Варбурга импеданс

Рис. 108. Полубесконечный R, С-кабель (а) и эквивалентная электрическая схема ячейки с импедансом Варбурга (6)

Рассмотрим эквивалентную схему ячейки с импедансом Варбурга (рис. 108, б) и рассчитаем фарадеевский ток /i, протекающий через ее правую ветвь [c.204]

Поэтому в эквивалентной электрической схеме последовательно с сопротивлением разряда включается импеданс Варбурга ((рис. 131, б). Зависимость составляющих (фарадеевского импеданса от частоты при отсутствии специфической адсорбции реаги- рующих веществ, затрудняющей разделение фарадеевского и не- фарадеевского токов, приведена на рис. 132 . Экстраполяция прямо- [c.259]

Формула (48.9) лежит в основе импедансного метода определения тока обмена. Однако в реальных условиях при Е—Е всегда тот или иной вклад в измеряемый импеданс вносит диффузия электроактивных веществ О и Н. Поэтому в эквивалентной электрической схеме последовательно с сопротивлением разряда включается импеданс Варбурга (рис. 131, б). Зависимость составляющих фарадеевского импеданса от частоты при отсутствии специфической адсорбции реагирующих веществ, затрудняющей разделение фарадеевского и нефарадеевского токов, приведена на рис. 132. Экстраполяция прямолинейной зависимости от 1/Коз к бесконечно большой частоте (1/К =0) у сз [c.244]

Др — сопротивление раствора С ,.— емкость двойного слоя 6— сопротивление стадии разряда — импеданс Варбурга [c.244]

Диффузионная емкость Со и диффузионное сопротивление Яо отличаются от обычных емкостей и сопротивлений тем, что зависят от частоты переменного тока со. Поэтому в эквивалентных электрических схемах вместо последовательного соединения Яо и Со используют специальный символ — Ш — (XV — первая буква фамилии Е. Варбурга). В электрической цепи диффузионный импеданс можно модели- [c.212]

Комбинированная схема, соответствующая наложению процессов диффузии, разряда и гетерогенной химической реакции, показана на рис. 163. Эквивалентная схема гетерогенной реакции включена последовательно с импедансом Варбурга и импедансом стадии разряда. Отдельные элементы этой схемы могут быть определены, если предпо- [c.304]

Zq совпадает по форме с выражением для импеданса Варбурга по веществу R [c.312]

Сд с — емкость двойного слоя — сопротивление раствора 0 — сопротивление реакции — С — импеданс Геришера — — импеданс Варбурга по веществу Н —1Гд— импеданс Варбурга по веществу В [c.313]

Общая эквивалентная схема процесса, включающего медленную гомогенную реакцию, приведена на рис. 168. При низких частотах вместо О имеем омическое сопротивление, определяемое по формуле (61.8), а при высоких — импеданс Варбурга по веществу К. Если то и диффузионным импедансом по веществу В 2 можно пренебречь. [c.313]

Общая эквивалентная схема пр оцесса, включающего медленную гомогенную реакцию, приведена на рис. 168. При низких частотах вместо —О— имеем омическое сопротивление, определяемое по формуле (61.8), а при высоких — импеданс Варбурга по веществу К. [c.327]

Варбурга по веществу Н импеданс Вар- [c.327]

При низких частотах фарадеевский импеданс часто обнаруживает зависимость от диффузии подобно постояннотоковому сопротивлению (ср. постояннотоковая полярография>). Уже в 1896 г. Варбург 1901 математическим путем установил, что процесс диффузии в поле переменного тока сдвигает фазу тока по отношению к фазе (синусоидального ) напряжения на-л/4. [c.154]