Импеданс диффузионный Варбурга

Рис. 24.5. Общий вид эквивалентной электрической схемы электрохимической ячейки. Емкость двойного слоя включена параллельно сопротивлению представляюще.ну фара-деевскую стадию переноса заряда, поскольку геометрически они находятся фактически в одном и том же месте. Эта структура последовательно соединена с импедансом Варбурга Zw, который состоит из активного сопротивления и емкости, эквивалентных по сути диффузионной зоне . Наконец, последовательно всей этой части схемы подключаю сопротивление характеризующее К-по-тери в объеме электролита. Фактические значения всех этих составляющих, очевидно, и определяют отк.тк всей системы на изменение частоты. Необычные обозначения емкостей на схеме указывают на некоторую неоднородность представляемых ими структур.

Импеданс с составляющими Rw и w получил название диффузионного импеданса Варбурга, а константа Л — константы Варбурга. В схемах замещения для электрохимических реакций импеданс Варбурга изображают знаком —W—. [c.150]

Диффузионная емкость Со и диффузионное сопротивление Яо отличаются от обычных емкостей и сопротивлений тем, что зависят от частоты переменного тока со. Поэтому в эквивалентных электрических схемах вместо последовательного соединения Яо и Со используют специальный символ — Ш — (XV — первая буква фамилии Е. Варбурга). В электрической цепи диффузионный импеданс можно модели- [c.212]

Импеданс называется диффузионным импедансом или импедансом Варбурга [1]. В силу соотношения [c.21]

Для представления динамических характеристик границы раздела электрод — раствор эквивалентные цепи начали использоваться еще в начале этого столетия. В 1899 г. Варбург [580] вывел уравнение для фарадеевского импеданса диффузионно-контролируемого процесса (импеданс Варбурга). Влияние емкости двойного слоя рассматривалось Крюгером [322] в 1903 г. Впервые импеданс Варбурга был применен в исследованиях кинетики электродных процессов, в том числе в соответствующих выражениях для фарадеевского импеданса Долиным и Эршлером [162], Эршлером [173, 174], Рэндлсом [465] и Розенталем и Эршлером [498]. С тех пор переменноточный импеданс стал важным средством изучения кинетики электродных процессов в случаях замедленной стадии переноса заряда [44 - 46, 123, [c.242]

Общая эквивалентная схема процесса, включающего медленную гомогенную реакцию, приведена на рис. 168. При низких частотах вместо О имеем омическое сопротивление, определяемое по формуле (61.8), а при высоких — импеданс Варбурга по веществу К. Если то и диффузионным импедансом по веществу В 2 можно пренебречь. [c.313]

Здесь Гд.р — сопротивление реакции и Г2, — сопротивления адсорбции реагирующих веществ и 22д — диффузионные импедансы Варбурга [c.100]

Импеданс замедленной гомогенной хинической реакш<и <импеданс Геришера) электродного процесса зависит от частоты переменного тока. При низких частотах тока импеданс Геришера G представляет собой активное сопротивление, величина которого равна емкостное сопротивление 1/о>С при этом стремится к нулю. При больших частотах тока импеданс гомогенной химической реакции моделируется импедансом Варбурга V, указывающим только на диффузионные затруднения у процесса. Критерии, характерные для преобладающего влияния гомогенной химической реакции на кинетику электродного процесса, следующие [c.48]

Таким образом, импеданс окислительно-восстановительной реакции, не осложненной адсорбционными явлениями, может быть представлен как импеданс цепи, составленной из последовательно включенных активного сопротивления Нр, характеризующего перенос заряда и импеданса Варбурга Zw = (1 — /) Шр/Ухарактеризующего диффузионный процесс (см. рис. 3). Эта схема так же, как и практическое выражение для импеданса (4.10), были впервые получены Эршлером [4] и Рэндлсом [5] и обычно называются схемой и импедансом Эршлера — Рэндлса. [c.23]

Теоретическое и экспериментальное изучение импеданса стеклянного электрода, включая сетевой анализ, проводил Бак [50—52], который предложил эквивалентную схему для стеклянной мембраны с гидролизованным поверхностным слоем (рис. IX.5). Поверхностный слой представлен как ограниченная линия передачи, а сама стеклянная мембрана — как параллельно включенное сопротивление, емкость двойного слоя и диффузионный импеданс Варбурга. Эта модель основана на измерениях импеданса [52] различных рН-чувствительных и катионоселективных стеклянных электродов. [c.282]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология