Логарифмический закон роста пленок

Логарифмический закон роста пленки установлен экспериментально для окисления на воздухе алюминия и цинка в интервале 25-225 °С, никеля до 650 °С, железа до 375 °С, меди до 100 °С. [c.48]

Это уравнение, которое соответствует логарифмическому закону роста пленки (76) при Ь = 1 (см. уравнение 76), в координатах h = f [ g ах -f- 1)J дает при каком-то значении а (определяемом обычно методом подбора) прямую линию, при этом k = = tg а (рис. 25). [c.49]

Логарифмический закон роста пленок [c.48]

ЛОГАРИФМИЧЕСКИЙ ЗАКОН РОСТА ПЛЕНОК [c.51]

Рост очень тонких окисных пленок на металлах при низких температурах (на меди в кислороде при температуре до 100° С, на тантале при температуре до 150° С, на алюминии, никеле и цинке при температуре до 300°С и др.) сопровождается самоторможением в большей степени, чем при обычном диффузионном механизме и контроле процесса. Этим случаям соответствует логарифмический закон роста пленки [c.34]

Логарифмический закон роста пленки экспериментально установлен для алюминия и цинка в интервалах температур 25— [c.49]

Существует ряд теорий, объясняющих логарифмический закон роста пленки, исходя из контроля процесса окисления переносом ионов или электронов в тонких пленках по механизмам, отличающимся от диффузионного механизма. [c.34]

Пленки, растущие по логарифмическому закону, обладают наилучшими защитными свойствами. Логарифмический закон роста пленки установлен, например, для окисления меди при температурах ниже 100° С, для окисления никеля при температурах до 650° С, для окисления железа при температурах до 400° С. [c.138]

Нужно, однако, заметить, что, в отличие от линейного и параболического закона, для объяснения логарифмического закона роста пленок пока еще не дано всесторонне обоснованной теории и сам механизм торможения при окислении металлов по логарифмическому закону еще не достаточно выяснен. [c.50]

Есть несколько теорий, объясняющих логарифмический закон роста пленок. Перечислим некоторые из них. [c.50]

Очевидно, что точка Р может находиться не только правее точки С, как показано на рис. 25, но также и гораздо левее ее, если добавочное торможение диффузии появится при очень малых толщинах, как, например, у алюминия. Следовательно, кривая АВРО будет передавать логарифмический закон роста пленок на металлической поверхности во времени. [c.51]

Логарифмический закон роста пленки имеет экспериментальное подтверждение при окислении на воздухе алюминия и цинка в интервале температуры 20—255°С, меди—до 100°С, железа до 385°С. [c.50]

Логарифмический закон роста пленки экспериментально установлен для окисления на воздухе алюминия и цинка в интервалах температур 25—225° [И], никеля до 650 , железа до 375 [12], меди до 100 . [c.51]

Есть Несколько теорий, объясняющих логарифмический закон роста пленок. [c.52]

Ро ст пленок связан с ухудшением электронной проводимости плен ки эта теория, кроме того, привлекает для объяснения логарифмического закона роста пленок некоторые квантомеханические соображения [17]. [c.52]

Появление подобного добавочного фактора, тормозящего диффузию, может служить одной из причин, вызывающих переход от параболического к логарифмическому закону роста пленок. [c.87]

Логарифмический закон роста пленок....... [c.587]

Например, для титана при низких температурах выполняется логарифмический закон роста пленки она пассивирует его очень ста-бильно. При температурах 650—850° С он окисляется уже по параболическому закону, т. е. пассивируется частично, а при более высоких температурах окислится по линейному закону или пленка оксидов перестает быть защитной (Н. Д. Томашев) (рие. 213). t [c.512]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология