Обратимая пластичность высокотемпературных сверхпроводников

Таким образом, изменения АЭ свидетельствуют в пользу того, что высокотемпературный сверхпроводник У-Ва-Си-О должен обладать определенной пластичностью щ>и 77 и 4,2 К, причем можно ожидать, что по мере понижения температуры от 77 К вклад обратимой пластичности будет уменьшаться, а необратимой возрастать. [c.247]

Сходство двойниковых структур высокотемпературных сверхпроводников с двойниковыми структурами в материалах, испытывающих мартенситные превращения или сегнетоэластические фазовые переходы (например, в [511] кристалл Y-Ba- u-0 рассматривается как представитель сегнетоэластиков), позволяет думать, что и механические свойства сравниваемых материалов подобны, и в высокотемпературных сверхпроводниках, в частности, также возможны проявления обратимой пластичности, Для ее реализации границы раздела должны обладать определенной подвижностью во внешних полях, Ниже мы рассмотрим с этой точки зрения имеющиеся экспериментальные данные, обсудим уже зарегистрированные проявления обратимой пластичности высокотемпературных сверхпроводников и обсудим возможные механизмы ее реализации. [c.244]

Покажем, что немалую роль в обратимой пластичности высокотемпературных сверхпроводников может играть псевдодвойниковавде. Рассмотрение перемещения двойникующей дислокации в решетке У-Ва-Си-О (рис. 9.11) приводит к вьшоду [524], что сдвойникованная структура является зеркальным отражением материнского кристалла (истинным двойником отражения), если одновременно с двойниковым сдвигом ато- Мов будет происходить диффузионный перескок атомов кислорода в базисной плоскости из позиции 6 в позицию Л Быстрое перемещение двойниковой границы, за которым не успевают следовать диффузионные процессы, будет приводить к воз1Шкновению разупорядоченной структуры (псев до двойника) с избыточной объемной энергией. В этом случае (см. 1Я, 6) возможна сверхупругость, по внешним проявлениям подобная сверх- [c.247]

Весьма важным является то обстоятельство, что обратимая пластичность может регулироваться изменением внешних параметров, увеличивающих энергетическую предпочтительность одной из фаз. Поскольку фазы могут различаться своими физическими свойствами (электрическими, магнитными, оптическими), то управление обратимой пластичностью открывает возможности направленного изменения физических свойств всего кристалла в целом, В последнее время наибольший интерес вызывает влияние двойниковых границ на сверхпроводящие характеристики традиционных и высокотемпературных сверхпроводников, на свойства сегнетоэластиков, находящих все более широкое применение в акусто- и оптоэлектронике, а также в других областях, где они являются элементами узлов накоштения и переработки информации, дисплеев, устройств для управления лазерным излучением и т.д. [c.11]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология