Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Поверхности изменения во время ионного распыления

    С точки зрения теории процессов ионного распыления исследования углового распределения эмиттированных частиц, выполненные на поли-кристаллическом материале, значительно менее интересны, чем подобные исследования на монокристаллах. О них пойдет речь в следуюш,ем разделе. С практической точки зрения не будет большой ошибкой предположить косинусное распределение распыленного материала. Изменения в характере получаемого на практике распределения обычно будут сильно зависеть от выбранных мишеней. Например, листовой материал или фольга получаются обычно прокаткой и имеют преимущественную ориентацик . Это может оказаться главным фактором, определяющим угловое распределение распыляемого материала. Кроме того, топография поверхности, которая может изменяться за время использования мишени, также чаете является важным фактором, влияющим на получаемый результат. [c.385]


    Величина отрицательного заряда, локализованного на поверхности диэлектрика, такова, что полный ток ионов за один период в точности равен току электронов, т. е. суммарный ток равен нулю, что и должно быть в случае диэлектрика. При частотах 10 Гц и выше ион аргона на пути из плазмы к мишени не может пройти всю ионную оболочку за один период, и на короткое время в каждый период он оказывается в ней- -ральной плазме. Таким образом, этот ион В течение следующих один за другим периодов многократно ускоряется и никогда не испытывает замедления, поскольку в электронной оболочке с ее высокой электропроводностью не могут поддерживаться высокие градиенты электрического поля. Для оценки наиболее приемлемого частотного диапазона в трехэлектродной системе ВЧ распыления руководствуются следующими соображениями. Если внешний или внутренний конденсатор имеет очень малую емкость, то он в результате ионной бомбардировки мишени очень быстро теряет свой заряд. Так, при емкости такого конденсатора 10 пФ/см и плотности ионного тока 10 мА/см скорость изменения напряжения ка кои-денсаторе составляет 10 В/с. Если изменения напряжения иа конденсатора за период не превышают 100 В, то следует работрь на частотах выше 10 МГц. Для меньших плотностей ионного тока и больших емкостей можко использовать более низкие частоты. Верхний предел частотного диапазона определяется временами пролета электронов. [c.366]


Технология тонких пленок Часть 1 (1977) -- [ c.390 , c.392 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Поверхности изменения во время ионного

Распыление

Распыление и поверхности



© 2025 chem21.info Реклама на сайте