Двойники отражения

Двойником называется закономерный сросток двух однородных кристаллов, в котором один кристалл отличается от другого зеркальным отражением в плоскости симметрии (плоскость двойникования), или поворотом вокруг оси симметрии (ось двойникования), или изредка отражением в центре инверсии. Двойниковой плоскостью может служить любая возможная грань кристалла, кроме грани, параллельной плоскости симметрии одиночного кристалла, двойниковой осью — любое ребро, или нормаль к грани, или нечетная ось симметрии одиночного кристалла. [c.370]

Чтобы продемонстрировать влияние операций симметрии на движение, воспользуемся, следуя идее Орчина и Джаффе [13], примером из макромира. Допустим, что существует длинная зеркальная стена и мь[ идем вдоль нее (рис. 4-18,й). Наше зеркальное отражение будет перемещаться вместе с нами с той же скоростью и в том же направлении (его скорость будет равна нашей). Теперь пойдем издали по направлению к зеркалу, перпендикулярно ему. В данном случае наше зеркальное отражение будет перемещаться по-другому величина скорости будет совпадать, а направление окажется противоположным. Как мы, так и наш зеркальный двойник будем двигаться по направлению к плоскости зеркала, и, если мы не остановимся вовремя, произойдет столкновение (рис. 4-18,0). [c.224]

Двойником называется закономерное срастание кристаллов одного вещества, в котором один индивид выводится из другого путем поворота на некоторый угол или же один кристалл является зеркальным отражением другого. Плоскость, по которой соединяются индивиды,— возможная или существующая грань кристалла ВЕ (рис. 21). Она называется плоскостью срастания, или двойниковым швом, обладает большой ретикулярной плотностью, ее символ выражается первыми числами натурального ряда. Элементами симметрии двойника являются двойниковая ось 00 (при вращении вокруг нее индивиды совмещаются) и двойниковая плоскость ВЕ (при отражении в ней индивиды [c.59]

В многочисленных природных силикатах и синтетических материалах установлено наличие так называемых двойников — закономерных сростков двух кристаллических блоков, в которых плоскость срастания создает два зеркальных отражения. Атомы, примыкающие к двойниковой границе, полностью скоординированы с ближайшими соседними, и искажения решетки пренебрежимо малы. Поэтому для двойниковой границы характерна низкая энергия, обусловленная нарушением координации с более дальними соседними атомами по сравнению с лежащими в плоскости срастания. [c.383]

К плоскостным и поверхностным дефектам кристаллической решетки (рис. 2.2 и 2.3) относятся границы, разделяющие различно ориентированные области — границы зерен (рис. 2.2, а, в, г), блоков (разориентированных под малыми углами областей одного зерна, рис. 2.3, б), двойников (кристаллов, решетки которых являются зеркальным отражением друг друга, рис. 2.2, б), а также границы, разделяющие участки решетки с различной упаковкой атомных слоев. Типы границ различаются углом разориентировки О. (рис. 2.3, а). Величина О для блоков обычно составляет 0,01 рад ( 1°), для зерен эта величина может достигать десятков градусов. В этом случае границы представляют собой широкие полосы нарушения кристаллической [c.26]

Рост конической трещины Герца происходит в условиях геометрического подобия. В случае зарождения двойника геометрическое подобие не имеет места. В частности, приповерхностный спой должен быть пройден с помощью эффектов, не охватываемых решением задачи Герца. Геометрическое подобие здесь соблюдается лишь для длинных (Lja > 1) двойников. В случае же образования конических трещин Герца макроскопические напряжения, инициирующие этот процесс, отличны от нуля на поверхности, что и нашло отражение в соответствующих расчетах [261]. [c.139]

В простейшем случае мы можем представить себе структуру двойника как результат зеркального отражения кристаллического участка в двойниковой плоскости, которая обычно имеет [c.231]

Двойникование кристаллов — явление, заключающееся в образовании в твердом теле двух кристаллических структур с различной ориента-Щ1ей, связанных определенным преобразованием симметрии отражением в некоторой кристаллографической плоскости (плоскости двойникования), поворотом вокруг определенной кристаллографической оси (оси двойникования), инверсией относительно точки (соответственно двойники отражения, аксиальные двойники, двойники инверсии). В одном и том же кристалле могут реализоваться несколько типов двойникования, различающихся плоскостями или осями двойникования (законами двойникования). [c.13]

Процесс превращения некоторой структуры в двойниковую тасто сопровождается изменением формы кристаллического образца. Двойникование с изменением формы можно рассматривать как простой сдвиг. При этом шаровая область превращается в эллипсоидальную. Атомы двойника смещаются пропорционально расстоянию от плоскости двойникования их направление смещения называют направлением двойникования (рис. 1.1), Атомная структура двойника отражения в кальците показана на рис. 1,2. [c.13]

Покажем, что немалую роль в обратимой пластичности высокотемпературных сверхпроводников может играть псевдодвойниковавде. Рассмотрение перемещения двойникующей дислокации в решетке У-Ва-Си-О (рис. 9.11) приводит к вьшоду [524], что сдвойникованная структура является зеркальным отражением материнского кристалла (истинным двойником отражения), если одновременно с двойниковым сдвигом ато- Мов будет происходить диффузионный перескок атомов кислорода в базисной плоскости из позиции 6 в позицию Л Быстрое перемещение двойниковой границы, за которым не успевают следовать диффузионные процессы, будет приводить к воз1Шкновению разупорядоченной структуры (псев до двойника) с избыточной объемной энергией. В этом случае (см. 1Я, 6) возможна сверхупругость, по внешним проявлениям подобная сверх- [c.247]

Скольжение является наиболее распространенным механизмом пластической деформации кристаллических материалов, однако важную роль играют также образование сбросов и двойнико-вание. При деформационном двойниковании часть кристалла становится зеркальным отражением в атомном масштабе относительно некоторой плоскости в результате однородного двойникующего сдвига в направлении, параллельном этой плоскости. Двойнико-вание принципиально отличается от скольжения тем, что при нем происходит однородное смещение каждого атомного слоя на расстояние, меньшее вектора трансляции. Двойники часто образуются в о. ц. к. кристаллах у них плоскость зеркального отражения (112), а направление сдвигов [11 Г] (рис. 77). Двойники растут в виде плоских дисков, имеющих большое отношение диаметра к толщине. Подобные тонкие диски наблюдаются во многих о. ц. к. материалах их называют также полосами Неймана. Очень часто встречаются двойники и в гексагональных плотноупакованных материалах — цинке, кадмии и магнии. В материалах с г. ц. к. решеткой механические двойники — более редкое явление по [c.181]

На электронограммах, полученных на просвет от измельченных проб стеклоуглерода (размер частиц <40 мкм) термообработанных при 2000 °С образцов, обнаруживается лишь двумерная упорядоченность — отражения только типа (00/) и Ьк). Обработка измельченных образцов при 2600 °С приводит к появлению наряду с преобладающим двумерным (турбостратным) углеродом поликристаллического графита. Для последнего наблюдаются отражения, характерные для монокристаллического графита, не обнаруживаемые из рентгеновской дифракции. Их анализ показывает, что полученная картина соответствует двойной дифракции от базисных двойников графита с углом двойникования 28°. Подобные монокристаллические образование возникают в результате полигонизации и сдвигов углеродных слоев в распределенных по объему стеклоуглерода напряженных высокоориентированных областях при их механическом разрушении, поскольку разрушение глобул размером 30 нм при достаточно грубом диспергировании образцов исключено. [c.213]

Первый путь, который условно можно назвать экспериментальным, заключается в следующем. Методом дифракционного контраста с использованием рентгеновской топографии (для макродвойников) или под электронным микроскопом (для микродвойников) исследуется контраст двойниковой границы в различных отражениях. Затем по известной методике определяется вектор относительного смещения (Я) решеток двойниковых компонент (например, для большинства бразильских двойников установлены Л = /2 [110], Я2= /б [302] или Яз = 7б [032]). Затем две структуры из начальной двойниковой ориентации с совпадающими ре-100 [c.100]

Второй путь может быть назван кристаллографическим (или теоретическим). Как уже упоминалось, бразильские двойники характеризуются параллельным расположением осей 3 и антипараллельным расположением осей 2. Такая взаимная ориентация структур может быть получена, если в качестве двойникующего элтента симметрии выбрать одну из плоскостей отражения 1120 . Можно воспользоваться этим приемом, давно известным в макроскопической кристаллографии, для построения модели двойниковой границы на микроскопическом уровне. Для того, чтобы граница была когерентна, необходимо, чтобы левая структура кварца переходила в правую через пограничные атомы кислорода. Это условие может быть выполнено, если двойникующие плоскости проводить именно через эти атомы (тогда при отражении атомы, расположенные в этих плоскостях, останутся на месте). Выберем в качестве двойникующего элемента одну из трех возможных плоскостей Шх- При этом шесть атомов кислорода в элементарной ячейке разобьются на три пары, связанные осью 2х, перпендикулярной к выбранной плоскости. Таким образом, у нас останутся только три варианта проведения двойникую-щих плоскостей через пары атомов О5 —О4, О3 — Ое или О2 — О1 (см. рис. 22). Анализ структуры кварца на проекциях ху и уг показывает, что системы этих атомов соединяют в структуре кварца два последовательных Я-, т- и с-слоя соответственно (рис. 23). В каждом из трех вариантов мысленно разделим структуру кварца на две части системой указанных атомов. Проведем через эти атомы систему двойникующих плоскостей гпх и отразим в них одну из частей структуры. Периодическая (с периодом а/2 см. рис. 22, а) система двойникующих плоскостей гпх при таком отражении совместится сама с собой, а граничные атомы [c.102]

Контролирующим фактором правильности той или иной модели может также служить сопоставление значений векторов смещения решеток в каждом из вариантов с экспериментальными значениями этих векторов, найденными методом дифракционного контраста. Такое сопоставление (табл. И) подтверждает корректность Я-молели. Поскольку во всех трех вариантах двойникующие плоскости Шх не проходят через начало координат (центры шестиугольников), решетки двойниковых компонент после отражения будут смещены относительно друг друга на вектор 2Ь, где Ь — расстояние плоскости Шх от начала координат (см. рис. 23). [c.103]

В рассматриваемой 7 -модели двойниковые компоненты связаны двумя последовательными преобразованиями симметрии поворотом вокруг граничной системы осей 2 и 21 и отражением в системе плоскостей 1120 , перпендикулярных к осям. Результирующими двойникующими элементами симметрии на микроскопическом уровне будут центры инверсии, расположенные в виде ромбоэдрической сетки между двойниковыми компонентами на пересечении системы плоскостей (1120) и осей 2 и 2[ со сдвигом на Да (см. рис. 23). Таким образом, согласно 7 -модели бразильские двойники в а-кварце относятся к категории инверсионных двойников. Это согласуется с их макроскопической симметрией, поскольку 32т = 32/. [c.103]

Предпочтительность применения рентгеновской топографии определяется слабым поглощением излучения углеродом, высоким разрешением метода, позволяющим фиксировать дефекты упаковки, блочность, единичные дислокации, вхождение примесей, границы двойников и др. Использовалось МоКа- и Си -излучение, выбранные отражения (404), (044), (404), (333), (440), (511) обеспечили получение картины сечений (100), (ПО) и (111) соответственное минимальными искажениями. [c.397]

ДВОИНИКОВАЯ СТРУКТУРА (лат, stru tnra — построение) — структура материала с двойниками — областями кристаллической решетки, закономерно переориентированными относительно исходной (матричной) решетки. Закономерность переориеп-тации состоит в том, что решетка двойника совмещается с исходной кристаллической решеткой либо поворотом вокруг двойниковой оси, либо отражением в двойниковой плоскости, либо той и другой операцией, а следовательно, и инверсией в двойниковом центре. В кристаллографии для описания Д. с. используют четыре осн. характеристики, паз. элементами двойникования плоскость двойникования, направление двойникования, вторую осн. плоскость (второе круговое сечение) и ось осн. зоны (линию пересечения второй осн. плоскости и плоскости сдвига) (рис. на с. 318). [c.317]

ВИЙ. Масса крупных самородков достигает десятков килограммов. Кристаллы редки — октаэдры, ромбододекаэдры, кубы и их комбинации скелетообразные, ступенчатые и параллельные срастания. Двойники по (111) простые и сложные. Кристаллы обычно искаженные, поверхности граней неровные — с фигурами роста и следами растворения. Очень мелкое, высокодисперсное 3. с. содержится в пирите, арсеноиири-те и др. сульфидах в виде мех. включений. Спайность отсутствует (см. Спайность минералов). Плотность 15,6—18,3 г см . Твердость 2—3, ковко и тягуче. Цвет н черта от зо-лотисто-желтого до серебряно-белого (с серебром) и розоватого (с медью), в порошке — бурое. Блеск (см. Блеск минералов) сильный металлический. Излом крючковатый (см. Излом минералов). В отраженном свете золотисто-желтое, изотропное. Отражательная способность для зеленых лучей — 47, оранжевых — 82,5, красных — 86. Хороший проводник электричества. Т-ра плавления 1062,6° С температурный коэфф. линейного расширения (т-ра 0-100° С) 0,146 Ю град-К Растворяется в царской водке , ртути, селенистой к-те. Связано с гидротермальными проявлениями разнообразных формаций. В жильных коренных высоко- и среднетемпературных месторождениях находится в кварцевых жилах в сопровождении пирита, арсенопирита, галенита, молибденита, вольфрамита, барита, карбонатов, турмалина, серхщита и др. минералов. Низкотемпературные гидротермальные месторождения связаны с третичными вулканическими породами. 3. с. находится в них вместе с пиритом, галенитом, сфалеритом, халькопиритом, серебром самородным, теллуристыми соединениями золота, кварцем, халцедоном, карбонатами, адуляром и др. Россыпные месторождения — современные и древние — представлены элювиальными, аллювиальными и морскими россыпями, связанными с разрушением золотоносных жил и пород. Золото широко используется в ювелирном деле и как валютный эквивалент. Значительная часть (20—25%) добываемого 3. с. идет на технические нужды. В чис- [c.465]

В [130, 156] методом математического моделирования рассмотрены краевые двойникующие дислокации в ОЦК решетке, обнаружено существование зональной двойникуюшей дислокации, рассмотрены также полная, частичная и дополнительная двойникующие дислокации. Существование таких дислокаций обусловлено соседством двойниковых границ разного типа (границ отражения и равнобедренных границ, получаемых взаимным сдвигом матрицы и двойника), которые отделяются друг от друга перечисленными дислокациями. Двойникующие дислокации расщепляются, и их разбегание ограничивается лишь размерами модели. Эти результаты согласуются с машинными расчетами структуры краевой и винтовой двойникующей дислокации в ОЦК металле [131]. Поскольку в вольфраме реализуется граница отражения, то неудивительно, что в нашем машинном эксперименте наблюдался лишь один тип двойникующих дислокаций. В экспериментах [154] с помощью полевой ионной микроскопии наблюдаЛось отсутствие заметного расщепления двойникующих дислокаций в вольфраме и наличие у них сравнительно компактного ядра (расщепление не превышает 4—6 А), что согласуется с расчетами [132,134]. [c.47]

Используя значение сохраняющейся в эксперименте упругой энергии W, можно оценить упругое смещение поверхности как 5-10 см. Такой же порядок величины имеет и размер ступеньки от двойника 5 на поверхности. Если воспользоваться оценкой [84] для работы образования двойникаР6, можно предположить, что постоянство энергии W в экспериментах по локальному нагружению свидетельствует о постоянстве работы образования скачкообразно возникающего двойника. Сохранение г и W можно рассматривать как отражение постоянства работы формоизменения материала при двойниковании удельной работы в случае сохранения т, поскольку = onst (едв двойниковый сдвиг), и суммарной работы в случае сохранения W. [c.138]

Рис. 9.7. Двойники, выявленные в отраженном поляризованном свете на базисной плоскости монокристалла YBaj u,OT . [502]

Двойником называется закономерное срастание кристаллов одного вещества , а которых один индивид выводится из другого путем поворота на некоторый угол или же один кристалл является зеркальным отражением другого. Плоскость по которой соединяются индивиды, — возможная или существующая грань кристалла ВЕ (рис. 23). Она обладает большой ретикулярной плотностью, ее символ выражается первыми числами натурального ряда, называется она плоскостью орастания или двойниковым швом. Элементами симметрии двойника являются двойнико-9вая ось 00 (при вращении Б01фуг нее индивиды совмещаются) и двойниковая полость ВЕ (при отражении в ней индивиды также совмещаются). Плоскость срастания, двойниковая ось и двойниковая плоскость — элементы Д двойника, они определяют за-хон двойникования . Не могут быть элементами двойника плоскость симметрий и оси симметрии четного наименова-вия. [c.41]

Смотреть страницы где упоминается термин Двойники отражения: [c.318] [c.404] [c.91] [c.169] [c.86] [c.103] [c.86] [c.103] [c.250] [c.825] [c.196] [c.292] [c.371] [c.488] [c.675] [c.57] [c.85] [c.54] [c.471] [c.170] [c.278] [c.231] [c.231]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология