Направления кристаллографические

Для характеристики направленности кристаллографических осей осажденных кристаллов применяется термин текстура осадков — см. определение этого термина на стр. 350. Если у всех кристаллов имеется определенная кристаллографическая ориентация, параллельно одному направлению, то это одно общее направление называется осью текстуры. Так, например, в случае осадка с осью текстуры, соответствующей октаэдру, все кристаллы ориентированы осью (111) перпендикулярно поверхности катода. [c.353]

Для галлия характерна анизотропия свойств. Физические свойства галлия имеют различные значения в зависимости от направления кристаллографических осей. [c.34]

Рентгеноструктурный анализ коксов из ФФС показывает, что по размерам областей когерентного рассеяния в направлении кристаллографических осей с и а [c.191]

Согласно соотношению (572), обменная энергия зависит от направлений спинов, а не от направления кристаллографических осей. Чем же тогда определяется направление спонтанной намагниченности кристалла [c.315]

Возможность существования макромолекул в вытянутой конформации приводит к появлению в полимерных кристаллах выделенного направления — кристаллографической оси с, совпадающей с направлением вытянутых конформаций или, как чаще говорят, с главным, направлением полимерных цепей. Структурная анизотропия, характеризующаяся одним выделенным направлением, существует не только, когда цепи полностью вытянуты, но и тогда, когда под влиянием растягивающего напряжения или других сил клубки хотя бы частично разворачиваются и звенья макромолекул приобретают преимущественную ориентацию. Это приводит не только к механической и оптической, но и к термодинамической анизотропии (именно ее и обнаружил в свое время Джоуль в опытах с растягиванием каучуков). Специфичность свойств полимеров с ориентированными макромолекулами (к ним относятся все полимерные волокна, и природные, и синтетические) потребовало рассмотрения особого ориентированного состояния полимеров, которому в книге посвящена гл. XVI. [c.20]

Твердость отдельных кристаллов литого бериллия в зависимости от направления кристаллографической оси [92] [c.189]

Формулы (3.12.5) и (3.12.6) описывают состояние ПКС в покое. При деформировании дисперсной системы неизменны только размер и концентрация частиц, тогда как два других параметра этих уравнений — период решетки и концентрация вакансий — зависят от интенсивности деформирования. Интенсивность деформирования можно характеризовать скоростью сдвиговой деформации. Применительно к ПКС ее можно представить как отношение разности скоростей движения соседних слоев кристаллической решетки к расстоянию между этими слоями. В первом приближении можно считать, что оно равно периоду решетки. Уточнение требуется, если направление движения слоев не совпадает с направлением кристаллографических осей. [c.691]

Для повышения объема информации при определении физико-механических свойств измеряют скорости ультразвуковых волн различных типов. Это достигается применением ЭМА-метода, обеспечивающего одновременно повышение точности измерения за счет устранения слоев контактной жидкости. Используя ЭМА-преобразователи, можно добиться излучения и приема одновременно трех волн - продольной и двух поперечных. Изменяя скорость и коэффициент затухания каждой волны, определяют анизотропию, упругие постоянные, главные направления кристаллографических осей. Измерив таким образом акустическую анизотропию, можно оценить некоторые технологические параметры металлических листов, например их штампуемость. [c.289]

Направление кристаллографической оси Удельное электросопротивление (в ом см) X 10—6 при температуре, °С Коэффициент линейного расширения в интервале температ-/р 0—20° X 10 [c.34]

Направление кристаллографической оси Твердость по RB [c.189]

Направление кристаллографических осей Коэффициент линейного расширения в интервале 149—319° С ХЮ [c.721]

Направление кристаллографической оси 1 Твердость по Кв i [c.137]

Три направления ребер основания гексагональной или тригональной призмы (основа — равносторонний треугольник) выбираем как направления кристаллографических осей и обозначаем соответственно через Хи Хг, Хз (см. рис. 2.4, ж и 2.6). Положительные концы этих осей образуют между собой углы 120° (у = 120°). Направление, перпендикулярное к плоскости осей Хи Хг, Хз, совпадающее с направлением перпендикулярного ребра гексагональной призмы, выбираем за кристаллографическую ось 2 (а = р==90°). Единичная грань в этих кр сталлах отсекает одинаковые отрезки на осях Х, и Хг и отличный от них отрезок на оси [c.37]

В группе Р2у существуют только винтовые двойные оси, совпадающие с направлением кристаллографической оси У (рис. 3.21). Серия винтовых осей, совпадающих с ребрами элементарных ячеек, дает другую серию равнодействующих осей (см. рис. 3.15,6). [c.73]

В сферолитах радиального типа одна из осей кристаллографической решетки сохраняет постоянное направление по всем радиальным направлениям. Сферолиты кольцевого типа построены из пластинчатых кристаллов, ориентация которых непрерывно меняется вдоль радиуса сферолита. Поэтому направления кристаллографических осей постепенно поворачиваются относительно радиуса, образуя правые или левые спирали. Изменение ориентации происходит в каждом радиальном направлении, что проявляется в возникновении картины чередующихся темных и светлых колец. [c.91]

Несмотря на значительную дефектность, ламелярные кристаллы можно считать монокристаллами,- так как в пределах одного кристалла сохраняется единое направление кристаллографических осей. Это подтверждается точечным характером рефлексов на электронограммах полимерных монокристаллов (рис. 7). В таких кристаллах кроме дефектной складчатой поверхности существуют дефекты, обычные для низкомолекулярных кристаллов, [c.20]

Весьма эффективно применение рентгенографии при исследовании предельно ориентированных образцов. В этом случае направления кристаллографических осей у большей части кристаллов совпадают и рентгенограммы близки к точечным (см. рис. 4, в). Именно по таким рентгенограммам определяют тип и параметры элементарной ячейки полимеров. При растяжении закристаллизованного образца на рентгенограммах вместо колец появляются рефлексы в виде дуг окружности. [c.61]

Для вырожденных колебаний экспериментальное определение тензора комбинационного рассеяния а-кварца выполнено в работе Д. Ф. Киселева [390]. При измерениях использовались два одинаковых кубических образца, которые отличались направлениями кристаллографических осей X, У. Оси одного образца были направлены по ребрам куба, ребра второго образца составляли с кристаллографическими осями X, У угол 45°. [c.423]

Направление кристаллографических осей в элементарной орто-ромбической ячейке ПЭ следующее ось с, совпадающая с осями макромолекул, ориентирована перпендикулярно поверхности пластины, а оси а и Ь совпадают с длинной и короткой диагоналями ромба. Секторный характер строения монокристаллов ПЭ определяет специфику их растяжения. [c.286]

Рнс. 1.34. Направления кристаллографических осей [c.64]

Углеродные материалы обладают анизотропией физических свойств, что обусловлено гексагональной слоистой структурбй графита. В силу этого свойства кристалла графита в направлении кристаллографических осей сия имеют резкое различие. Количественно величина анизотропии углеродных материалов может быть охарактеризована текстурой, определенной рентгеновскими методами. [c.26]

Рассмотрим наиболее общий случай, когда пора имеет несферичную форму (вытянутую или сплюснутую), поскольку величины искажений кристаллообразования в базисной плоскости и в направлении кристаллографической оси с различны. Тогда диаметр кристаллообразования можно представить выражением [c.51]

Доводы, указывающие на ориентированный рост цепи при нолимеризации этих мономеров, особенно убедительны для БС. При температуре полимеризации ниже 120°, но данным ИК-ди-хроизма, в полимере сохраняются такие же ориентации связей N13 и С=0, как в исходном монокристалле мономера. Это наблюдается вплоть до высоких конверсий и означает сохранение водородных связей в процессе полимеризации. Следовательно, взаимное расположение мономерных звеньев в макромолекулах совпадает с расположением молекул в кристаллической решетке мономера. Как показывает рентгеноструктурньиг анализ, винильные группы мономерных молекул лежат в плоскостях, разделенных большими расстояниями (28 А), поэтому рост цепи возможен только в пределах каждой плоскости. Кристаллическая решетка БС характеризуется параметрами а=8.04 А и 6=5.3 А. При росте цепи в направлении кристаллографической оси Ъ заместители в полимерной цени будут отделены расстояниями, отвечающими транс-кон-формации обычных виниловых полимеров. Рост в направлении оси а требует чрезмерно больших напряжений. По-вхщимому, при полимеризации БС соединяются параллельные ряды мономерных молекул, связанные в решетке водородными связями [c.462]

Наблюдения спектров ЭПР при различных углах ориентации монокристалла относительно направления внешнего магнитного поля позволили найти элементы тензора константы анизотропного взаимодействия. Из данных по расщеплениям в спектрах ЭПР при таких ориентациях кристалла, когда направления кристаллографических осей совпадают с направлением поля, удалось найти значения констант изотропной и анизотропной сверхтонкой структуры — Л и В. Эти константы были получены для обоих ядер азота в ДФПГ, причем для того, чтобы различить их, использовался ДФПГ, Р-атом азота которого был замещен изотопом [c.99]

Получить такую информацию во всем диапазоне размеров НМО позволяет в принципе использование рентгеновских (10— 1000 А) и оптических методик (микронный и субмикронный уровень). Анализ рентгеновского рассеяния в больших углах позволяет оценить изменение типов и размеров ячейки, направления кристаллографических осей, степени кристалличности, величины кристаллитов. Анализ малоуглового рентгеновского рассеяния дает информацию о толщине и ширине ламелей, характере их упаковки, наличии в сфе олитном образце неоднородностей плотности. [c.189]

Более сложен вопрос о сопоставлении поляризации каждой из этих полос с конкретным направлением кристаллографических осей в кристалле. Экспериментально установить поляризацию этих полос (используя для идентификации указанных направлений в кристалле компенсатор или кварцевую пластинку с известной разностью хода) чрезвычайно трудно, так как для получения четкого спектра необходим тонкий кристалл, двупреломлеиие которого мало, и оценить изменения, вносимые компенсатором, затруднительно. В связи с этим были специально исследованы кристаллы тол-нщной около 5 мкм и более, которые обладают заметной разностью хода. При этом было установлено, что для направления, соответствующего большому показателю преломления, спектр начинается в более коротковолновой области. Отсюда следует (см. п. 6 настоящей главы), что длинноволновая компонента чисто электронного перехода (37803 сж" при 20° К) соответствует поляризации падающего света вдоль осн а кристалла. [c.62]

Величина Т — характерна для минерального состава глины" и для ее керамических свойств, т. е. пластичности, усадки и т. д. (см. А. III, 291). Количество Т зависит не только от дисперсности рассматриваемой глины, но может также зависеть от некоторых неправильностей в кристаллической структуре минерала. Методом определения величины кристаллов в сильно дисперсных материалах, описанным Лауэ (см. А. III, 104), можно рассчитать численное значение Т1, измеряя половину значения ширины линий интерференции рентгеновских лучей в порошкограмме, что дает непосредственную меру таких неправильностей . Согласно Гофману, отчетливая пропорциональность между Г и т) подтверждается на керамических глинах. По этому методу величина т] также представляет меру толщины таких веществ в направлении кристаллографической оси с. Таким образом измеряется величина глинистых частиц порядка 20— ЮОлц результат хорошо согласуется с непосредственными наблюдениями в электронном микроскопе (см. А. III, (122). [c.329]

Ле-Шателье 3 впервые обнаружил превращение а р-кварца при измерении линейного расширения Л1 в зависимости от температуры. На температурных кривых А1 для кварцевых стержней, вырезаиных в направлении кристаллографической оси с и перпендикулярно к ней, точка превращения выразилась в виде резкого скачка на грубозернистом кварцевом песке было обнаружено то же явление превращения. Р-кварц имеет положительный, а а-кварц отрицательный температурны коэффициент линейного расширения (фиг. 424). Замен и. [c.399]

На фиг. 495 представлена проекция структуры муллита по представлениям Тейлора. Она отличается от реальной структуры главным образом большей правильностью замещения. В реальной кристаллической решетке муллита замещение осуществляется статистически и образующаяся структура оказывается -едефектяой (см. А. I, 108). Силлиманит, в противоположность муллиту, имеет структуру совершенного типа. Аналогия силлиманита с муллитом определяется в основном тождественностью цепочечных структур в направлении кристаллографической оси с со связанными октаэдрами [АЮе]. Муллит как дефектная структура имеет низкую термическую стойкость и инконгруентное плавление. Согласно Школе , он легко распадается на [c.460]

Для калиевых полевых шпатов неизвестны полиморфные превращения. Не установлено, связаны ли многочисленные резкие термодилатометрнческие явления, наблюдаемые Розенхольцем и Смитом в ортоклазе и микроклине, с полиморфными превращениями. Однако линейное расширение в направлении кристаллографической оси а почти на один порядок величины превышает расширение в направлении Ь н с. [c.471]

В 1959 г. Бассет и Келлер [17] провели исследование монокристаллов, высаженных из раствора, а также свободно отлитых и отлитых под давлением пленок полиэтилена, применив метод электронной микроскопии пропускания. Методом дифракции электронов этими исследователями было обраружено рифление вдоль направления кристаллографической оси 6 , которое выглядело как сдвинутая колода карт . [c.85]

При исследовании плохо ограненного кристалла или вовсе неогра-ненного кристаллического обломка применение наиболее удобных для решения структурных задач методов съемки — метода вращения и его разновидностей — непосредственно затруднено, поскольку любой из этих методов требует предварительной юстировки кристалла. В этом случае требуется предварительно определить ориентацию исследуемого кристалла — выявить направления кристаллографических осей в обломке. Задача эта особенно актуальна потому, что часто кристалл искусственно лищают огранки с тем, чтобы придать ему сферическую форму и тем самым уменьшить ошибки в измерении интенсивности отражений, связанные с поглощением лучей в кристалле. [c.392]

По методу Брэггов для исследования монокристалла исполь-зуетсй монохроматическое излучение, а образец вращается или качается во время съемки. Фотопленка, на которую попадают дифрагированные лучи, располагается на внутренней поверхности цилиндра вокруг образца, помещаемого по оси этого цилиндра. Дифракционные максимумы появляются всякий раз, когда в ходе вращения образца направления кристаллографических плоскостей образуют с направлением падающего луча брэгговский угол 0. [c.80]

Средние температурные коэффициенты линейного расширения сверхориентированных волокон при высоких экструзионных степенях вытяжки приблизительно определяются тепловым расширением кристаллической решетки. Девис с соавт. [81 ] приводят следующие значения температурных коэффициентов расширения материала в направлении кристаллографических осей в области комнатных [c.82]

Столбчатые структуры. При электролитическом осаждении металлов из расплавленных солей возникают характерные столбчатые структуры, ориентированные вертикально к поверхности основы [282]. В таких покрытиях явно выражена текстура, ось которой совпадает с одним из наиболее плотно-упакованных направлений кристаллографической решетки субстрата. Подобную структуру имеет, например, хромовое покрытие на никеле, полученное из хлоридофторидногорасплава при 800 °С и катодной плотности тока 0,05 А/см (рис. 58). [c.176]

Холдер и Винклер, изучая механизм действия депрессоров полимерного типа, показали, что молекула полимера способна внедряться в кристаллическую решетку парафина и прекращать рост кристалла в направлении кристаллографических осей х. у, способствуя его росту в направлении оси г [6]. Это явление приводит к образованию пластинок с меньшим отношением поверхности к объему. [c.41]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология