Источник ионов триггерный

НЫМ импульсом, И дуговой разряд, модулированный высоковольтными импульсами. Наконец, в триггерном источнике ионов применяются как ионы высоковольтного пробоя, так и ионы дуговой фазы. [c.25]

В 1964 г. Хениг и сотрудники в качестве источника ионов для масс-спектрографического анализа твердых веществ применили короткие униполярные высоковольтные импульсы. Триггерные [c.48]

В искровом источнике ионов (как в серии отдельных пробоев, так и при использовании униполярного триггерного разряда) образуются разнообразные ионы. Это может быть результатом совершенно различных механизмов, действующих либо в различных локальных областях, либо в разные интервалы времени. Например, многозарядные ионы (с зарядом десять или более) обычно образуются в высокочастотном искровом источнике. Такие ионы могут образоваться только в результате столкновений электронов. Поскольку порог ионизации для этих многозарядных ионов намного выше 1 кэВ, для их образования требуются электроны высоких энергий. С другой стороны, наличие большого числа отрицательных ионов указывает на то, что они никогда не сближаются с электронами, обладающими энергией больше 20 эВ. Они должны образовываться либо присоединением электронов с энергией ниже 1 эВ при поверхностном распылении, либо путем ионизации Саха—Ленгмюра с горячих пятен поверхности. Еще менее понятно образование отрицательно заряженных молекулярных ионов. Например, в случае графитовых электродов масс-спектральным методом обнаружены отрицательные частицы углерода вплоть до С (Хикем, Суини, 1963 Хинтенбергер и др., 1963). В случае металлических электродов в высокочастотной искре образуются многочисленные неорганические, металлоорганические и органические отрицательные молекулярные ионы (Шуи и др., 1964). Можно предположить, что эти молекулярные ионы образуются при столкновении с электронами низких энергий. С другой стороны, были обнаружены и положительно заряженные ионы углерода вплоть до Сз4 , а также Вега , А1д+, Рее , Сиз , Ti5+ и Mg5 (Францен, Хинтенбергер, 1961). [c.35]

До настоящего времени отсутствуют данные по измерению кинетической энергии ионов, накопленной ими за период единичного акта высоковольтного пробоя. Измерения кинетических энергий проводились исключительно для ионов, полученных в двух источниках ионов короткоимпульсном триггерном и высокочастотном искровом, в обоих случаях на энергию ионов могут влиять процессы, следующие за пробоем, и разброс ионов по энергиям можно изменить, используя селективность некоторых источников ионов специальной конфигурации. Двухмйкро-секундный короткоимпульсный триггерный источник позволяет получить ионы с разбросом энергий на единицу разряда около 500 В на 10%-ной высоте пика> в то время как соответствующий разброс ионов по энергиям в высокочастотном искровом источнике впятеро больше (Вулстон, Хениг, 1964). Однако ионы короткоимпульсного триггерного источника могут быть смешаны с ионами низкой энергии последующей дуговой фазы, а ионы высокочастотной искры могут быть дополнительно ускорены при возрастании напряжения после пробоя (Францен, 1963). Поэтому истинные значения разброса по энергиям ионов, образующихся в процессе пробоя, составляют 0,5—2,5 кВ. [c.36]

На рис. 2.13 изображен источник, специально сконструированный для триггерного низковольтного разряда (Францен, Шуи, 1967). Искровая камера находится под ускоряющим напряжением, а соседние заземленные поверхности округлены и отполированы, чтобы избежать пробоя. Дуга экранируется как можно надежнее, чтобы свести к минимуму утечки ионного тока. Боковые окна искровой камеры 3, через которые вводятся электроды, закрыты экранирующими пластинами, смонтированными на держателях электрода. Во избежание появления какой-либо фокусировки в пределах камеры высоковольтная щель [c.59]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология