Электролитическое образование кристаллических соединений

Как известно, при формировании электролитических осад ков значительное количество посторонних частиц, находящихся в электролите, включается в осадок в результате адсорбции поверхностно-активных веществ, миграции под действием электрического поля, образования химического соединения с осаждаемым металлом, механического включения и т. д. Одни из них включаются в кристаллическую решетку, другие располагаются по границам зерен. Изменение расстояния между кристаллами может произойти по следующим причинам. Во-первых, это может иметь место вследствие того, что молекулы поверхностно-активных веществ, особенно органических, находящиеся в двойном электрическом слое, под действием электрического поля деформируются, вытягиваясь в определенном направлении. По мере роста кристаллов и перемещения границы двойного слоя в сторону электролита действие поля на включенные молекулы прекращается и последние стремятся принять нормальную форму, раздвигая кристаллы. [c.147]

Вследствие особого характера кристаллической решетки металлов различные присутствующие в растворе соединения практически не захватываются при электролитическом осаждении металлов. Здесь, следовательно, не наблюдается явление соосаждения. При очень крупнозернистых осадках иногда захватывается немного самого электролита, удерживающегося между отдельными кристаллами осадка. В некоторых случаях наблюдается образование сплавов. [c.190]

Перечисленные особенности ионной связи определяют свойства веществ хрупкость, высокие температуры плавления и кипения, малую летучесть, электролитическую диссоциацию в растворах и расплавах, преимущественную растворимость в полярных растворителях. Прочность кристаллической решетки ионных соединений определяется энергией кристаллической решетки — количеством энергии, выделяющейся при образовании 1 моль кристаллов из ионов, взятых в газообразном состоянии. Так г<ак заряды ионов неоди- [c.90]