Граница двойниковая когерентная

Рис. 2.7. Получение модели когерентной двойниковой границы с плоскостью двойникования (112) путем проведения двойникового сдвига. Показаны смещения лишь в ближайших к границе двух атомных слоях (штриховыми линиями отмечены периоды идентичности, используемые при учете циклических граничных условий)

Выделяют двойниковые границы когерентные и некогерентные. Когерентной граница называется в том случае, если соприкасающиеся решетки двух индивидов двойника обладают общим атомным слоем в противном случае границы некогерентные (рис. 1-4). В случае некогерентной границы вдоль нее имеется деформированная область приспособления . Граница между индивидами двойников роста может представлять собой индукционную поверхность, и вдоль нее могут располагаться включения раствора (например, у двойников винной кислоты). [c.10]

У многофазных сплавов отдельные фазы имеют различные кри-у сталлические решетки. Однако если две различные фазы имеют плоскости с близкими межатомными расстояниями (эти плоскости могут иметь различные кристаллографические индексы в каждой фазе) и расстановка атомов на их границах подобна или тождественна, то возникает их совершенное соединение. Такие границы (и фазы, разделенные ими) называются когерентными и имеют малую энергию. Часто такая ориентация создается между выпавшей фазой и основным твердым раствором. Когерентными являются, например, и границы двойниковых кристаллов в том случае, если они совпадают с плоскостью двойникования. [c.43]

Рис. 2.8. Зависимость энергии атомов от расстояния до когерентной двойниковой границы ( ф - энергия атома вдали от границы двойника). Плоскость границы соответствует координате л = О

Рис. 2.9." Распределение смещений атомов вблизи когерентной двойниковой границы (иф -.смещение атома вдали от границы двойника). За исходные положения атомов приняты их позиции в начальной конфигурации при наличии геометрически-резкой границы

Рис. 2.10. Распределение напряжений вблизи когерентной двойниковой границы

Математическое моделирование (см. гл. 2) показало, что когерентная двойниковая граница и сама по себе является источником больших локальных напряжений, поэтому наличие какой-либо неоднородности на границе может приводить к образо-ванию двойникующих дислокаций на том отрезке границы, который находится вдали от поверхности (образование двойникующих дислокаций на границе внутри кристалла на неоднородностях обсуждалось в [58,146,232,240]). Для применимости развитой выше модели необходимо лишь, чтобы на исследуемом участке границы были преимущественно дислокации одного знака. [c.116]

При переходе объемной части кристалла в сверхпроводящую ромбическую фазу двойниковая граница по предположению [506, 507] остается не ромбической. Как построение в работе [500], так и сформулированное предположение приводят к выводу, что двойниковая граница в 1-2-3 может проявлять себя как слой диэлектрика, Дополнительным соображением в пользу этого вывода является наблюдающееся нарушение стехиометрии в двойниковой границе [508], Толщина двойниковой границы оценивается в 30-50 А, т.е. она не меньше длины когерентности (0) (см., например, [509]). Разными методами оцененная и измеренная длина когерентности [506, 509] оказывается всегда сравнимой с периодом кристаллической решетки 1—2—3, [c.242]

В структуре алмаза плоскости 111 являются единственно возможными когерентными двойниковыми границами в германии двойники представляют собой очень тонкие пластинки (ламели), которые возникают самопроизвольно в толще кристаллов, образующихся при неконтролируемой кристаллизации переохлажденного расплава. Наличие двойниковых прослоек в кристаллах германия лежит в основе быстрого роста дендритов. [c.235]

Второй путь может быть назван кристаллографическим (или теоретическим). Как уже упоминалось, бразильские двойники характеризуются параллельным расположением осей 3 и антипараллельным расположением осей 2. Такая взаимная ориентация структур может быть получена, если в качестве двойникующего элтента симметрии выбрать одну из плоскостей отражения 1120 . Можно воспользоваться этим приемом, давно известным в макроскопической кристаллографии, для построения модели двойниковой границы на микроскопическом уровне. Для того, чтобы граница была когерентна, необходимо, чтобы левая структура кварца переходила в правую через пограничные атомы кислорода. Это условие может быть выполнено, если двойникующие плоскости проводить именно через эти атомы (тогда при отражении атомы, расположенные в этих плоскостях, останутся на месте). Выберем в качестве двойникующего элемента одну из трех возможных плоскостей Шх- При этом шесть атомов кислорода в элементарной ячейке разобьются на три пары, связанные осью 2х, перпендикулярной к выбранной плоскости. Таким образом, у нас останутся только три варианта проведения двойникую-щих плоскостей через пары атомов О5 —О4, О3 — Ое или О2 — О1 (см. рис. 22). Анализ структуры кварца на проекциях ху и уг показывает, что системы этих атомов соединяют в структуре кварца два последовательных Я-, т- и с-слоя соответственно (рис. 23). В каждом из трех вариантов мысленно разделим структуру кварца на две части системой указанных атомов. Проведем через эти атомы систему двойникующих плоскостей гпх и отразим в них одну из частей структуры. Периодическая (с периодом а/2 см. рис. 22, а) система двойникующих плоскостей гпх при таком отражении совместится сама с собой, а граничные атомы [c.102]

Дефектом упаковки называется всякое отклонение от нормальной для данного кристалла последовательности в чередовании атомарных слоев. Дефекты упаковки имеют ту же природу, что и двойники. На когерентной двойниковой границе меняется первоначальная последовательность слоев на последовательность, находящуюся с первоначальной в двойниковом соответствии, в то время как после дефекта упаковки первоначальная последовательность полностью восстанавливается. Таким образом, дефект упаковки можно расматривать как двойниковую прослойку толщиной в один элементарный слой, ограниченную с двух сторон когерентными двойниковыми границами. Дефекты упаковки особенно часто образуются в кристаллах со слоистой структурой (типа С(112, желтой кровяной соли и т. д.), т. е. веществах, обладающих политипией. Собственно, легкость образования дефектов упаковки и определяет склонность соединения к политипии. Сама структура политипной модификации может быть описана как упорядоченное расположение в одном измерении ( сверхструктура ) дефектов упаковки. При этом на правильную сверхструктуру может быть наложено беспорядочное распределение дефектов упа- [c.10]

На слюде можно получить довольно совершенные монокристаллические эпитаксиальные пленки ряда металлов. Например, серебро, напыленное и отожженное при повышенных температурах, образует монокристаллические пленки с ориентацией [111]. Если пленки напылены при 570—670 и отожжены при 720— 920 К, образцы свободны от таких дефектов, как границы зерен и границы некогерентных двойников, хотя все-таки содержат по 10 —10 мм-2 дислокаций и по 40—300 мм дефектов упаковки и границ когерентных двойников [41]. В пленках, полученных при несколько более низких температурах, наблюдаются параллельные подложке двойниковые кристаллиты, некогерентные границы которых разрезают поверхность, образуя углубления и небольшие участки с ориентацией, отличающейся от идеальной [96]. Однако те переходные металлы, которые имеют наибольшее значение для катализа, в виде монокристаллических пленок на слюде не применяют, по-видимому, из-за ограниченной термостойкости стеклянной аппаратуры. Переходные металлы с г.ц.к. структурой, напыленные на слюду при 620—670 К в условиях высокого или сверхвысокого вакуума, образуют поликристалли-ческие пленки, в которых каждый кристаллит ориентирован осью < 111 > перпендикулярно поверхности подложки, но все кристаллиты разупорядочены в отношении поворота вокруг зтой оси [97]. Характерные данные электронно-микроскопического исследования поликристаллической пленки платины представлены [c.146]

Определенный набор двойникующих дислокаций может обеспечить любой наклон макроскопической границы двойника к плоскости двойни кования. На рис. 2.3 показано возможное расположение дислокаций по кр№ туру двойниковой прослойки. Прямые экспериментальные доказа рельетва дислокационного строения границы двойника были получены после того, как достигла высокого уровня методика избирательного травления. Травление поверхности образца кальцита, На которую выходит граница упругого двойника, показало [71], что эта граница состоит из протяженных когерентных участков, слабо протравленных в виде узких канавок, и отдельных характерных для дислокаций глубоких ямок травления, находящихся на расстоянии нескольких микрометров одна от другой. Следы этих дефектов исчезают после выхода упругого двойника из кристалла. Наблю- [c.30]

Сравнение результатов моделирования когерентной даойниковой границы с таковыми для большеугловой специальной границы зерна [140] показывает, что атомная структура двойниковой границы (простейшего случая большеуглойой границы зерен с 2 = 3) носит достаточно универсальный характер и имеет большое Сходство с определенными типами большеугловых межзеренных границ. Но хотя, формально двойники являются лишь одним из частных случае в разориентации соседних областей решетки, структура и свойства двойниковых границ таковы, что на них возможно образование дислокационных скоплений, перемещение которых и приводит к реализации двойникования как особого типа пластической деформации. [c.43]

Если мы по аналогии с когерентной двойниковой границей рассмотрим изменение энергии атомов по мере удаления от некогерентной двойниковой границы (рис.. 2.13), т.е. границы, содержащей двойниковую дислокацию, то увидим, что убьшание происходит гораздо медленнее. Дополнительный вклад в энергию некогерентной двойниковой границы по сравнению с когерентной дают упругие поля двойникующих дислокаций. Используя результаты [82, 84], запищем отнощение энергии макроскопических упругих полей дислокации на границе 7гр (.Ф) и энергии [c.45]

Сила неупругого происхождения включает в себя и силу поверхностного натяжения. Очевидно, что действие такой силы испытьшают лишь дислокации, расположенные только на конце двойника. В самом деле, добавление одной дислокации в той части двойника, ширина которой имеет макроскопические размеры, практически не меняет поверхности раздела материнского и сдвойникованного кристаллов и не изменяет сушественно поверхностную энергию. В то же время добавление одной дислокации у острия двойника, где границы раздела удалены одна от другой на несколько атомных слоев, может значительно изменить соответствующую поверхностную энергию. Это предположение подтверждается качественным рассмотрением [167]. В работе [1671 показано, что межфазная поверхностная энергия в двойнике существенно уменьшается с увеличением числа атомных слоев, перешедших в двойниковое положение. В частности, оказьшается, что уже трехслойный двойник практически можно рассматривать как таковой, обладающий двумя когерентными двойниковыми границами. К подобному же выводу приводят и результаты математического моделирования многослойных дефектов упаковки и двойниковых границ [128]. [c.56]

На 1 1с. 6,6 показаны две гистерезисные петли в сплаве Си—А1—Ы1 при разной ориентации оси растяжения [322]. Видно, что ориентация/ более выгодна , так как петля гистерезиса очень узкая (рте. 6.6а). В этом случае зарождение мартенсита происходит в ииде одной или нескольких плоскопараллелкных пластин. По мере увеличения деформации прослойки утолщаются и сливаются, образуя единую область с плоскопараллельными границами, которые, не меняя ориентации, движутся, постепенно превращая весь объем образца в мартенситную фазу. Граница фаз в этом слуеде имеет структуру типа когерентной двойниковой границы, по которой легко скользят дислокации превращения. Их движения одинаково облег-чгно и в прямом, и в обратном направлении, В результате достигается максимальная деформация (около 10%) й совершенно ничтожна остаточная деформация. [c.166]

Изложенная в гл. 3 дислокационная теория упругого двойникования существенно опиралась на тот экспериментальный факт, что двойниковая граница имеет правильную атомную структуру. Атомное сопряжение вдоль так назьЬаемой когерентной границы происходит фактически на одном межатомном расстоянии. В других случаях толщина двойниковой границы. охватывает несколько атомных слоев. Это позволяет представить наклонную двойниковую границу как огибающую одноатомных ступенек, каждая из которых является двойникующей дислокацией. Перемещение двойниковой границы связывается с движением вдоль нее дислокаций. [c.195]

Полезно обратить внимание на два важных обстоятельства. Во-первых, когерентная двойниковая граница является атомно-гладкой, а потому реализует идеальную двухмерную периодическую систему, граничащую с идеальными полукристаллами иной структуры. Особые свойства этой двумерной кристаллической решетки ( двухмерного металла [478]) [c.237]

Рис. 9.3. Схема полидоменного кристалла ромбической фазы УВа СЫзО, (498] КГ - когерентная двойниковая граница, НКГ - некогерентная, 1-1У - двойниковые домены

Итак, специфика структуры и фазового превращё шя в материалах 1-2-3 позволяет сформулировать предположение [506], что в них двой-. никовая граница является гонким слоем даэлектрика, толщина которого сравнима (или превыщ т) с основным сверхпроводящим параметром — длиной когерентности (0). В таком случае при температурах, при которых стабильно высокотемпературное сверхпроводящее состояние матрицы тонкие слои двойниковых границ будут действовать кшк джозефсОнов-ские переходы [506]. [c.243]

Бойко B. ., Гарбер Р.И. Атомарная структура когерентных и некогеренхных двойниковых границ // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиа- [c.258]

Метод ГАФРЛ применялся [45] для изучения субструктуры активных ферритовых порошков М11 ж2па,Ре204. Было установлено, что протяженность блочных границ, концентрация двойниковых дефектов упаковки и величина микроискажений очень чувствительны к условиям получения и отжига ферритовых порошков. Как видно из рис. 4.9, с увеличением продолжительности нагревания при 800 °С размер блоков В и вероятность образования деформационных дефектов растут. Вместе с тем концентрация остаточных микроискажений и вероятность образования двойниковых дефектов упаковки р изменяются немонотонно, проходя через максимум, соответствующий т=2—3 ч. Очевидно, что с увеличением продолжительности нагревания размер областей когерентного рассеяния действительно должен возрастать. Увеличение [c.226]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология