Случайные сетки электрические свойства

Таким образом, можно считать доказанной слабую диссоциацию в кристаллах но это утверждение потеряет значительную часть своей ценности, если мы вспомним, что диссоциация относится не к самому кристаллу, а только к тем случайным примесям, которые, не имея строго определенного, соответствующего их свойствам места в кристаллической решетке, легко подпадают под действие электрических сил. Снова возникает вопрос возможна ли частичная тепловая диссоциация ионов самой кристаллической сетки. Нам такое представление кажется вероятным можно себе представить, что некоторые ионы удаляются из своего положения равновесия настолько, что электромагнитное поле в кристалле не имеет более тенденции вернуть их в прежнее положение такой ион получает возможность двигаться между элементами кристаллической решетки, либо сохраняя свою индивидуальность, либо же замещая по пути один из однозначных с ним ионов сетки, который сам переходит на положение странствующего свободного иона. [c.130]

Несомненно также, что и ранее предложенные модели будут совершенствоваться. Так, глобулярная модель может быть развита и использована в нескольких вариантах а) модель касающихся глобул б) модель сросшихся глобул в) модель пространственной сетки цепей глобул г) агрегатов касающихся или сросшихся глобул. Варианты а) и в) описаны выше, более подробно — в работах [1, 72] в виде правильных упаковок и интерполяционных квазиупаковок. Однако более точное описание структуры лиогелей, процессов их старения, термического и гидротермального спекания ксерогелей, более детальный анализ механических и электрических свойств, а также теплопроводности корпускулярных структур может быть сделан на основе модели случайно упакованных глобул, причем в моделях правильных и случайно упакованных глобул должно быть учтено их срастание и агрегирование. Необходимо отметить, что такое уточнение требует экспериментального изучения неоднородности упаковки частиц в реальных системах и определения дополнительных параметров структуры, например функции распределения по числам касаний, относительной степени срастания, относительного размера агрегатов и соответствующего введения этих параметров в модель. Подходы к решению этих задач в некоторых случаях намечены. Например, трудоемким методом шлиф-срезов изучена неоднородность геометрического строения некоторых систем 84] в работах Щукина и Конторович [22] оптическими методами удалось определить размер агрегатов глобул в гидрогелях степень срастания можно оценить по соотношению геометрической поверхности глобул (определенной электронно-микроскопическим методом) и доступной для адсорбата поверхности (измеренной методом БЭТ), если точность обоих определений достаточно велика. Более или менее ясны и принципы моделирования этих систем. Реализация этих возможностей — вероятно. дело ближайшего будущего. [c.271]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология