Дворик диффузионный

Под действием силы тяжести диффузионные потоки искажаются вследствие того, что раствор в дворике кристаллизации имеет меньшую плотность из-за более низкой концентрации вещества (при росте Сг < j) и более высокой температуры . Это влечет за собой поднятие вверх легкого раствора из дворика кристаллизации и замену его более тяжелым. В стационарных условиях создается непрерывный концентрационный поток. При растворении кристалла направление его изменяется. Когда несколько различных явлений, обладающих разной симметрией, накладываются друг на друга, образуя одну систему, остаются лишь те элементы симметрии, которые являются общими для каждого явления, взятого отдельно (принцип Кюри). Это положение часто подтверждается огра-нением кристаллов. Кристаллы кварца совершенно симметричного огранения могут образоваться при условии, что зона призмы [0001] строго вертикальна. Только при этом L3 кварца совместится с симметрией конуса Lee оо Р и сохранится в огранении кристалла. Тригональная симметрия кварца начинает [c.62]

Под действием силы тяжести диффузионные потоки искажаются вследствие того, что раствор в дворике кристаллизации имеет меньшую плотность из-за более низкой концентрации вещества (при росте С2<С1) и более высокой тем- [c.42]

Устойчивые зародыши кристаллов 3S постепенно растут. Меж-, ду поверхностью растущего кристалла и расплавом образуется адсорбционный слой ( дворик кристаллизации ) из жидкости, содержащей в большом количестве ионы кристаллизующегося вещества, который служит источником питания растущего кристалла. В пределах этого слоя диффузия частиц из-за их повышенной концентрации оказывается замедленной. Следовательно, рост кристаллов, так же как и их растворение, складывается из двух процессов 1) диффузии ионов из расплава к граням кристалла через пограничный слой жидкости и 2) реакции присоединения ионов к грани и их ориентации на ней в соответствии со строением данной кристаллической решетки. Скорость этих процессов удовлетворительно выражается одним и тем же диффузионным уравнением Нернста ( 58). [c.199]

Уже в ранних опытах по росту кристаллов в очепь слабо пересыщенном растворе многократно отмечалось, что па некоторых гранях процесс роста не выявляется. Недавно этот факт был подтвержден А. Нейгаузом [90] на гранях куба Na l. При этом было особо отмечено еще и то, что рост граней кристалла отсутствует, когда они граничат с другими, явно растущими гранями. Очевидно, это явление связано с тем, что обычно двумерные зародыши возникают у углов (и, возможно, ребер). Одиако в случае огра-пения быстро растущими гранями пересыщение в этих зонах оказывается более низким отчасти вследствие образования диффузионных двориков, а отчасти, возможно, и вследствие отвода строительных элементов на соседние грани. [c.116]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология