Последовательная схема замещения

Рис. 164. Зависимость омической (а) и емкостной (б) компонент импеданса, измеренных по последовательной схеме замещения, от 1/) ш при одновременном наложении стадий диффузии, разряда и гетерогенной химической реакции

Рис. 61. Кривые дифференциальной емкости (последовательная схема замещения а = 2я/) платины в 1 М хлорной кислоте при 25° и 1 кгц.

Са — емкость, измеренная ио последовательной схеме замещения, Ф [c.3]

Решение. Для решения удобно воспользоваться представлением общего сопротивления переменному току в комплексном виде (импеданс). Для последовательной схемы замещения импеданс [c.88]

Решение. Импеданс для последовательной схемы замещения записывается равенством 2 , = Я — ——— [c.89]

Пример 37. Измерения при помощи фазочувствительного вольтметра на серебряном электроде в электролите серебрения [18] при температуре 298,2 К, катодном токе З-Ю А, поляризации 0,15 В дали зависимость составляющих импеданса Сп и Яп, измеренных по последовательной схеме замещения, от частоты тока, приведенную ниже. [c.89]

При импедансных измерениях на некотором электроде получена зависимость Сп и R для последовательной схемы замещения от частоты /. Известно, что электрическая модель происходящего электрохимического процесса выражается эквивалентной схемой (рис. [c.127]

При исследовании анодного окисления жидкого галлиевого электрода в растворе щелочи концентрации 0,1 моль-Л [35] методом измерения электрохимического импеданса по последовательной схеме замещения получены следующие значения емкостных и активных сопротивлений для переменного синусоидального тока (потенциал + 1,00 В, температура 305,2 К) [c.128]

К вблизи равновесного потенциала получены [37] при потенциале электрода —0,053 В следующие значения составляющих фарадеевского импеданса Яф и С <р по последовательной схеме замещения (сопротивление раствора и емкость двойного слоя учтены) [c.130]

Методом измерения электрохимического импеданса в оксидном расплаве на электроде из расплавленного металла получены [38] по последовательной схеме замещения значения емкости в зависимости от частоты [c.131]

На рис. 3.26 приведены схемы замещения конденсаторов и катушек индуктивности и соответствующие им векторные диаграммы. При последовательных схемах замещения для конденсатора tg5 = аКС, для катушки индуктивности Q = oзL/К. При параллельных схемах замещения для конденсатора tg5 = = 1/(юЛС), для катушки индуктивности [c.449]

Для измерения параметров конденсаторов с малыми потерями следует использовать схему 1 (см. табл. 3.3). Ей соответствует последовательная схема замещения (см. рис. 3.26, а). При этом схема моста имеет вид, приведенный на рис. 3.27, а полные сопротивления плеч моста [c.449]

Упрощенные последовательная схема замещения, состоящая из электрической емкости С и активного сопротивления Л, и схема, в которой емкость С и сопротивление К соединены параллельно, представлены на рис. 8.3. Обычно вместо угла рассматривается который в данном случае равен [c.582]

В этом случае для последовательной схемы замещения (рис. 8.3, а) [c.584]

Подставив зависимость для определения емкости в полученную формулу для последовательной схемы замещения и умножим ее левую и правую части на у, получим выражение [c.584]

Последовательная схема замещения [c.13]

Последовательная схема замещения (рис. 1-3,в) менее точно, чем схема на рис. 1-3,6, отражает процессы, происходящие в емкостной ячейке, однако в ряде случаев, о которых упоминалось выше, эта схема позволяет упростить анализ работы измерительной схемы с емкостной ячейкой и с известной степенью точности математически описать зависимости, имеющие место при воздействии высокочастотного поля на раствор. [c.13]

Так же как и в предыдущем случае, выражение для полной проводимости ячейки, исходя из ее последовательной схемы замещения, получают суммированием проводимостей, состоящих из действительных и мнимых членов. [c.13]

I — активная составляющая 2 — реактивная составляющая (последовательная схема замещения [c.244]

Рис. 7.17. Параллельная и последовательная схема замещения для диэлектрического конденсатора с потерями

Эквивалентные схемы электродных процессов при модулирующем синусоидальном напряжении можно представить либо параллельной, либо последовательной схемой (рис. 47, г). Если применяют параллельную схему замещения, то элементы схег.ш, которыми пренебрегают, предполагают равными бесконечности. Для обратимых процессов бесконечным считают активационное сопротивление для необратимых-поляризационное сопротивление и сопротивление псевдоемкости. При последовательной схеме замещения для того, чтобы пренебречь элементом схемы, его приравнивают к нулю. Для обратимого процесса считают равным нулю активационное сопротивление, для необратимых-поляризационное сопротивление и сопротивление псевдоемкости. В принципе, можно пользоваться в равной мере параллельной и последовательной схемами замещения электрохимического процесса, но нельзя расчетные величины одной схемы механически переносить на другую. Необходимо применять пересчетные формулы. [c.66]

Лв — активное сонротивление в последовательной схеме замещения [c.8]

Сч А — чувствительность ячейки при определениях Л раствора по реактивной компоненте в последовательных схемах замещения [c.9]

Сд д — падение напряжения на активном сопротивлении в последовательной схеме замещения [c.9]

Хс д — реактивное сопротивление конденсатора в последовательной схеме замещения [c.9]

Последовательная эквивалентная схема. Полное сопротивление. Рассмотренная выше параллельная эквивалентная схема С-ячейки используется в тех случаях, когда измерения выполняются на ВЧ-устройствах, в которых катушка индуктивности или параллельный колебательный контур оказывается включенным параллельно ячейке [7, 14—17]. При последовательном включении ячейки в контур предпочтительнее анализировать последовательную схему замещения С-ячейки (см. рис. 1). В этом случае составляющие (1.19) и (1.20) полного сопротивления (1.23) с учетом (2.4) равны [c.43]

Из (2.34) видно, что точка перегиба, соответствующая максимальной чувствительности, смещается в сторону больших Л при увеличении со. Кроме того, согласно (2.25), s увеличивается в случае ячеек с большой константой Sil и тонкими стенками (С — велико). Это означает, что g-анализ с применением последовательной схемы замещения целесообразно проводить в коротких ячейках с большой площадью электродов. [c.45]

Знание элементов электрохимической ячейки позволяет рассчитать важные аналитические параметры процессов, такие, как стандартную гетерогенную константу скорости к, коэффициент переноса а, ток ионного обмена г . Это возможно, так как эти элементы связаны с ними определенными соотношениями [28]. Так, для последовательной схемы замещения определяется уравнением [c.67]

Нелинейные свойства ячейки в эквивалентных схемах моделируются генератором тока в последовательной схеме замещения или генератором напряжения в параллельной схеме замещения (см. рис. 47, з, ж). [c.73]

При последовательной схеме замещения измеряемое сопротивление РК (активная составляющая Яа) равно сумме первого и второго членов правой части выражения (3.24), третий член определяет реактивное емкостное сопротивление. [c.84]

Случай, соответствующий соотнощению (7.118), очевидно, характеризует потери, обусловленные конечной электропроводностью диэлектрика за счет джоулева тепла (токи утечки). Естественно, что вклад этого механизма уменьщается с ростом частоты. Напротив, последовательная схема замещения (7.119) более точно соответствует собственно диэлектрическим потерям. [c.173]

По данным [34] в расплавах Li l—КС1 эвтектического состава на жидком сплаве индия с сурьмой емкость и сопротивление, измеренные на импедансном мосте по последовательной схеме замещения, в интервале 30—60 кГц не зависят от частоты и равны соответственно 1,7 мкФ и 6 Ом. [c.128]

Эквивалентная электрохимическая схема ячейки с поляризуемым электродом в электрическом отношении идентична весьма сложной комбинации емкостей и сопротивлений. Однако в переменном токе ЭЭС ячейки формально можно упростить до двух элементов— емкостного и активного, соединенных последовательно или параллельно. При этом соблюдают условия, чтобы общее сопротивление Z (импеданс), а также фазовый угол б полученной схемы замещения совпадали с величинами Z и б электрического эквивалента. Наибольшее распространение нашла последовательная схема замещения, содержащая экспериментально определяемые Ст и Яяч, которые в общем случае изменяются с частотой. Исследуя частотную зависимость Ст и Яяч, можно выявить истинную ЭЭС, определить ве.личины.еЁ.структуриых. элементов и получить информацию [c.48]

При построении векторной диаграммы по последовательной схеме замещения исходят из того, что через эл ементы модели электрохимической реакции Яа, Яп и Хз проходит один и тот же ток — (ал, который создает на этих элементах падения напряжения Еа, Еп и Ет соответственно, модули которых пропорциональны этим сопротивлениям, причем напряжения Е и Ей совпадают по фазе с эл, а Е отстает по фазе от эл на 90°. Векторная сумма этих напряж составляет потенциал индикаторного электрода e t). Вектор тока заря-да — разряда емкости двойного слоя с опережает е( ) [c.23]

Для случая резонансной (оспилляторной) модели ионного кристалла тангенс угла диэлектрических потерь на СВЧ и РЧ прямо пропорпионален частоте. Вспоминая, что для последовательной схемы замещения (рис. 7.176) тангенс потерь также пропорпионален частоте (7.118), можем сказать, что диэлектрик с такой частотной зависимостью потерь допускает корректное описание посредством последовательной схемы. Понятно также, что возрастание диэлектрических потерь с ростом частоты представляет собой серьезную проблему с точки зрения применения диэлектрических материалов на высоких частотах. [c.178]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология