Отжиг кристаллов люминофоров

Процессы, вызываемые отжигом люминофоров на воздухе и в нейтральной среде. При медленном охлаждении люминофоров после прокаливания концентрации атомных дефектов, а также распределение их в кристаллах успевают измениться (см. гл. IV—VI), [c.310]

Из вышеизложенного следует, что падение интенсивности люминесценции фосфоров типа ZпS-Ag- при их отжиге в вакууме обусловлено как уменьшением концентрации центров свечения Ag zn, точнее, отношения Ссв/Ст, так и увеличением реабсорбции излучаемого света при выделении из решетки Ag2S. В случае 7п5 ZпSe-Ag, С1-фосфоров выделяющийся в вакууме селенид серебра, Ag2Se, разлагается на Ag и 5е [43]. Для ослабления указанного действия отжига на люминофоры нужно не только стремиться к снижению плотности линейных и поверхностных дефекто-в, но и по возможности защищать кристаллы от непосредственного контакта с эвакуированным пространством, например путем использования защитных покрытий, прозрачных для излучаемого света. [c.313]

Как видно из уравнения (V.13), при понижении температуры тенденция дефектов к ассоциации должна возрастать. Действительно, отжиг люминофоров при относительно низких температурах вызывает иногда образование ассоциативных центров свечения, концентрация которых в закаленных , т. е. резко охлажденных после прокалки люминофорах, незначительна (см. 2 этой главы). Однако следует иметь в виду осложнения, связанные с дальнейшей ассоциацией, приводящей в конечном итоге к выделению активатора и соактиватора из решетки в виде отдельной фазы. Включения ее могут образовывать макроскопические дефекты в кристалле. Так, ассоциативный дефект AgznGazn можно рассматривать как зародыш фазы AgGaS2, имеющей структуру, подобную ZnS [60]. Выделение избытка активатора из решетки приводит к [c.151]

При получении промышленных кристаллофосфоров необходимо считаться с тем, что обработка, которой они подвергаются после прокаливания, может весьма существенно изменить их свойства, причем эти изменения зависят не только от способа обработки, но и от условий прокаливания. Здесь речь идет о таких операциях, как удаление плавня, дробление, в тех случаях когда это оказывается необходимым, промывка растворами электролитов и покрытие поверхности пленками, препятствующими слипанию зерен друг с другом или обеспечивающими их адгезию к подложке, а также нанесение экрана и его отжиг в вакууме (если экран находится внутри вакуумного прибора). К этому следует добавить облучение люминофора и действие атмосферной влаги. При рассмотрении физической химии дефектов в кристаллосфосфорах уже частично затрагивались явления, которые происходят при упомянутых операциях и при эксплуатации фосфоров. В гл. УП, 3 говорилось о падении интенсивности люминесценции, вызываемом механической деформацией кристаллов при их растирании и дроблении. В гл. IV, 2 обсуждался механизхм действия электроотрицательных адсорба-тов, приводящих к снижению яркости и фотопроводимости полупроводниковых фосфоров п-типа. В гл. III рассматривалось образование радиационных дефектов, а в гл. V, 2 — влияние дислокаций на фотолиз люминофоров при совместном действии света и влаги. В этой главе основное внимание будет уделено процессам, происходящим при удалении плавня и при отжиге люминофоров в вакууме. Вопросы, относящиеся преимущественно к технологии изготовления экранов, такие, как, например, влияние условий получения и обработки люминофоров на агрегативную устойчивость их в суспензиях (см. [12]), здесь рассматриваться не будут. [c.304]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология