Центры зародыши кристаллизации влияние веществ на рост зародыше

Напряжения, рассматриваемые автором статьи, соответствуют смещениям атомов твердого тела из их нормального положения в кристаллической решетке. Такие смещения не могут не быть тесно связанными с другими геометрическими (точнее структурными), а также с энергетическими и электронными свойствами твердого тела. Поэтому данное утверждение автора статьи неверно. Что касается активных центров, то это чаше всего точки роста кристаллов или зародыши кристаллизации их свойства зависят также от природы, числа и расположения соседних атомов, т. е. в частности от деформирующего влияния последних (А. Л. Баландин. Сб. Вопросы химической кинетики, катализа и реакционной способности , Изд. АН СССР, М., стр. 461, 1955). Структурные, энергетические и электронные свойства нельзя противопоставлять друг другу, так как все они зависят от строения вещества.— Прим. ред. [c.406]

Опишем процесс массовой кристаллизации из растворов и газовой фазы с учетом контактного вторичного зародышеобразования. Контактное зародышеобразование [30, 33, 38—41] осуществляется посредством маточных кристаллов, если они сталкиваются с другой поверхностью, которой может быть поверхность других кристаллов или стенок кристаллизатора и мешалки. Контактное зародышеобразование вызывает у исследователей значительный интерес, так как вклад его в образование кристаллов наибольший среди всех других видов зародышеобразования [35, 33, 39]. В опубликованных исследованиях для этого типа зародышеобразования контакт достигался или скольжением кристалла вдоль наклонной стеклянной поверхности, погруженной в пересыщенный раствор того же самого вещества [30], или столкновением с мешалкой, или же контрольным ударным контактом между кристаллической затравкой и прутком, сделанными из различных материалов [33, 40]. Существует непосредственная корреляция между числом образовавшихся зародышей и энергией удара при постоянной площади соприкосновения. Авторы работ [33, 42] отмечают сильную зависимость скорости контактного зародышеобразования от пересыщения и предлагают объяснение этого механизма новые центры образуются в жидкой фазе около кристалла или происходят из затравочного кристалла в результате истирания при соударении, при котором от поверхности кристалла откалываются маленькие кусочки, но выживают и получают право на дальнейший рост только те, размер которых больше критического для данного пересыщения. Изучению влияния на контактное зародышеобразование размеров затравочных кристаллов и интенсивности перемешивания посвящены работы [40, 43]. [c.47]

Механизм влияния твердой фазы многообразен. Если речь идет о кристалликах самого получаемого соединения, то их действие сводится к инициированию появления новых зародышей и к ускорению фазового превращения за счет собственного роста [2, 12. Влияние изоморфных примесей почти аналогично влиянию кристалликов осаждаемого вещества. Здесь играет роль близость кристаллической структуры. И, наконец, действие нерастворимых примесей неизоморфных веществ объясняется возможностью кристаллизации на их поверхности. Предполагается, что энергия образования центра кристаллизации на поверхности ниже, чем в объеме [2]. [c.25]

Рассмотрим процесс кристаллизации расплава индивидуального вещества, пренебрегая содержащимися в нем примесями. При охлаждении расплава до температуры плавления соответствующего ему твердого вещества в нем возникают флуктуации плотности, которые представляют собой относительно большие скопления частиц (молекул, атомои или ионов) вещества с ориентированным расположением, приближенно подобно тому, как это имеет место в кристаллической решетке. Такие скопления можно рассматривать как некие комплексы, агрегаты или ассоциаты их иногда называют дозародышевыми образованиями. Но они еще не являются стабильными образованиями число частиц в них вследствие теплового движения в расплаве различно и не постоянно. Сталкиваясь друг с другом, такие конфигурации групп частиц могут укрупняться или распадаться в зависимости от соотношения действующих в них межмолекуляр-ных сил и воздействия на эти частицы молекул расплава. При дальнейшем понижении температуры расплава, т. е. при его переохлаждении, преобладающее влияние будет проявлять первый из указанных эффектов. Размеры образований при этом в целом будут увеличиваться до некоторой критической величины. В результате в расплаве начинается образование зародышей кристаллов ( критических кластеров ), которые и становятся центрами кристаллизации. Скорость их образования определяется заданным переохлаждением расплава. По достижении определенного переохлаждения расплава после образования в нем зародышей кристаллов на последних начинается выделение твердой фазы, характеризующееся той или иной скоростью роста образующихся кристаллов. Одновременно может [c.106]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология