Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Высокотемпературные сверхпроводники

    К сожалению, наблюдаемый эффект сверхпроводимости носит характер прерывистых случайных всплесков и поэтому практического значения пока не имеет. Однако теоретическое значение эффекта 1 огромно и наверняка подстегнет поиск высокотемпературных сверхпроводников. Открытие сверхпроводниковых материалов с = 80 К будет означать подлинную техническую революцию. [c.14]

    Содержание предлагаемой монографии является логическим продолжением исследований, опубликованных в предыдущей книге авторов [1], где основное внимание уделено созданию, проверке и использованию методов оценки различных термохимических свойств высокотемпературных сверхпроводников и сопутствующих фаз в системе Y—Ва—Си—О и где представлены температурные зависимости приведенной энергий Гиббса для 350 неорганических веществ. На основе этих данных, большинство из которых получены расчетным путем в период до 1995—1996 гг., сформирован альтернативный банк данных астра. OWN. [c.3]


    Среди висмутовых материалов именно сегнето-, пьезо- и пироэлектрические материалы, вслед за высокотемпературными сверхпроводниками, привлекли наибольшее внимание исследователей в минувшее десятилетие. Далее приводятся сведения из этой области, которые явились результатом тщательного анализа опубликованных за указанное время работ. Эти сведения скорее носят ознакомительный характер, и всякий раз можно обратиться к оригинальному источнику дпя получения более детальной информации. [c.261]

    В этом разделе, в отличие от висмутовых высокотемпературных сверхпроводников, мы не ограничились указанием только работ обзорного характера. Представленная здесь информация дает достаточно полную картину исследований висмутовых сегнето-, пьезо- и пироэлектрических материалов в основном в минувшее десятилетие. Следует подчеркнуть повышенный интерес исследователей к этой области, и прежде всего — к разработке тонких ферроэлектрических пленок. [c.272]

    В физике — исследование кристаллизации веществ, структуры и однородности высокотемпературных сверхпроводников, тонких плёнок, изучение диффузии примесей в полупроводниках. [c.36]

    Следовательно, в главном приближении сечение каждого домена имеет форму линзы с острыми краями (рис. 7.8а). Отметим, что такая форма доменов экспериментально наблюдалась в молибдате гадолиния [377], а также в высокотемпературном сверхпроводнике Y—Ва—Си—О (см. гл. 9). [c.198]

    Двойниковая структура высокотемпературны сверхпроводников [c.238]

    Т = Oj К в высокотемпературных сверхпроводниках мала по сравнению с таковой в традиционных сверхпроводниках, и потому возникает вопрос [c.242]

    Купраты металлов. В настоящее время наибольшее количество высокотемпературных сверхпроводников получено на основе купратов различных металлов (см. разд. 33.4). Среди купратов металлов найдены эффективные катализаторы важных химических реакций, например, катализаторы окисления СО и восстановления N0. [c.536]

    Открытие, сделанное в 1986 Й. Беднорцем и К. Мюллером, положило начало еще одной области Н. х. и химии твердого тела-химии высокотемпературных сверхпроводников (см. Сверхпроводники). [c.212]

    Галогениды Т. и их твердые р-ры применяют для изготовления линз и др. деталей приборов ИК техники, легирования кристаллов галогенидов щелочных металлов (для сцинтилляц. счетчиков), наполнения газоразрядных ламп зеленого све+а. Халькогениды Т. входят в состав разл. полупроводников, в частности стеклообразных. Сульфид Т. применяют для изготовления фотосопротивлений. Соли (нитрат, карбонат) используют в произ-ве оптич. стекла. Формиат и малонат Т.-компоненты тяжелых жидкостей (жидкость Клеричи), используемых для минералогич. исследований. Сложные оксиды, напр. Т1Ва2СазСи40ц,-высокотемпературные сверхпроводники. [c.492]

    Обычно данные ДТА используют в сочетании с результатами термогравиметрич., масс-спектрометрич. и дилатометрич. исследований (см. Дериватография). Это позволяет, напр., делать выводы об обратимости фазовых превращений, изучать явления переохлаждения, образование метастабильных фаз (в т. ч. короткоживущих). Мат. соотношения между площадью пика на кривой ДТА и параметрами прибора и образца позволяют определять теплоту превращения, энергию активации фазового перехода, нек-рые кииетич. константы, проводить полуколичеств. анализ смесей (если известны ДЯ соответствующих р-ций). С помощью ДТА изучают разложение карбоксилатов металлов, разл. металлоорг. соединений, оксидных высокотемпературных сверхпроводников. Этим методом определили температурную область конверсии СО в Oj (при дожигании автомобильных выхлопных газов, выбросов нз труб ТЭЦ и т.д.). ДТА применяют для построения фазовых диаграмм состояния систем с разл. числом компонентов (физ.-хим. анализ), для качеств, оценки образцов, напр, при сравнении разных партий сырья. [c.533]


    Главные направления эксперим. исследований в современной Т. заключаются в надежном установлении т. наз. ключевых термохйм. величин, на к-рых основаны дальнейшие расчеты, а также в изучении новых и малоизученных классов соед.-полупроводников, комплексных соед., орг. соединений бора, фтора, кремния, фосфора, серы и др. Интенсивно изучают высокотемпературные сверхпроводники, соед. РЗЭ. Возрастает применение Т. в исследовании поверхностных явлений, др. областей коллоидной химии, радиохим. процессов, химии полимеров, своб. радикалов и т. п. Термохйм. величины используют для установления связи между энергетич. характеристиками хим. соед. и его строением, устойчивостью и реакционной способностью в качестве базовых термодинамич. данных при проектировании и усовершенствовании хим. произ-в (в частности, для расчета макс. выхода продукта и прогнозирования оптимального режима) для составления энергетич. баланса хим. реакторов в технол. процессах, исследования и прогнозирования энергоемких структур при создании новых видов топлива. [c.548]

    С С5 116> (моль К) ЛН -1888,7 кДж/моль, -1794,5 кДжА<сщь 139,6 Дж/(моль-К) получают при наф, нитратов, сульфатов, оксалатов и др. соединений Т, на воздухе выше 800-900 °С входиг в состав разл. оксидных материалов, в т. ч. стекол, керамик (напр., со св-вами высокотемпературных сверхпроводникой). [c.16]

    Будучи наукой феноменологической, термодинамика ифает в Ф. х. двоякую роль. Она позволяет, с одной стороны, на основе общих принципов разделить все мыслимые процессы в хим. системах на возможные и невозможные и дает ясные критерии такого разделения. С другой стороны, термодинамика позволяет получать соотношения, в к-рые входят измеряемые на опыте величины, и с помощью этих соотношений рассчитывать важные характеристики исследуемых систем, а также предсказывать, какие из соед. будут наиб, перспективными для решения конкретных прикладных задач в тех или иных условиях. Важное направление хим. термодинамики -количеств, расчеты равновесного состава сложных многокомпонентных систем (напр., высокотемпературных сверхпроводников), расчеты диаграмм фазового равновесия, многопараметрич. оценка перспективных топлив и др. энергоносителей и т. п. [c.93]

    При этом удается эффективно очищать компоненты высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) от примесных металлов и получать материал с высокой степенью однородности. Из данных работ Кацуиро [102], [c.69]

    Иодометрия — лу чший и самый точный метод определения сравнительно больших количеств меди (в сплавах, рудах, высокотемпературных сверхпроводниках)  [c.691]

    При изучении динамики решётки сложных соединений методом неупругого рассеяния нейтронов использование изотопически обогащённых образцов с различным сечением рассеяния оказывается эффективным, а в некоторых случаях единственным способом восстановления парциальных спектров колебаний атомов в решётке. Здесь изотопы используются в качестве инструмента исследований. Элегантную теорию этого метода изотопического контраста разработал Ю.М. Каган [114]. Этот метод успешно применялся при исследовании фононного спектра высокотемпературных сверхпроводников и родственных соединений (изменялся изотопический состав меди) [115, 116], а также для ряда металлических стёкол [117-120]. [c.74]

    Весьма важным является то обстоятельство, что обратимая пластичность может регулироваться изменением внешних параметров, увеличивающих энергетическую предпочтительность одной из фаз. Поскольку фазы могут различаться своими физическими свойствами (электрическими, магнитными, оптическими), то управление обратимой пластичностью открывает возможности направленного изменения физических свойств всего кристалла в целом, В последнее время наибольший интерес вызывает влияние двойниковых границ на сверхпроводящие характеристики традиционных и высокотемпературных сверхпроводников, на свойства сегнетоэластиков, находящих все более широкое применение в акусто- и оптоэлектронике, а также в других областях, где они являются элементами узлов накоштения и переработки информации, дисплеев, устройств для управления лазерным излучением и т.д. [c.11]

    Экспериментальное исследование двойниковой структуры высокотемпературных сверхпроводников. Как уже отмечалось, материалы с высокотемпературной сверхпроводимостью часто являются гетерофазными системами с развитой двойниковой структурой, В настоящее время не вызывает сомнений тот факт, что двойниковая структура существенно влияет на сверхпроводящие характеристики этих материалов, К тому же пока не удается получить сколько-нибудь массивных кристаллов с высокотемпературной сверхпроводимостью без развитой двойниковой структуры. Она была обнаружена уже в первых исследованиях материалов с высокотемпературной сверхпроводимостью и стала одним из основных объектов исследований их структуры. Наиболее детально двойниковая структура изучена в материалах с высокотемпературной сверхпроводимостью типа УВа2Сиз07 с, или сокращенно 1—2—3 (подробнее см. обзор [487]). [c.238]

    Окончательное решение вопроса о роли двойниковых границ в высокотемпературных сверхпроводниках требует детального экспериментального изучения изолированных двойниковых границ. В любом случае, следуя [511], можно отметить, что, хотя в несдвойникованных кристаллах -Ва-Си-0 может наблюдаться высокотемпературная сверхпроводимость, несдвойникованное состояние является нестабильным, и кристаллы V—Ва—Си—О, как правило содержат густую сеть двойниковых границ. Поэтому любое последовательное теоретическое рассмотрение высоко температурных сверхпроводников не может игнорировать эту фyндaмeн- тальную Особенность их структуры ). [c.243]



Библиография для Высокотемпературные сверхпроводники: [c.130]    [c.46]    [c.324]    [c.325]    [c.593]   
Смотреть страницы где упоминается термин Высокотемпературные сверхпроводники: [c.37]    [c.638]    [c.242]    [c.21]    [c.577]    [c.298]    [c.444]    [c.259]    [c.488]    [c.102]    [c.158]    [c.236]    [c.158]    [c.158]    [c.49]    [c.8]    [c.240]    [c.241]    [c.243]    [c.244]   
Смотреть главы в:

Структура и симметрия кристаллов -> Высокотемпературные сверхпроводники


Общая химия Изд2 (2000) -- [ c.111 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте