Эффект индукционный I влияние на вторичное замещение

Рассмотренные в настоящей главе корреляционные соотношения между химическими сдвигами ЯМР и а-константа-ми Гаммета—Тафта дают отчетливое представление об электронной природе влияния заместителей на реакционную способность. Обширные исследования химических сдвигов Р э замещенных фторбензолов позволили принять их в качестве вторичной шкалы индукционных эффектов и эффектов сопряжения. В связи с этим ЯМР Р оказался весьма удобным методом для изучения влияния среды на донорно-ак-цепторные свойства заместителей. Кроме того, с его помощью удалось получить ряд соотношений, которые имеют предсказательную силу для а-констант. Полуколичественная теория экранирования ядер фтора дает возможность сопоставить параметры электронного строения производных фторбензола со шкалой а-констант Тафта. [c.425]

Замещение атомов водорода в кольце бензола электронодо-норными заместителями и миграция заряда с заместителя на кольцо нарушает гексагональную симметрию этого кольца, что приводит к Нарушению правил запрета, следствием чего является увеличение интенсивности полос поглощения. Так, если вторичная полоса у незамещенного бензола при 256 нм имеет —200, то у фенола и анилина эта полоса имеет е—1500 [15]. Увеличению интенсивности способствует также индукционный эффект [20]. Однако этот эффект оказывает сравнительно малое влияние на положение полос поглощения в замещенных бензола. Это связано с тем, что индукционный эффект приводит примерно к равном у повышению (в случае + /) или равному понижению (в случае —I эффекта) обоих я-уровней, между которыми осуществляется электронный переход. [c.82]

Справочник химика 21