баланса вещества, переходящего иа материнской фааы в дочернюю, i.e. в кристаллы. С другой стороны, выражение ддя при т можно получить, интегрируя третье уравнение системы (29) и [c.299]

Состав, величина п форма зародышей смешанного кристалла определяются т. п. компонентов материнской фазы I. Расчет Ау аналогичен расчету для одноколшонентного кристалла Ау = = 2 (fii — fXnoo)q-Уравнение (28) дехктвительно для каждого [c.100]

Значительную роль играет недостаточность применяемых методов исследования и неопределенность в истолковании полученных результатов. Кинетический анализ, которым часто пользуются для истолкования каталитических опытов, лишен полной однозначности, и поэтому на основании видимой кинетики процесса мы не можем с достоверностью судить о его элементарном механизме (см. доклад автора Скрытые параметры в катализе и обобщение теории промежуточных продуктов ). Мы также не имеем возможности на основании таких важных методов анализа, как рентгеновский, электронографический и др., судить об активных центрах катализатора, так как все эти методы по существу анализируют материнскую кристаллическую фазу катализатора. Мы не можем шаблонно переносить на каталитический объект обычные представления теории твердого тела, так как они не учитывают особый характер поверхности каталитически действующих кристаллов. По той же причине мы не можем довольствоваться элементарной аналогией между дефектами решетки и каталитически активными местами. Все эти сближения и анад огии требуют самого строгого и тщательного анализа (см. об этом доклад О. М. Полторака). [c.189]

Определение коэффициентов диффузии собственных ионов и атомов п римесей существенно важно для изучения структуры реального кристалла и для наблюдения протекающих в нем процессов. Диффузионный анализ в ряде случаев существенно дополняет нащи знания, полученные при помощи других, ставщих классическими, методов — рентгеноструктурного и термического анализа, определения внутренней поверхности и пористости по адсорбции наров или красителей и т. д. Весьма своеобразным вариантом диффузионного метода является эманационный метод, основанный на диффузии радиоактивной эманации из твердого образца. Следует отметить, что эманационная способпость есть функция температуры, величины внутренней поверхности, кристаллической структуры и т. д. Нри всех достоинствах эманационного метода он содержит ряд ограничений, так как не дает прямых сведений о подвижности собственных элементов кристаллической решетки материнские радиоактивные вещества, порождающие при своем распаде эманацию, очень часто неспособны давать смешанные кристаллы с изучаемым веществом и, следовательно, не могут быть абсолютно равномерно распределены по всему объему. Наконец, в ряде случаев они вытесняются при прогреве на поверхность кристалла, и тем самым область изучаемых температур становится ограниченной. Поэтому эманационный метод необходимо дополнить изучением процесса диффузии собственных и примесных ионов решетки. [c.321]

A. Posteimann [377], 72, А, 1937, 401-440. Об эффекте ориентации таких включений, проросших в материнский кристалл, см. С. Конобеевский [612], [c.233]

Ионы алюминия и кремния в растворе затем вступают в реакцию с образованием кристаллических соединений — типичных силикатов выветривания при низких температурах . Там, где происходит эта ионная реакция, новые соединения могут образовывать псевдоморфозы внутрй или вокруг материнских кристаллов, но они могут также кристаллизоваться и самостоятельно. Наконец, ионы могут отделиться, например ионы кремния могут быть удалены, а остающиеся ионы алюминия образовать гидроокисные осадки, например латеритовые почвы. Разумеется, что ионные реакции, приводящие к таким кристаллизациям, протекают гораздо быстрее, чем коллоидные, даже при более высоких температурах, например при низкотемпературных гидротермальных условиях. Синтез каолинита и монтмориллонита, описанный Ноллем (см. С. I, 133), представляет собой превосходный пример этих различных скоростей реакции. [c.298]

Если одна из двойниковых структур занимает незначительную часть кристалла, ее называют двойниковой прослойкой или включением, остальную часть материнским кристаллом Кртсталл, пронизанный параллельными двойниковыми прослойками называют полисинтетическим двойником. Двойники возникают в процессе роста кристаллов (двойники роста), под действием внешних нагрузок (Механические двойники), при нагревании деформированных кристаллов (двойники отжига или рекристаллизации), при фазовых превращениях (особенно мартенситного и сегнето- [c.13]

Уделили внимание двойникованию кальцита Брюстер (1816), Пфаф (1859), Ройш (1867—1872), Розе (1868), Баумгауэр (1878), Бре-зина (1880), Мюгге (1883) и другие. Ими сделан ряд наблюдений и установлено, что двойниковые включения в кальците имеют оптические свойства, идентичные оптическим свойствам материнского кристалла. Фогт (1890) сопоставил упругий сдвиг, приводящий к образованию двойниковых прослоек в кальците, со сдвигом при двойниковании и нашел, что упругий сдвиг примерно в тысячу раз меньше. [c.16]

А. Стадия утолщения двойника. Утолщение происходит под действием напряжения сдвига, распределенного по пограничной поверхности двойникового включения. В полисинтетическом пакете утоли ение двойниковых прослоек связано с соответствующим уменьшением толщины прослоек материнского кристалла. Такое утолщение может быть легко доведено до полного устранения прослоек материнского кристалла и образования весьма толстых прослоек двойника. (Мюгге даже утверждал, что ему удалось полностью превращать образец кальцита двойник.) [c.20]

Дальнейшее увеличение нагрузки приводит к переходу ко второй стадии. Рядом с упруго сжатой частью образца возникает упругий двойник, из которого образуется при дальнейшем повышении нагрузки тонкая пластина двойникового включения, т.е. завершается вторая стадия двойникования. Продолжая этот процесс, можно получить полисинтетический, двойник, представляющий собой ряд пластинчатых двойниковых включений, разделенных пластинами материнского кристалла.. Толщина каждой из этих пластин примерно равна ширине зоны упругой аккомодации, которая в свою очередь зависит от твердости кристалла и толкателя, угла поворота поверхности при двойниковании, угла наклона поверхности толкателя, сосредоточенной нагрузки, вызьшающей переход от первой стадии ко. второй. Чем меньше угол наклона поверхности толкателя, тем тоньше и прослойки материнского кристалла такого полисинтетического двойника [36]. [c.24]

Наибольший интерес проявили многие исследователи ко второй стадии двойникования — появлению и свойствам упругих двойников, Обрей-MOB и Старцев [64j тщательно измеряли нагрузку, длину, ширину и толщину упругих двойников. Постановка ими опыта, форма и размеры образцов, способ нагружения и наблюдения почти точно соответствовали работе [31]. Получены числовые значения толщины упругого двойника А, работы образования упругого двойника и поверхностного натяжения на границах упругого двойника с материнским кристаллом скдв = 1,2 Дж/м . Плот- [c.24]

В отличие от дислокации Владимирского (см. рис. 2.2), которая расположена на. границе войник - материнский кристалл и является элементом такой границы, рассматриваемая дислокация типа Шокли является краем одноатомной двойниковой прослойки и может быть расположена только на переднем конце двойника — в его голове. Но векторы Бюргерса этих дислокаций совпадают, и с точки зрения дислокаций в упругой среде они эквиваленгаы. [c.53]

Сила неупругого происхождения включает в себя и силу поверхностного натяжения. Очевидно, что действие такой силы испытьшают лишь дислокации, расположенные только на конце двойника. В самом деле, добавление одной дислокации в той части двойника, ширина которой имеет макроскопические размеры, практически не меняет поверхности раздела материнского и сдвойникованного кристаллов и не изменяет сушественно поверхностную энергию. В то же время добавление одной дислокации у острия двойника, где границы раздела удалены одна от другой на несколько атомных слоев, может значительно изменить соответствующую поверхностную энергию. Это предположение подтверждается качественным рассмотрением [167]. В работе [1671 показано, что межфазная поверхностная энергия в двойнике существенно уменьшается с увеличением числа атомных слоев, перешедших в двойниковое положение. В частности, оказьшается, что уже трехслойный двойник практически можно рассматривать как таковой, обладающий двумя когерентными двойниковыми границами. К подобному же выводу приводят и результаты математического моделирования многослойных дефектов упаковки и двойниковых границ [128]. [c.56]

В [76J был предложен следующий механизм размножения дефектов при многократном возвратно-поступательном перемещении двойниковой границы через покоящуюся полную дислокацию. Известно [218], что полные дислокации в кальците включаются в двойник неконсервативно. Поскольку должен выполняться закон сохранения вектора Бюргерса, то На двойниковой границе должна существовать дислокация, несутцая дефект вектора Бюргерса ). Многократное включение полной дислокации поочередно то в двойник, то в материнскии кристалл приводит к размножению дефектов. В каждом 1ЩКле ситуация полностью воспроизводится (по крайней мере на начальных этапах циклирования). Поэтому плотность возникающих дефектов Рд>= п (п число циклов), а поскольку Д5 VPn = <Уэф — So , го AS y/n, что и обнаруживается в эксперименте. Из соотношения дая длины заклинивания i з [c.102]

Таким образом, двойник действительно, как это предполагалось и в теории Лифишца, кончается острым клювом . Плавное смыкание берегов материнского кристалла должно происходить (если проэкстраполировать на нуль прямую на рис. 4.13) на расстоянии микрометра впереди первой экспериментальной точки. На этом участке сосредоточено около 100 дислокаций, т.е. среднее расстояние между дислокациями на кончике двойника составляет бОй. Более опасным районом является участок на рис. 4.12 в районе перегиба функции Н (х), но и здесь расстояние между дислокациями не менее 20Ь. Следовательно, рЬ (1 - 5) Ю" . Критичными для дислокационной теории тонких двойншсов являются значения рЬ . [c.107]

Однако следует указать на принципиальное различие между упругим Двойникованием и резиноподобным поведением. Если при упругом двойниковании движущей силой процесса является в первую очередь поверхностное натяжение двойниковой границы, то в случае резиноподобного поведения — это объемная сила, связанная с различием свободных энергий двойника и материнского кристалла (например, вследствие разупоря-дочения матрицы в ходе передвойникования). [c.171]

Покажем, что немалую роль в обратимой пластичности высокотемпературных сверхпроводников может играть псевдодвойниковавде. Рассмотрение перемещения двойникующей дислокации в решетке У-Ва-Си-О (рис. 9.11) приводит к вьшоду [524], что сдвойникованная структура является зеркальным отражением материнского кристалла (истинным двойником отражения), если одновременно с двойниковым сдвигом ато- Мов будет происходить диффузионный перескок атомов кислорода в базисной плоскости из позиции 6 в позицию Л Быстрое перемещение двойниковой границы, за которым не успевают следовать диффузионные процессы, будет приводить к воз1Шкновению разупорядоченной структуры (псев до двойника) с избыточной объемной энергией. В этом случае (см. 1Я, 6) возможна сверхупругость, по внешним проявлениям подобная сверх- [c.247]

Если подвергать деалюминированные цеолиты термопаровой обработке при повышенных до 900 °С температурах, то внутри кристаллов цеолита образуется вторичная регулярная мезопористость с очень узким распределением мезопор по размерам. Образование внутри-кристаллической вторичной пористости обусловлено перераспределением кремнекислородных комплексов деалюминированного цеолита равномерно по всему объему кристалла Пары воды при высокой температуре гидролизуют 51—О—81-связи и после недалекой миграции частиц кремнегидроксокомплексов происходит их конденсация в структурных вакансиях решетки с выделением реакционной воды. Такой процесс сопровождается образованием регулярно чередующихся пустот с размерами, равными удвоенному параметру элементарной ячейки и кристаллической фазы цеолита материнской структуры, но чисто кремнеземного состава. Удельный объем обра- [c.43]

При бомбардировке твердых хлориридатов образуется (в случае Na.Jr lg X ХбН. О) семь меченных радиоиридием веществ, разделяемых электрофорезом на бумаге. Одно из этих веществ было легко идентифицировано как материнское, другие не были с определенностью идентифицированы, но, вероятно, являлись смесью акво-хлорокомплексов и Ir ". Большая трудность этой работы заключалась в синтезе этих малоизвестных веществ. По крайней мере пять из наблюдаемых ников изменялись нри отжиге активированных нейтронами кристаллов, причем три показывали спад к плато, один — падение и затем медленное поднятие и один (материнское вещество) — увеличение согласно кинетическому уравнению первого порядка. [c.120]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология