Тензор проводимости

Поскольку тензор комплексной диэлектрической проницаемости связан с тензором проводимости соотпошением [c.128]

Выясним, приводят ли соотношения Онзагера к равенству тензоров проводимости и сопротивления, т. е. к следующим равенствам [c.68]

Если исходить из модели Харрисона ( 10, а также [44]), то электроны в достаточно сильных магнитных полях (по не слишком, во всяком случае меньших атомных) ведут себя как свободные. А это означает, что обе поперечные компоненты тензора проводимости должны убывать обратно пропорционально квадрату магнитного поля Охх <Ууу ст(гя//) а сопротивление стремиться к насыщению- [c.250]

В эбзоре сделан анализ современных методов исследования физических свойств жидких кристаллов в частности, подробно рассмотрены методы из чения температур фазовых превращений в жидких кристаллах и методы идентификации мезофаз. Определены воз-5 0ЖН0С1И и границы применимости каждого из рассмотренных методов. Обсуждены некоторые вопросы методики из.мерения удельной электропроводности, компонент тензоров проводимости, диэлект-р1.ческой проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь лсидкокристаллических материалов. Указано на необъективность инфсрмаг.ии, получаемой при исследовании тонких слоев жидких кристаллов. [c.66]

С(1А82. Электрические и оптические свойства СдАза — полупроводника п-типа— исследованы в работах [13, 25, 70, 77]. На осно вании гальваномагнитных измерений, проведенных на монокристаллах с концентрацией электронов п = 5,101 см , описана структура изоэнергетических поверхностей Сс1Аз2 с учетом зонной структуры кристаллов тетрагональной системы [38, 50]. Поскольку Сс]Аз2 имеет тетрагональную симметрию, его удельное сопротивление и коэффициент Холла являются тензорными величинами. Тензор коэффициентов Холла содержит только две независимые составляющие, которые соответствуют случаям Я ц и Ях оси с (ось с является осью четвертого порядка). Практически в пределах ошибок измерений обе составляющие равны между собой и их отношение равно = 0,98 0,05. Тензор проводимости также содержит только независимые составляющие, отвечающие направлениям кристаллографических осей а и с. [c.107]

Для электропроводности в кристаллах тензор проводимости o-jj определяется соотношением между компонентами напряженности электрического поля и компонентами силы электрического тока I. Напряженность электрического поля Е= — grad p, где <р — электрический потенциал [c.68]

Однако уже полученные формулы ясно демонстрируют принципиальную разницу между поведением массивного проводника без поля и в магнитном поле. Когда Я = О, все компоненты тензора проводимости с ростом длины свободного пробега стремятся к бесконечности (так как от - /). В магнитном поле Н ф 0) при I —> оо (магнитное поле при этом автоматически сильное Гноо), компоненты Охх, Оуу, а при П = П2 и Оху, Оух стремятся к нулю, так как они пропорциональны о(гн/1) 1Н согласно приведенным формулам. Особенно ясно отличие Н ф от Я = О при rii = tii при Я = О образец с бесконеч1Юй длиной свободного пробега — идеальный проводник (сопротивление р = 0), а при НфО в плоскости, перпендикулярной магнитному полю, — идеальный диэлектрик (проводимость а = 0). [c.226]

Здесь Яц = (с/е)сг,, аз—главные значения тензора проводимости aift = ne ife(l + ) магнитное поле направлено вдоль одной из главных осей (третьей) ток перпендикулярен к магнитному полю а — угол между первой осью и током. Заметим, что в этой простой модели получается единая квадратичная зависимость для сопротивления и отсутствие зависимости от поля у константы Холла. Это специфика двузонной модели с квадратичным законом дисперсии. Введение третьей зоны существенно меняет положение вещей. Можно показать [34] (при тех же предположениях о законе дисперсии), что коэффициенты при Я2 в малых r l) и больших (г <С /) полях различны, причем в согласии с экспериментом [35] коэффициент при Я в малых полях всегда больше коэффициента в больших полях. Различное значение имеют также константы Холла в малых и больших полях. [c.236]

В предыдущем параграфе мы уже отмечали, что рассеяние электронов на границе образца может существенно изменить величину компонент тензора проводимости если в массивном образце соответствующая компонента 0(гн//) - в пристеночном слое она может оказаться Он(/ н//) или даже а (при зеркальном отражении). Отметим еще, что в пристеночном слое может произойти раскомпенсация объемов, характерная для металлов с равным числом электронов и дырок, так как в неоднородном поле скорость дрейфа, естественно, зависит от локальных характеристик орбит носителей. [c.251]

Заранее ясно, что затухание поля и тока при ш Ю] будет носить весьма своеобразный характер под влиянием статического скин-эффекта. Почти однородное электрическое поле, как и в 38, создает ток, убываюш ий главным образом на расстоянии порядка ларморовского радиуса Гн- Благодаря тому, что поле и плотность тока затухают на различных расстояниях, задачу на не слишком высоких частотах можно решать методом последовательных приближений [68]. Сначала следует определить напряженность электрического поля. Пока она меняется на расстояниях, больших по сравнению с Гн (это определяет область не слишком высоких частот), характер рассеяния электронов от поверхности несуществен и наличие поверхности не сказывается на тензоре проводимости. Это позволяет четно продолжить напряженность поля на полупространство вне проводника и записать [c.330]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология