Параллельная схема замещения

Рис. 25. Эквивалентная параллельная схема замещения и векторная диаграмма конденсатора с потерями.

Рис.2. Изменение емкости (в параллельной схеме замещения) с потенциалом электродов из сплавов У1 с 1 и

С=—емкость, измеренная по параллельной схеме замещения, Ф [c.3]

Сп и Яп—Яз пересчитывают на параллельную схему замещения [c.78]

Для параллельной схемы замещения проводимость ветви активного сопротивления Р= и конденсатора —шС=/, а общая проводимость = -Ь /о)С=. Из условия эквивалентности имеем 1/2= = 1/2а [c.88]

При импедансных измерениях [36] для процесса раствореиия пассивного цинка в щелочи для параллельной схемы замещения после вычета сопротивления рас- [c.128]

На рис. 3.26 приведены схемы замещения конденсаторов и катушек индуктивности и соответствующие им векторные диаграммы. При последовательных схемах замещения для конденсатора tg5 = аКС, для катушки индуктивности Q = oзL/К. При параллельных схемах замещения для конденсатора tg5 = = 1/(юЛС), для катушки индуктивности [c.449]

Для измерения емкости конденсаторов с большими потерями используют параллельную схему замещения конденсатора и, следовательно, схему 2 (см. табл. 3.3 и рис. 3.26, б). В этом случае комплексные сопротивления плеч моста [c.449]

У большинства материалов tg8 уменьшается с ростом частоты, что соответствует параллельной схеме замещения при последовательной схеме tg5 растет с увеличением ю. Поэтому на практике при-низких частотах чаще используют параллельную схему замещения, а последова- [c.582]

Для уяснения физического смысла диэлектрических потерь удобно пользоваться эквивалентными схемами замещения, в которых реальный конденсатор заменяется идеальным с параллельно или последовательно включенным активным сопротивлением. Рассмотрим параллельную схему замещения (рис. 25). [c.56]

Эквивалентные схемы электродных процессов при модулирующем синусоидальном напряжении можно представить либо параллельной, либо последовательной схемой (рис. 47, г). Если применяют параллельную схему замещения, то элементы схег.ш, которыми пренебрегают, предполагают равными бесконечности. Для обратимых процессов бесконечным считают активационное сопротивление для необратимых-поляризационное сопротивление и сопротивление псевдоемкости. При последовательной схеме замещения для того, чтобы пренебречь элементом схемы, его приравнивают к нулю. Для обратимого процесса считают равным нулю активационное сопротивление, для необратимых-поляризационное сопротивление и сопротивление псевдоемкости. В принципе, можно пользоваться в равной мере параллельной и последовательной схемами замещения электрохимического процесса, но нельзя расчетные величины одной схемы механически переносить на другую. Необходимо применять пересчетные формулы. [c.66]

Параллельная схема замещения [c.10]

При синусоидальной форме поляризующего напряжения наглядное представление о распределении напряжения и тока по элементам, эквивалентной схемы дают векторные диаграммы. На рис. 2.3,а представлена векторная диаграмма для параллельной схемы замещения, а на рис. 2.3,6 — для последовательной. В векторных диаграммах токи и напряжения представляют в виде векторов, характеризующихся модулем .направлением. [c.22]

Традиционная схема моста переменного тока с параллельной схемой замещения для измерения электропроводности изображена на рис. 3. [c.129]

Если конденсатор заполнен диэлектриком с потерями, то согласно (1.12), импеданс его параллельной схемы замещения [c.26]

Реактивная компонента. Из уравнения (1.22) следует, что эквивалентная емкость параллельной схемы замещения ячейки выражается следующим образом [c.41]

Нелинейные свойства ячейки в эквивалентных схемах моделируются генератором тока в последовательной схеме замещения или генератором напряжения в параллельной схеме замещения (см. рис. 47, з, ж). [c.73]

Спос и Спас — емкости исследуемой ячейки при последовательной и параллельной схемах замещения, соответственно, Ф [c.374]

Рассмотрим параллельную схему замещения (рис. 7.17а). Для этого случая значение тангенса угла потерь можно определить с помощью формулы [c.172]

Из (7.130) и (7.131) следует, что электропроводность сказывается на величине tg и е" только на низких частотах (параллельная схема замещения, соотнощение (7.117)). При низких температурах и высоких частотах влиянием электропроводности на диэлектрические свойства можно пренебречь. Интересно отметить, что на сверхвысоких частотах (СВЧ) tg 8 полупроводников, который обусловлен главным образом их проводимостью, обычно становится настолько низким, что эти кристаллы можно использовать как диэлектрики. [c.174]

При импедаисных измерениях на электроде получена зависимость R= и С= для параллельной схемы замещения от частоты /. Известно, что электрическая модель электрохимического процесса выражается эквивалентной схемой (рис. 21). [c.128]

При моделировании обратимых электрохимических реакций можно считать, что активационное сопротивление не вносит значимого вклада в фарадеевский импеданс. Следовательно, при этом в параллельной схеме замещения принимают Яа — оо, а в последовательной Яа=0 (рис. 2.2,3,г). При моделировании полностью необратимых процессов пренебрегают поляризационным сопротивлением и сопротивлением псевдоемкости, т. е. при параллельной схеме замещения принимают =Х8 оо, а при последовательной (рис. [c.21]

При составлении векторной диаграммы для параллельной схемы замещения исходят из того, что на элементы модели электрохимической реакции Сдв, Ra, Яш и s действует одно и то же переменное напряжение е(/), которое в каждом из этих элементов вызывает протекание тока, обратно пропорционального его сопротивлению, причем токи в цепи активационного Ra и поляризационного Rn сопротивлений совпадают по фазе с потенциалом индикаторного электрода e(t), а токи емкости двойного слоя опережают этот потенциал на 90°. Модули этих токов зависят от характера электрохимической реакции. Так, для обратимого восстановления 1п (и tV)>ia, для необратимого восстановления in (и /г)- ia- Модуль тока заряда — разряда емкости двойного слоя от характера электрохимической реакции не зависит. Векторная сумма токов ia+in+iV составляет ток электрохимической реакцм эл. Векторная сумма 1эл и с составляет ток ячейки я. Этот ток при прохождении через резистор, моделирующий омическое сопротивление ячейки, создает на нем омическое падение на- [c.23]

На кривой 2 (см, рис. II.4) наблюдает ся участок ejg, отсутствующий на кривой 1. Этот участок кривой нельзя объяснить на основе параллельной схемы замещения (см. рис. II. 3, а), поскольку при R- 0 емкость Сг закорачивается и не должна влиять на Z и, следовательно, на частоту. Участок efg можно интерпретировать с использованием последовательной эквивалентной схемы, изображенной на рис. II. 3, д. В этой эквивалентной схе.ме емкости i и Сп постоянны, емкость Сг уменьшается вследствие уменьшения диэлектрической проницаемости раствора с увеличением концентрации [72, 105, 112]. Однако, как показали исследования с иснользова-ннем метода моделирования [36], при / <10 Ом изменение R влияет на частоту незначительно и последняя растет только за счет уменьшения, емкости Сг с увеличением концентрации раствора. [c.38]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология