Контраст зависящий от атомного номер

Коэффициент вторичной эмиссии не сильно зависит от атомного номера для энергий пучка свыше 10 кэВ. Однако ниже 5 кэВ возрастание коэффициента вторичной электронной эмиссии может сильно влиять на наблюдаемый контраст от атомного номера. Отсутствие надежных данных о коэффициентах вторичной электронной эмиссии, в особенности при низкой энергии пучка, делает затруднительной интерпретацию контраста от атомного номера в этом диапазоне энергии. [c.139]

Интенсивность отраженных электронов является функцией атомного номера элемента и угла падения пучка, который зависит от топографии поверхности. Таким образом, контраст изображения отраженных электронов соответствует топографии поверхности и составу объекта. Разделить эти эффекты можно [c.227]

Контраст изображения вторичных электронов обусловлен прежде всего топографией объекта при этом количество вторичных электронов сильно зависит от угла падения зонда на объект вследствие малой толщины слоя возбуждения. Так как интенсивность вторичной эмиссии зависит от атомного номера элементов, изображение во вторичных электронах также является функцией состава объекта, но зависимость эта слабая вследствие относительно незначительного изменения функции и влияния адсорбции на новерхности. [c.228]

Интенсивность потока отраженных (по сравнению с вторичными) электронов сильнее зависит от элементного состава изучаемых участков образца, поскольку коэффициент отражения электронов определяется средним атомным номером облучаемого объекта. Кроме того, размещая детекторы в противоположных позициях относительно первичного пучка и складывая получаемые от них сигналы, можно добиться минимизации контраста, обусловленного рельефом рассматриваемой поверхности (так называемый композиционный контраст). Поэтому растровая электронная микроскопия в отраженных электронах обычно применяется, когда необходимо непосредственно наблюдать неоднородность образца по элементному составу. [c.249]

Этот эффект используют в аналитических целях, анализируя отраженные и прошедшие электроны. Измеряя интенсивности отраженных электронов как функцию местоположения тонко сфокусированного электронного пучка, можно получить изображение, контраст которого зависит от средних атомных номеров различных микроучастков образца. Изображение в отраженных электронах (ОЭ), получаемое при сканировании пучком поверхности образца, позволяет увидеть микроструктуру образца, обусловленную распределением среднего атомного номера (рис. 10.2-2). Этот ценный для микроанализа прием часто используют в ЭЗМА и РЭМ. [c.325]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология