Дефекты атомные концентрация

Таким образом, в любом твердофазном материале одновременно присутствуют различные виды электронных, атомных или ориентационных дефектов, причем концентрация каждого из них является функцией температуры, давления и состава системы. [c.79]

Тот факт, что основным объектом изучения долгое время являлись лишь кристаллические катализаторы как таковые или нанесенные на какие-либо носители, для которых не существует практической возможности ни создавать заданный размер и форму огранения кристаллов, ни задавать концентрацию на них атомной фазы и других дефектов решетки, ни количественно учитывать эти факторы ТВ уже готовом катализаторе, — эта кристаллическая традиция в катализе на некотором этапе оказалась тормозящим фактором в развитии теории катализа. [c.6]

Согласно современным представлениям, все твердые полимерные тела существенно неоднородны на различных уровнях их организации — молекулярном, топологическом, надмолекулярном. Здесь мы будем понимать под неоднородностями структуры такие отклонения в флуктуации плотности или в размерах упорядоченных областей, которые превышают статистические, термодинамические флуктуации при данных условиях. Имеются и другого типа неоднородности структуры, которые мы будем называть технологическими дефектами (пузырьки, поверхностные трещины и т. п.), которые обычно связаны с технологией получения полимерного образца. Действуя на неоднородный материал, поле напряжений становится также неоднородным и создает концентрацию напряжений в окрестности любого дефекта, что в конечном счете приводит к локальным пластическим деформациям и разрывам атомных связей, причем в первую очередь рвутся наиболее напряженные связи. Разрыв связи происходит под действием флуктуаций энергии теплового движения, а действующее механическое напряжение уменьшает потенциальный барьер, который необходимо преодолеть для разъединения атомов [81—85]. Накопление достаточного количества разрывов приводит к образованию субмикроскопических трещин (до нескольких сот ангстрем в направлении растягивающей силы и тысяч ангстрем в направлении, перпендикулярном направлению действующей силы). Длина субмикроскопических трещин обычно совпадает с размерами надмолекулярных образований полимера [95]. [c.218]

Кейер и Чижикова [71 ] исследовали окисление окиси углерода на окиси цинка, па окиси ципка, содержащей от 0,5 до 1,2% атомн. лития, и на окиси цинка с 1 % атомн. галлия. Они нашли, что 1) присутствие лития повышает энергию активации электропроводности окиси цинка, 2) адсорбция кислорода понижает электропроводность за счет уменьшения концентрации электронов, 3) примесь лития тормозит адсорбцию окиси углерода и ее окисление на ZnO и 4) энергия активации окисления окиси углерода повышается при прибавлении лития, но остается неизменной при прибавлении галлия. Отсюда был сделан вывод, что механизмы окисления на ZnO и NiO сходны. Литий изменяет электронно-обменные свойства ионов цинка, связанные с наличием дефектов в ZnO и, таким образом, в значительной степени понижает концентрацию свободных электронов. Полученные данные объясняются влиянием примесей, о которых упоминалось ранее. Адсорбция кислорода не определяет скорость. Тем не менее она в значительной степени влияет на стадию, которая определяет скорость окисления. Такой стадией может быть либо адсорбция СО, либо взаимодействие адсорбированного кислорода с окисью углерода из газовой фазы. В последнем случае повышение энергии активации реакции с концентрацией лития приводит к понижению скорости реакции. [c.335]

Возможность существования поверхностных состояний была впервые рассмотрена Таммом [1], который пришел к выводу, что соответствующие им уровни лежат в запрещенной зоне. Можно предположить, что эти поверхностные состояния возникают различными путями. Они могут включать в себя уровни, получающиеся из сложных атомных уровней [2], уровни, образующиеся вследствие изменения потенциала Маделунга в поверхностной области [3] и вследствие присутствия адсорбированных веществ [4], и уровни, связанные с такими обычными поверхностными нарушениями, как трещины Смекала, спиральные дислокации и другие дефекты. Особенности уровней Тамма были теоретически рассмотрены многими авторами [5]. Предполагается, что число локализованных поверхностных состояний может соответствовать числу поверхностных атомов. Энергетические уровни, соответствующие этим поверхностным состояниям, могут быть или дискретными, или равномерно распределенными по всему промежутку между заполненной зоной и зоной проводимости. Последнего можно ожидать при высоких концентрациях примеси. Бардин [5] утверждает, что, если плотность поверхностных состояний достаточно велика (больше 10 ш ), на свободной поверхности может образоваться двойной электрический слой, возникающий вследствие поверхностного заряда, вызванного электронами, находящимися в этих состояниях. Этот заряд будет индуцировать объемный заряд противоположного знака, распространяющийся примерно на 10 см внутрь кристалла. Согласно Бардину, это приводит к независимости работы выхода электрона для таких веществ от высоты уровня Ферми внутри материала и, следовательно, к независимости ее от содержания примесей в объеме. Этот постулат распространяется и на поверхности раздела металл — полупроводник. В данном случае металл стремится расширить поверхностные состояния полупроводника. Однако, когда это расширение мало по сравнению с шириной запрещенной зоны, пространственный заряд полупро-водника не зависит от металла. В тех случаях, когда расширение значительно по сравнению с запрещенной полосой, не может быть сделано никаких выводов. [c.168]

Простейшие типы атомных дефектов — точечные дефекты типа вакансий и внедренных атомов. Их образование можно представить как процесс, в результате которого часть атомов или ионов покидает регулярные позиции в узлах решетки и переходит в промежуточные положения, называемые междоузлиями. Незанятый узел решетки носит название вакансии. Неизбежность структурного разупорядочения лри Г>0°К легко обосновать термодинамически. Для элементарного кристалла концентрация вакансий выражается соотношением типа [c.103]

Результаты расчета характеристических чисел и,- представлены в табл. 21 и на рис. 43 изображена одна из диаграмм в координатах 1п 1] =/(1п роа), построенная для ортоферрита лития различного состава. Нетрудно убедиться, что для фиксированного состава и постоянной температуры изменение парциального давления кислорода в газовой фазе существенно сказывается на концентрации атомных и электронных дефектов, приводя даже к [c.131]

И поверхностных дефектов тем, что они находятся в тепловом равновесии . Поэтому невозможно получить идеальные кристаллы при нормальной температуре. Даже если бы они были свободны от дислокаций и не имели бы каких-либо поверхностных дефектов, при температуре, отличающейся от 0° К, следовало бы считаться с определенной равновесной концентрацией атомных дефектов. Такой вид неупорядоченности называется поэтому собственной или термической (термодинамической) неупорядоченностью. [c.217]

Влияние температуры на электропроводность полупроводника является результатом того, что с изменением температуры материала изменяются концентрация и подвижность носителей тока. Влияние температуры нагрева на подвижность носителей тока зависит от рода решеток. Для атомных решеток и выражается зависимостью и = АТ р, где р = 2 [8], и фактически обусловливается рассеиванием волн неоднородностями двух типов нарушением однородной структуры тела всевозможными дефектами решетки и флуктуационными неоднородностями, возникающими нри тепловых колебаниях атомов решетки. [c.92]

Приведенные данные показывают, что добавки АЬОз и щелочноземельных окислов приводят к увеличению концентрации потенциальных зародышей, а добавки окиси калия — напротив к ее снижению. Интерпретация этих результатов, естественно, требует детального исследования. Качественно можно предполагать, что для различных добавок проявляется действие разных факторов. В частности, окислы щелочноземельных металлов, по-видимому, действительно способствуют образованию более дефектной решетки железа при восстановлении из окислов. Влияние окиси калия может быть и кажущимся, связанным с обсуждавшимся выше возможным уменьшением скорости реакции (а соответственно, и степени превращения в момент максимума скорости реакции), которое обусловлено недостаточной скоростью процесса переноса щелочи от поверхности образца. Влияние окиси алюминия, по-видимому, связано с ее сильным структурообразующим действием. В самом деле, общая удельная поверхность образцов, содержащих добавку окиси алюминия, достигает 20 м /г (см. табл. 6.1). Это означает, что толщина стенки между смежными порами становится порядка 100 атомных слоев. Можно ожидать, что такое резкое увеличение дисперсности железа приведет к увеличению концентрации различных дефектов, в том числе структурных. [c.130]

Важнейшей особенностью кристаллов нестехиометрических соединений, отличающей их, нанример, от собственных полупроводников, является довольно высокая концентрация атомных дефектов даже при отсутствии чужеродных примесей. Так, избыток металлического компонента М в не.стехиометрическом кристалле МХг-б может реализоваться либо за счет соответствующего числа междуузельных катионов, либо за счет вакансий в анионной подрешетке. Напротив, при избытке неметаллического компонента X кристалл МХ +б должен содержать соответствующее число либо междуузельных анионов, либо вакансий в катионной подрешетке. [c.41]

Взаимодействие дефектов при высоких концентрациях может приводить по крайней мере к двум различным эффектам [32, 33]. Первый из них заключается в ассоциации атомных дефектов в различного рода комплексы. Простейшие из них, парные, будут рассмотрены ниже (см. раздел 5.3) для примесных ионных кристаллов. Более сложные комплексы, содержащие более двух атомных дефектов, получили название кластеров. [c.48]

На основании соотношений (2.41) — (2.43) химические потенциалы ионов в дефектном кристалле могут быть выражены через концентрации различных атомных дефектов с подходящими значениями эффективных зарядов. Так, используя формулу (2.14), выразим химические потенциалы основных компонентов кристалла через концентрации вакансий [c.70]

Вообще говоря, атомным дефектам в решетках металлов, так же как и в неметаллических кристаллах, должны соответствовать определенные локальные уровни электронов в запрещенной зоне, поэтому атомные дефекты в металлах могут захватывать электроны или дырки и иметь различные эффективные заряды. Однако коллективизированные электроны вследствие очень высокой их концентрации сильно экранируют заряды дефектов, так что электростатическое поле, создаваемое каждым дефектом, практически полностью гасится на расстояниях порядка межатомного. Таким образом, благодаря экранирующему действию коллективизированных электронов атомные дефекты в металлах можно рассматривать как нейтральные и полагать их эффективные заряды равными нулю. [c.72]

В соединениях, имеющих строго стехиометрический состав АВг (г —целое число или простая дробь), концентрации атомных дефектов связаны простыми соотношениями, вытекающими непосредственно из уравнения реакции их образования. [c.78]

Вычислим равновесные концентрации нейтральных атомных дефектов в нестехиометрическом кристалле АВ1+6 в зависимости от степени отклонения от стехиометрического состава б. Здесь мы полагаем для простоты, что число узлов в обеих подрешетках одинаково и стехиометрический коэффициент г равен единице. В таком кристалле концентрации атомов связаны соотношением [c.80]

Изложенная выше теория описывает строение чистых металлов и интерметаллических соединений при малой степени разупорядоченности, когда отклонения от упорядоченной структуры можно представлять как точечные дефекты. Очевидно, что такое представление весьма ограничено. Оно явно не применимо к твердым растворам с широкой областью гомогенности, в которых концентрации обоих компонентов могут изменяться в пределах до десятков атомных процентов. Кроме того, сплавы, состав которых близок к стехиометрическому и которые при низких температурах рассматриваются как интерметаллические соединения, при достаточно высоких температурах ведут себя как твердые растворы. Это связано с тем, что при высоких температурах атомы различных сортов статистически распределяются по узлам решетки. При этом понятие точечных дефектов теряет смысл, и для таких сильно разупорядоченных систем необходимо специальное описание [41—43]. [c.87]

Уравнение (4.2) аналогично уравнениям (3.12), (3.16) и (3.20), полученным в предыдущей главе для реакции собственного атомного разупорядочения, и является основным соотношением, определяющим концентрации электронных дефектов в собственных полупроводниках. [c.103]

Из соотношения (4.6) вытекает физический смысл константы собственной ионизации Кг. это есть равновесная концентрация электронных дефектов в собственном полупроводнике, аналогично тому как константа Шоттки есть равновесная концентрация дефектов Шоттки в кристалле с атомной разупорядоченностью. Формула (4.7) показывает, что концентрация электронных дефектов экспоненциально растет с температурой аналогично концентрациям собственных атомных дефектов, рассмотренных в предыдущей главе. [c.103]

Независимо от характера электронной разупорядоченности в любом полупроводниковом кристалле с неионной химической связью всегда имеется собственная атомная разупорядоченность, включающая один или несколько сортов нейтральных атомных дефектов их равновесные концентрации определяются соотношениями, выведенными в гл. 3. Однако общая картина атомной разупорядоченности в полупроводниках обычно значительно сложнее, чем в металлических кристаллах, поскольку атомные дефекты в результате взаимодействия с электронами проводимости или дырками могут переходить в заряженное состояние. При значительных концентрациях заряженных атомных дефектов их следует учитывать в условии электронейтральности и, таким образом, нужно рассматривать комбинированную атомно-электронную собственную разупорядоченность. [c.111]

К нульмерным, или точечным, дефектам относятся вакансии (незанятые места в структуре), любые примесные частицы (атомы, ионы, молекулы), находящиеся как в узлах структуры, так и в межузлиях, а также собственные межузельные частицы. К этим дефектам приводит тепловое движение атомов. Чем выше температура, тем больше таких дефектов существует в кристалле. При тепловом равновесии вблизи температуры плавления в кристаллах большинства веществ доля вакансий от общего числа атомных мест в идеальной решетке достигает примерно 10 , доля меж-узельных атомов — приблизительно 10" . Вакансии, кроме того, образуются при вхождении в кристалл примесей с валентностью, отличной от валентности основных строительных единиц кристалла. Так, наличие примеси Са + в кристаллах НаС1 обусловливает существование катионных вакансий в количестве, соответствующем атомной концентрации примеси. [c.5]

В гл. IV были рассмотрены условия установления полного внутреннего равновесия в кристаллах, взаимодействующих с внещней фазой заданного состава при заданной температуре. Состояние равновесия характеризуется равенством химических потенциалов всех компонентов в сосуществующих фазах. Равновесные концентрации всех видов заряженных дефектов (атомных и точечных) связаны уравнением злектронейтральности, уравнениями, характеризующими обмен атомами между кристаллом и средой, и уравнениями, описывающими ионизацию дефектов. Следовательно, структурно-чувствительные свойства кристаллов зависят от процессов обмена атомами между объемом кристалла и внешней фазой. [c.358]

Таким образом, в любом твердофазном материале одновременно присутствуют разные виды электронных, атомных или ориентационных дефектов, причем концентрация каждого из них является однозначной функцией температуры, давления и состава системы, если последняя находится в равновесии. Однако эта однозначность наблюдается с заметными отклонениями лишь в реальном неравновесном кристалле, в котором помимо электронных и атомных дефектов, как правило, присутствуют линейные дефекты (дислокации) и двумерные дефекты типа границ зерен в по-ликристаллических материалах, двойниковых границ и дефектов упаковки. [c.125]

Это значит, что с ростом температуры число активных центров на единицу поверхности сначала растет и, только начиная с определенной температуры, убывает. Подобные кривые невозможно объяснить, исходя из представления о спекании как о поверхностном плавлении активных центров или исходя из эффекта, связанного с уменьшением общей повмхности с повышением температуры. Это явление с позиций термодинамики было рассмотрено О. П. Пол-торакои, который исходил из следующей модели активные центры являются атомной фазой , адсорбированной на поверхности кристалла. При этом оказалось, что для мелкодисперсных кристаллов количество атомной фазы иа единицу поверхности уменьшается с ростом кристаллов. Таким образом, с изменением температуры протекают два конкурирующих процесса сначала при повыщении температуры обработки катализаторов увеличивается число дефектов, а следовательно, и их поверхностная концентрация ири дальнейшем повышении температуры увеличение числа дефектов и их подвижности приводит к росту кристаллов, а следовательно, к уменьшению поверхностной концентрации дефектов. [c.338]

В формуле (292) II — энергия активации процесса разрушения, у — коэффициент (показатель концентрации напряжений), Т — температура. Величина То (То 10 с) оказалась практически одинаковой для любых твердых тел и их состояний. Энергия и сохраняется постоянной для данного вещества при любом воздействии (отжиге, механической обработке, легировании, облучении и т. д.). В отличие от Тц и 17о коэффициент у легко изменяется в зависимости от обработки тела. Член 70 выражает ту работу, которую в разрушении тела выполняет внешняя сила (напряжение о). Остальную часть работы, т. е. и — "уа, выполняют тепловые флуктуации. Из того факта, что при различных обработках данного вещества величина и остается постоянной, а изменяется лишь коэффициент 7, следует важное заключение межатомное воздействие, определяемое ближним порядком в расположении атомов, не меняется при варьировании состояния вещества. Меняется, следовательно, не атомное строение тела, а надатомное (субатомное), т, е. происходят изменения взаимодействия, формы и величины областей с размерами в десятки—сотни атомных. Наличие такой субатомной структуры или дефектов определяет локальные напряжения в теле, а изменение данной структуры ведет к изменению уровня перенапряжения (к изменению 7). [c.183]

При Г. р. с участием одного или неск. твердых реагентов часто образуются твердофазные продукты. Такие р-ции, как правило, локализованы на пов-сти раздела фаз или в поверхностном слое и обычно протекают нестационарно. Они характеризуются периодом индукции, в течение к-рого возникают зародыши (ядра) новой фазы. Их образование связано с перестройкой атомной структуры твердого реагента и требует затраты энергии. Поэтому такие Г. р. чувствительны ко всем нарушениям структуры, облегчающим образование зародышей, и м.б. активированы термич., радиац., мех. и др. воздействиями, увеличивающими концентрацию дефектов, в первую очередь плотность дислокаций (см. Дефекты в кристаллах). Кинетич. ур-ние р-ции в этом случае отражает изменение во времени не только концентраций реагирующих в-в, но и пов-сти раздела твердых фаз реагента и продукта по мере роста зародышей пов-сть раздела увеличивается и скорость р-ции сначала возрастает, затем проходит через максимум и снижается вследствие соприкосновения растущих зародышей и образования сплошного слоя твердого продукта (подробнее см. Топохи-мические реакции). [c.537]

В кристаллич. решетке Г. могут наблюдаться вздутия, искривления углеродных сеток и дефекты тонкого строения. В результате коагуляции вакансий могут образоваться микрополости диам. до 3 мкм. Объединение отдельных участков этих дефектов приводит к возникновению краевых дислокаций, а также дислокац. петель величиной 0,1-1,0 мкм. Концентрация вакансий в Г. увеличивается при его нагревании, напр, при 3650 °С она достигает 0,5 атомных %. Дефекты могут возникать и при внедрении в решетку как [c.607]

Следует заметить, что избыток "замороженных" в процессе электро-кристаллизации железа вакансий, стекая в петли, как экспериментально установлено Ё.А.Мамонтовым [ЗЗб], служит источником дислокаций.Ш менее важным обстоятельством для дальнейшего обсуждения физико-механических свойств злектроосажденного железа является зависимость мии-роискажений кристаллической решетки от концентрации вакансий ь кристалле [35Э,. 360] П, где п - атомная доля дефектов Уд - атомный объем совершенного кристалла - изменение объема, вызванное деформацией вокруг одного дефекта. [c.98]

Полученная серия выражений позволяет предсказывать концентрации различных атомных дефектов, а также возможные концентрации дырок и электронов для различных давлений d и lg во внешней среде. Экспериментальное исследование всех этих областей пока невозможно, тем не менее полученные результаты можно объяснить на основе рассмотренных выше равновесий. Так, при высоких значениях P d и Рс1г все вакансии в подрешетке серы заняты атомами хлора и концентрация электронов [е ], а, следовательно, и [ lsl, зависит от [см. уравнение (5.38)]. [c.105]

Расчет дефектов по Шоттки можно выполнить с помощью известных термодинамических функций состояния. При возникновении дефектов в рещетке повышается как внутренняя энергия U, так и энтропия системы S. Равновесная концентрация дефектов получается тогда из условия минимума свободной энергии, из уравнения AF—AU—TAS (7.15). Следовательно, расчет концентрации дефектов сводится к определению величин AU и AS. Предположив, что никакого изменения объема не происходит и концентрация дефектов настолько мала, что исключается взаимное влияние атомных дефектов структуры, можно вычислить концентрацию дефектов по Шоттки для моноатомного кристалла, т. е. для кристалла, состоящего из атомов одного сорта. [c.218]

Активное состояние при предельном отклонении от идеального кристалла можно представить себе как суммарный результат действия нарушающих факторов. Активное состояние наступает вследствие сильного увеличения поверхности, высокой концентрации дислокаций и атомных дефектов и из-за деформации решетки. Активные твердые вещества по сравнению с малоповреж-денными (нормальными) кристаллами имеют увеличенную энтальпию и обнаруживают повышенную способность к химическим реакциям. [c.434]

Заметим, что при малых концентрациях дефектов число узлов практически равно общему числу атомов и доли мест дефектов, расположенных в узлах решетки, практически совпадают с их атомными долями (отношение числа дефектов к числу атомов). На этом основании вместо долей мест часто говорят об атомных долях дефектов. Однако доля мест не равна атомной доле для междуузельных атомов, если общее число междуузлий не равно числу узлов и, следовательно, общему числу атомов. [c.62]

Полученные выражения для химических потенциалов дефектов можно значительно упростить, если концентрации дефектов достаточно малы (используемое приближение слабо взаимодействующих дефектов лучше всего оправдано именно при малых концентрациях). В этом случае доли нормально занятых узлов [Ад] и незанятых междуузлий [ 1] можно принять равными единице, тогда выражения для химических потенциалов как атомных дефектов (2.14) — (2.16), так и электронных дефектов (2.18) и (2.21) представятся одной общей формулой для дефектов сорта к [c.64]

Большинство простых металлов кристаллизуется в плотно-упакованные решетки, в которых размеры междуузлий значительно меньше размеров атомов. Поэтому внедрение атомов в междуузлия для них требует больших затрат энергии. Кроме того, энергия реакции перехода атомов в междуузлия с поверхности кристалла Wшi содержит дополнительное слагаемое — теплоту сублимации В результате значения энергии реакции оказываются слишком большими по сравнению с энергией тепловых колебаний, и концентрация междуузельных атомов в большинстве металлов ничтожно мала даже при самых высоких температурах. Так, если в меди при 1000 С доля вакантных узлов составляет л 10 , то доля междуузельных атомов я 10 . Поэтому собственные атомы в междуузлиях металлических кристаллов не играют сколько-нибудь существенной роли, и в решетках чистых металлов вакансии можно считать единственным типом собственных атомных дефектов. [c.75]

Зависимость концентрации нейтральных атомных дефектов в нестехиометрическом бинарном соединении АВ5 5 от степени откионения от стехиометрического состава б. [c.81]

Кривые для зависимости концентраций антиструктурных дефектов от б идут более полого, чем для дефектов Шоттки или Френкеля наклон асимптот, изображенных пунктирными прямыми на рис. 3.1, для антиструктурных дефектов вдвое меньше, чем для дефектов Шоттки и Френкеля. Такое различие обусловлено следующим. В случае дефектов Френкеля и Шоттки все избыточное содержание одного из компонентов реализуется через дефекты, так что при больших отклонениях от стехиометрии концентрации доминирующих атомных дефектов приблизительно равны б . В случае же антиструктурных дефектов половина избыточного компонента размещается в узлах собственной подрешетки и только оставшаяся половина расходуется на образование дефектов. Поэтому при больших 1б концентрации доминирующих дефектов приблизительно равны 6/2 . [c.85]

Характерной чертой фаз внедрения являются очень широкие области гомогенности, зачастую достигающие десятков атомных процентов. Поэтому понятие точечных дефектов для таких систем, вообще говоря, лишено смысла. Так, в системе Pd—Н отношение числа атомов водорода к числу атомов палладия может непрерывно изменяться от нуля до значения, равного единице и соответствующего стехиометрическому составу PdH, причем во всей области составов структура металлической подре-щетки отвечает ГЦК структуре чистого палладия. При стехиометрическом составе PdH все октаэдрические позиции заняты водородом и взаимное расположение атомов Pd и Н отвечает чередованию ионов в структуре Na l. Подобное строение характерно и для всех остальных фаз внедрения, однако для их подавляющего большинства имеют место либо ограниченные области гомогенности, разделенные на диаграмме состояний двухфазными областями, либо полиморфные превращения катионной подрешетки, происходящие при увеличении концентрации металлоида (так называемый концентрационный полиморфизм). Эти превращения чаще всего протекают в последовательности ОЦК—>-КГ—>-ГЦК. [c.99]

Для кристаллов неметаллических соединений, обладающих преимущественно ковалентной связью, характерны в основном те же типы атомной разупорядоченности, что и для интерметаллических соединений, а именно дефекты Шоттки, Френкеля и антиструктурные дефекты. Однако здесь картина значительно усложняется из-за взаимодействия атомных дефектов с квазисвободными электронами и дырками, в результате которого атомные дефекты могут находиться как в нейтральной, так и в заряженной форме. Поэтому при вычислении равновесных концентраций дефектов в полупроводниковых соединениях необходимо учитывать все квазихимические реакции, протекающие с участием как нейтральных, так и заряженных дефектов, в том числе квазисвободных электронов и дырок. [c.115]