Тензор удельного сопротивления

Для тензора сопротивлений обратимость, дополненная некоторыми положениями статистической физики, приводит к неожиданному результату тензор удельных сопротивлений обязан быть симметричным, т.е. должно выполняться равенство pik = Pki Это утверждение — частный случай общего принципа симметрии кинетических коэффициентов ) (Л. Онсагер). [c.230]

В проведенных рассуждениях было принято, что тензор удельного сопротивления —один и тот же для всех проводников и что он равен пулю для вакуума. Это послужило причиной того, что соотношение (50 следует непосредственно из формулы [c.71]

Это можно сформулировать так, что симметричная часть тензора удельного сопротивления [c.72]

Тензор удельных сопротивлений связан с основным оператором столкновений Wq. [c.209]

Аналогичное разложение можно произвести и с тензором удельного сопротивления pik, обратным тензору Oih- [c.222]

Построение микроскопической теории гальваномагнитных явлений, т, е. вычисление тензора удельного сопротивления как функции магнитного поля, основывается на решении линеаризованного кинетического уравнепия Больцмана, которое удобно переписать в несколько иной форме, чем в 23. [c.226]

У феноменологического описания любого явления есть важная функция — выбор величин, которые могут служить характеристикой явления или свойства. В случае электропроводности роль таких величин играют удельное сопротивление р или обратная ему величина сг = 1/р — удельная электропроводность (в монокристалле и /о, и ст — тензоры второго ранга). Микроскопическая теория, основанная на понимании механизма явления, должна позволить вычислить характеристику, которая была введена феноменологической теорией. Можно сформулировать так феноменологическое описание ставит задачу для микроскопической теории. [c.232]

Для кристаллов средней категории анизотропия свойства, описываемого тензором второго ранга, характеризуется отношением или, как принято обозначать, а а , где значки и определяют параллельность главной оси симметрии или перпендикулярность ей. Так, анизотропия удельного электрического сопротивления р а /р л. для разных веществ варьирует в пределах 0,75 -4- 1,5. Для кристаллов низшей категории анизотропия выявляется еще более резко. Например, для галлия [c.217]

При экспериментальном исследовании гальваномагнитных явлений обычно пропускают через кристалл заданный по величине и направлению ток, измеряют же компоненты напряженности электрического поля по трем некомпланарным направлениям (по возможности, по трем ортогональным направлениям см., например, [31]). Это означает, что объектом изучения является тензор удельного сопротивления в магнитном поле pikiH), обратный тензору электропроводности = < 7 ). [c.234]

С(1А82. Электрические и оптические свойства СдАза — полупроводника п-типа— исследованы в работах [13, 25, 70, 77]. На осно вании гальваномагнитных измерений, проведенных на монокристаллах с концентрацией электронов п = 5,101 см , описана структура изоэнергетических поверхностей Сс1Аз2 с учетом зонной структуры кристаллов тетрагональной системы [38, 50]. Поскольку Сс]Аз2 имеет тетрагональную симметрию, его удельное сопротивление и коэффициент Холла являются тензорными величинами. Тензор коэффициентов Холла содержит только две независимые составляющие, которые соответствуют случаям Я ц и Ях оси с (ось с является осью четвертого порядка). Практически в пределах ошибок измерений обе составляющие равны между собой и их отношение равно = 0,98 0,05. Тензор проводимости также содержит только независимые составляющие, отвечающие направлениям кристаллографических осей а и с. [c.107]

Структура и свойства фторированных саж. По данным просвечивающей электронной микроскопии [6-173], цепочечные агрегаты сажи сохраняются при высшем содержании фтора (х = 1,2). Фторирование устраняет отдельные центры сажеобразования. Удельное электрическое сопротивление после фторирования увеличивается при х > 0,3 в (СГх)п- Электрическая проводимость сажи не зависит от давления, в то время как у слабо фторированного порошка (СГо,о7)п наблюдается сильная линейная зависимость электросопротивления от давления, что позволяет эту сажу эффективно применять в качестве тензоре-зисторов. [c.397]

Qf — приведенная теплота переноса компонентом к (величина QI в гл. V и VII аналогична, но не равпа той, которая так же обозначена в других главах монографии) г —суммарный удельный тензор сопротивления Гз — единичный удельный тензор сопротивления Л—газовая постоянная S—удельная энтропия SX — коэффициент Соре [c.16]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология