Зародышеобразование кристаллов из пара и из расплава

Зародышеобразование в расплаве. Расплав чистого вещества будет стремиться закристаллизоваться, если его охладить ниже точки плавления. Пересыщение в этом случае очень слабо зависит от давления. Тем самым расплавы отличаются от растворов и паров, где пересыщение зависит от давления или от концентрации так же, как и от температуры. В остальном основные особенности образования зародышей и роста кристаллов очень сходны для всех трех случаев. [c.18]

Более десяти лет назад считалось общепринятым, что рост кристаллов низкомолекулярных веществ определяется процессом вторичного зародышеобразования. Согласно этим представлениям, молекула кристаллизующегося вещества, диффундируя через переохлажденный расплав, раствор или пар (в зависимости от условий фазового перехода), попадает на растущую кристаллическую грань. Затем молекула должна переместиться вдоль грани (рис. 41, а) в положение, которому соответствует минимальная свободная энергия, т. е. в не полностью заполненную область растущей грани. Этот процесс протекает относительно быстро до тех пор, пока образование монослоя не будет завершено. Следующей стадией, которая определяет скорость процесса, является создание нового вторичного зародыша на поверхности совершен- [c.120]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология