Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Схемы замещения

Рис. 164. Зависимость омической (а) и емкостной (б) компонент импеданса, измеренных по последовательной схеме замещения, от 1/) ш при одновременном наложении стадий диффузии, разряда и гетерогенной химической реакции Рис. 164. Зависимость омической (а) и емкостной (б) <a href="/info/386100">компонент импеданса</a>, измеренных по <a href="/info/1679315">последовательной схеме замещения</a>, от 1/) ш при одновременном наложении <a href="/info/330259">стадий диффузии</a>, разряда и <a href="/info/134918">гетерогенной химической</a> реакции

Рис. 8.3. Схема замещения двухвалентного иона Са + одновалентным ионом N3+ Рис. 8.3. <a href="/info/28180">Схема замещения</a> <a href="/info/711204">двухвалентного иона</a> Са + одновалентным ионом N3+
    Разработан также графический метод построения электрических характеристик дуговой печи. Из упрощенной схемы замещения (см. рис. 4-2,6) связь между током н питающим напряжением может быть записана в виде  [c.102]

    С=—емкость, измеренная по параллельной схеме замещения, Ф  [c.3]

    На основании полученных ранее экспериментальных данных было высказано мнение, что реакция алкилирования бензола олефинами протекает по электрофильной схеме замещения с промежуточным образованием карбокатионов. Изменение условий экспериментов, природы катализаторов, структуры и длины цепи алкилирующего олефина влияет на соотнощение скоростей реакций алкилирования и изомеризации и тем самым определяет изомерный состав целевых продуктов. В данном разделе будут рассмотрены пути перераспределения изотопной метки О между компонентами реакции алкилирования в зависимости от условий. Для уточнения механизма взаимодействия ароматических углеводородов с олефинами проведено алкилирование дейтеро-обогащенного бензола этиленом, пропиленом, бутеном-1 и буте-ном-2 (табл. 4.2). Полученные алкилбензолы после разделения на препаративном хроматографе анализировали методами ИК-, масс- и ПМР-спектроскопии. [c.89]

    Реакция протекает по схеме замещения или присоединения  [c.200]

    Са — емкость, измеренная ио последовательной схеме замещения, Ф  [c.3]

    Предполагаемая схема замещения по S /2 (через промежуточный аддукт)  [c.125]

    Предлагаемая схема замещения по 5д 2 (через промежуточный продукт)  [c.169]

    На рис. 3.24, а представлена схема замещения нагруженного на ОК излучающего преобразователя. Последний представлен ге- [c.225]

    Сп и Яп—Яз пересчитывают на параллельную схему замещения  [c.78]

    Решение. Для решения удобно воспользоваться представлением общего сопротивления переменному току в комплексном виде (импеданс). Для последовательной схемы замещения импеданс [c.88]

    Для параллельной схемы замещения проводимость ветви активного сопротивления Р= и конденсатора —шС=/, а общая проводимость = -Ь /о)С=. Из условия эквивалентности имеем 1/2= = 1/2а [c.88]


    Решение. Импеданс для последовательной схемы замещения записывается равенством 2 , = Я — ———  [c.89]

    Пример 37. Измерения при помощи фазочувствительного вольтметра на серебряном электроде в электролите серебрения [18] при температуре 298,2 К, катодном токе З-Ю А, поляризации 0,15 В дали зависимость составляющих импеданса Сп и Яп, измеренных по последовательной схеме замещения, от частоты тока, приведенную ниже. [c.89]

    При импедансных измерениях на некотором электроде получена зависимость Сп и R для последовательной схемы замещения от частоты /. Известно, что электрическая модель происходящего электрохимического процесса выражается эквивалентной схемой (рис. [c.127]

    При исследовании анодного окисления жидкого галлиевого электрода в растворе щелочи концентрации 0,1 моль-Л [35] методом измерения электрохимического импеданса по последовательной схеме замещения получены следующие значения емкостных и активных сопротивлений для переменного синусоидального тока (потенциал + 1,00 В, температура 305,2 К)  [c.128]

    При сверхвысоких частотах проявляется много физических явлений, которые приводят к большим отличиям методов СВЧ от методов НЧ и ВЧ. Прежде всего здесь сильно проявляется поверхностный эффект, вследствие которого ток проходит не через всю толщу проводника, а только в его поверхностном слое. Такие понятия, как сопротивление проводника, индуктивность и емкость, утрачивают свой обычный смысл и их невозможно отделить друг от друга. Поэтому теряет смысл использование эквивалентной электрической схемы замещения ячейки, которую было удобно применять для расчетов при низких и высоких частотах. Измерительная ячейка представляет из себя систему с объемно распределенными параметрами, в которой исследуемый образец и измерительное устройство представляют собой одно целое. Кроме того, в измерительных системах СВЧ велико влияние паразитных параметров. Поэтому в таких системах соединительные провода укорачивают до минимума и применяют хорошее экранирование. [c.268]

    При импедансных измерениях [36] для процесса раствореиия пассивного цинка в щелочи для параллельной схемы замещения после вычета сопротивления рас- [c.128]

    К вблизи равновесного потенциала получены [37] при потенциале электрода —0,053 В следующие значения составляющих фарадеевского импеданса Яф и С <р по последовательной схеме замещения (сопротивление раствора и емкость двойного слоя учтены)  [c.130]

    Методом измерения электрохимического импеданса в оксидном расплаве на электроде из расплавленного металла получены [38] по последовательной схеме замещения значения емкости в зависимости от частоты  [c.131]

Рис. 176. Эквивалентные электрические схемы замещения диэлект-рометрических ячеек Рис. 176. <a href="/info/15317">Эквивалентные электрические схемы</a> замещения диэлект-рометрических ячеек
    Таким образом, экспериментально задача сводится к измерению параметров достаточно простой схемы замещения при различных частотах переменного тока. Двухслойную ветвь электродного импеданса в большинстве электрохимических систем представляют емкостью (Сд.с), не зависящей от частоты. В общем случае фарадеевская ветвь (фарадеевский импеданс 2ф) состоит из нескольких элементов. Ее вид зависит от механизма электродной [c.49]

    На рис. 3.6 представлены схема замещения и векторная диаграмма индукционной канальной печи. Векторная диаграмма подобна векторной диаграмме трансформатора, находящегося в режиме короткого замыкания, когда вторичная обмотка является нагрузкой. [c.110]

    Рис, 3.6. Схема замещения (а) и векторная диаграмма (6) индукционной канальной печи. [c.113]

Рис. 3.34. Принципиальная схема генератора для диэлектрического нагрева (а) и схема замещения нагрузочного контура (б). Рис. 3.34. <a href="/info/1481725">Принципиальная схема генератора</a> для диэлектрического нагрева (а) и <a href="/info/28180">схема замещения</a> нагрузочного контура (б).
    Так как регулирование режима ДСП осуществляется в основном путем изменения длины дуги, а с нею и тока, целесообразно выявить зависимость от тока ее основных параметров полезной и полной (активной) мощ- ности, электрических потерь, электрического КПД и коэффициента мощности. Такого рода зависимости строят на основе схемы замещения печи они носят название электрических характеристик. [c.196]

    Для такой схемы замещения можно построить круговую диаграмму. При коротком замыкании Яц=0, а ток КЗ печи равен  [c.197]


Рис. 4.7. Схемы замещения дуговой печи полная (а) и упрощенная (б). Рис. 4.7. <a href="/info/28180">Схемы замещения дуговой печи</a> полная (а) и упрощенная (б).
    СХЕМЫ ЗАМЕЩЕНИЯ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СИММЕТРИЧНЫХ ДУГОВЫХ ПЕЧЕИ [c.99]

    Электрические характеристики строятся на основе схем замещения печных установок. [c.99]

    А так как мощность потерь в нашей схеме замещения пропорциональна квадрату тока (Рпот = - о отрезок ОС изображает в некотором масштабе эту мощность. Но активные мощности на нашей диаграмме изображаются вертикальными отрезками, поэтому удобнее обложить соответствующую току 2 = 08 мощность потерь от точки С вверх в ви- [c.103]

    Однако при отборе ТВГ появляется проблема поиска разбавителей для доведения вязкости вакуумированного крекинг- остатка до норм, предъявляемых к товарным котельным топливам. Оптимальным решением является использование в качестве разбавителя по схеме замещения тяжелого газойля каталитического крекинга (ТГКК). При смещении остатка висбрекинга с ТГКК не образуется разрыв во фракционном составе получаемого котельного топлива (табл. 1). По своему групповому углеводородному составу ТГКК обладает большим сродством к остатку висбрекинга, он характеризуется сходным содержанием парафино-нафтеновых [c.59]

    При импедаисных измерениях на электроде получена зависимость R= и С= для параллельной схемы замещения от частоты /. Известно, что электрическая модель электрохимического процесса выражается эквивалентной схемой (рис. 21). [c.128]

    По данным [34] в расплавах Li l—КС1 эвтектического состава на жидком сплаве индия с сурьмой емкость и сопротивление, измеренные на импедансном мосте по последовательной схеме замещения, в интервале 30—60 кГц не зависят от частоты и равны соответственно 1,7 мкФ и 6 Ом. [c.128]

    Эквивалентная электрохимическая схема ячейки с поляризуемым электродом в электрическом отношении идентична весьма сложной комбинации емкостей и сопротивлений. Однако в переменном токе ЭЭС ячейки формально можно упростить до двух элементов— емкостного и активного, соединенных последовательно или параллельно. При этом соблюдают условия, чтобы общее сопротивление Z (импеданс), а также фазовый угол б полученной схемы замещения совпадали с величинами Z и б электрического эквивалента. Наибольшее распространение нашла последовательная схема замещения, содержащая экспериментально определяемые Ст и Яяч, которые в общем случае изменяются с частотой. Исследуя частотную зависимость Ст и Яяч, можно выявить истинную ЭЭС, определить ве.личины.еЁ.структуриых. элементов и получить информацию [c.48]

    Считая ДСП симметричной трехфазной системой, можно ее схему замещения представить в виде однофазной цепочки последовательно включенных на фазовое вторичное напряжение Угф индуктивных и активных сопротивлений индуктивного сопротивления реактора лгр (активным сопротивлением Гр и сопротивлениями хо и Го ввиду их малости пренебрегаем), индуктивного и активного сопротивлений трансформатора Хц, Лтг, /"ть /"тг индуктивного и активного сопротивления короткой сети Хг, Г2 сопротивления дуги Яр,, принимаемого активным (рис. 4.7, а) может произвольно меняться, тогда как остальные принимаются неизменными. Поэтому все индуктивные и активные сопротивления можно сложить, обозначив сумму активных сопротивлений через г, а сумму индуктивных — через х (рис. 4.7,6). [c.197]

    Риа 4-2, Схемы замещения установки дуговой печи, в —полная й — упрощекная. [c.100]

    Электрические характеристики печи можно построить и для более точной схемы замещения, учитывающей потери в стали трансформатора. Для этой цели ветвь Го ихо, имитирующую ати потери, следует перенести влево (рис. 4-2, пунктир), включив ее прямо на напряжение сети (Уоф. Такое изменение схемы замещения не повлияет существенно на результаты, так как напряжение на зажимах печного трансформатора по величине весьма близко к напряжению [Угф. Из схемы зам гщения, учитывающей потери в стали трансформатора, получаем  [c.102]


Смотреть страницы где упоминается термин Схемы замещения: [c.59]    [c.225]    [c.225]    [c.5]    [c.5]    [c.78]    [c.89]    [c.99]   
Электрические сети и энергосистемы (1988) -- [ c.59 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте