Электропроводность дисперсия, под давлением

ЦИИ. Подобный же вывод может быть сделан на основе данных Эллиса [143] но электропроводности при высоких давлениях. Оценка влияния давления на аномальную подвижность Н+ (отнесенную к подвижности и с учетом зависимости плотности и концентрации от давления) дает значение объема активации между —2,4 и —2,9 см -моль . Поскольку зависимость частотной дисперсии диэлектрической постоянной воды от давления не измерена, величина А]/ для процесса диэлектрической релаксации неизвестна. Можно предполагать, что в чистой жидкости объем активации будет полол<ителен, так как вращение будет вызывать некоторое ослабление связей и временное отталкивание соседних молекул. Однако в соответствии с рассматриваемым механизмом вращения, инициированного полем, электростатически выгодная ориентация молекулы НгО, находившейся в неблагоприятном положении, происходит с непрерывным уменьшением энергии (см. рис. 26). С учетом этих обстоятельств отрицательное значение АУ=>" вполне допустимо и соответствует увеличению электрострикции несвязанных молекул воды при образовании связи между ними и ионом НзО . Этот процесс будет сопровождаться отрицательным изменением объема. Непосредственная близость, атома кислорода может облегчить процесс переноса. [c.136]

Заметим, что механическая деформация, если она не представляет собой просто объемного сжатия под действием гидростатического давления, может вызвать изменение внутренней поверхности кристалла, создавая помимо дислокаций нарушения правильности решетки типа дефектов Смекала — трещи-ны и капилляры , диффузия по которым заметно облегчена и которые настолько устойчивы, что исчезают лишь при длительном отжиге образца при достаточно высокой температуре. Такие грубые дефекты, естественно, характерны также для свежих несостаренных кристаллических осадков, растертых или подвергнутых дроблению застывших расплавов и т. п. Таким образом, структура поверхностей раздела и так называемой внутренней поверхности зависит от биографии кристаллического образца, ooTBeT TByroLieft большей или меньшей раз-ориентации отдельных участков относительно друг друга. В пластически деформированных ионных кристаллах наблюдается дисперсия электропроводности в зависимости от частоты, что находит себе объяснение в наличии не свяаанных между собой структурных дефектов в кристаллической решетке. [c.97]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология