Наклонное падение электронного пучка

КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ МИКРОАНАЛИЗ ПРИ НАКЛОННОМ ПАДЕНИИ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА НА ОБРАЗЕЦ [c.38]

Основная трудность при работе с наклоненными образцами связана с тем, что модель трех поправок справедлива при нормальном падении пучка. Влияние наклонного падения пучка на параметры метода трех поправок практически не исследовано. Рид [155] установил, что для образца, наклоненного под углом 45° относительно падающего пучка электронов, коэффициент отражения изменяется значительно. В случае когда образец и эталон измеряются при одинаковом угле наклона, влияние наклона на коэффициент отражения одинаково для обоих. Было установлено [156], что для такой конфигурации изменением в поправке на обратное рассеяние за счет наклона можно пренебречь для Z<30. Максимальное влияние оказывается равным [c.39]

Иногда требуется решать обратную задачу при облучении объектов со сложной конфигурацией поверхности необходимо обеспечить близкое к нормальному падение пучка в каждой точке его поверхности, чтобы иметь одинаковую глубину проникновения электронов. В этом случае либо используют две-три ускорительные трубки, устанавливаемые под оптимальным углом к облучаемому объекту, либо периодически изменяют по заданному закону во времени угол наклона оси ускорительной трубки по отношению к объекту (или наоборот) [200. [c.79]

Использование сигнала отраженных электронов открывает некоторые интересные возможности улучшения пространственного разрешения. Подробное изучение [37] свойств отраженных электронов с целью улучшения пространственного разрешения позволило разработать эффективный метод, в котором используются электроны с малыми потерями энергии . Этот метод основан на наблюдении того факта, что чем дальше электрон проходит в образец от точки падения первичного пучка, тем больше будет у него потеря энергии. Отраженные электроны, которые испытали потерю лищь 1% своей начальной энергии, так называе.мые электроны с малой потерей энергии , могут пройти лишь несколько нанометров до их отражения от образца. Предполагается, что такие электроны с малой потерей энергии выходят из образца главным образом за счет акта однократного упругого рассеяния на большой угол. Для того чтобы сделать максимальной генерацию электронов с малыми потерями энергии и направить их траектории в малый телесный угол выхода, образец сильно наклоняют, в результате чего возникает угловое распределение с резким пиком в направлении прямого рассеяния. Детектор электронов помещается в направлении прямого рассеяния, для того чтобы сделать максимальным собираемую часть сигнала. Для отсечкн всех электронов с энергией ниже некоторого значения КЕа, где К обычно устанавливается равным 0,95—0,99, используется система с сеткой с регулируемым потенциалом. Высокоэнергетические электроны с энергией Е/ЕоЖ затем после сетки ускоряются высоким напряжением и регистрируются системой типа сцинтиллятор-фотоумножитель. На изображениях, получаемых с помощью этой детекторной системы в сочетании с электронной пушкой высокой яркости, обнаруживаются самые тонкие струк- [c.162]

НИЯ Ко от поверхности. При нормальном падении пучка длина пути первичного пучка К, вдоль которого образовавшиеся вторичные электроны будут вылетать, равна У о. По мере увеличения угла наклона образца 0 длина пути первичного пучка в пределах от поверхности будет возрастать как Так как мало, то первый пучок суш,ественно не меняет свою энергию при прохождении этого расстояния, а темп генерации вторичных электронов под действием первичного пучка электронов по суш,еству остается постоянным и пропорциональным Н. Таким образом, так как длина пути возрастает пропорционально зес0, то подобным же образом ведет себя и коэффициент вторичной эмиссии. Вторичные электроны генерируются также отраженными электронами. Коэффициент отражения возрастает с углом наклона (рис. 3.15), и, следовательно, число вторичных электронов, генерируемых отраженными электронами, также с наклоном возрастает. Генерация вторичных электронов как первичными, так и отраженными электронами возрастает с ростом угла наклона, что в целом аппроксимируется законом секанса [уравнение (3.25)]. [c.65]

Для случая плоского образца, расположенного перпендикулярно пучку, угол выхода и телесный угол сбора электронов детектора тина сцинтиллятор — фотоумножитель показаны на рис. 4.18, а. Из высокоэнергетических отраженных электронов собираются лишь те, которые двигаются прямо по направлению к торцу сцинтиллятора (т. е. вдоль линии прямой видимости ), все остальные отраженные электроны не попадают на сцинтиллятор. Влияние потенциала смещения, приложенного к цилиндру Фарадея, на отраженные электроны пренебрежимо мало независимо от того, какой он — положительный или отрицательный. На рис. 4.18,6 показано, какая часть отраженных электронов собирается детектором для различных углов выхода для косинусоидального распределения по углам отраженных электронов при нормальном падении пучка на образец. Благодаря косинусоидальному распределению лишь малая часть отраженных электронов нонадает на коллектор при малых углах выхода. Обычно для детекторов типа сцинтиллятор — фотоумножитель в РЭМ угол выхода отраженных электронов по порядку величины составляет 30°, а телесный угол сбора приблизительно равен 0,05 ср (диаметр сцинтиллятора 1 см, расстояние от него до образца 4 см). Если образец сильно наклонен, то угловое распределение отраженных электронов становится вытянутым в направлении падения. Получающийся с таким угловым распределением телесный угол сбора показан на рис. 4.18, а. Для наклонного образца детектор, расположенный под малым углом выхода в направлении прямого рассеяния, имеет более высокую эффективность сбора. Чувствительность сциитиллято- [c.125]

Угловое распределение отраженных электронов зависит от наклона образца. При нормальном падении (6 = 0°) распределение подчиняется закону косинуса, в то время как при е>0° распределение становится более вытянутым в направлении прямого рассеяния, а максимум находится в плоскости пучка и нормали к поверхности. Направленность отражения при наклонных поверхностях образца создает траекторную компоненту топографического контраста в режиме отраженных элек" ронов. [c.143]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология