Контраст изображения

Темнопольная микроскопия осуществляется, в темном поле микроскопа при косом освещении — эти приемы позволяют увеличить контраст изображения вследствие образования видимой тени (свет от излучателя падает на плоскость объекта под таким углом, что его зеркальное отражение не попадает в объектив и поле зрения выглядит темным). В темпом поле можно качественно отметить неровности (сту/тени, сколы и т. д.) на поверхности объекта высотой до 1 —1,5 нм. В темном поле повышается и разрешающая способность микроскопа. [c.122]

Трансмиссионная микроскопия реализуется с помощью трансмиссионных (просвечивающих) электронных микроскопов (ТЭМ рис. 1), в к-рых тонкопленочный объект просвечивается пучком ускоренных электронов с энергией 50-200 кэВ. Электроны, отклоненные атомами объекта на малые 5ТЛЫ и прошедшие сквозь него с небольшими энергетич. потерями, попадают в систему магн. линз, к-рые формируют на люминесцентном экране (и на фотопленке) светлопольное изображение внутр. структуры. При этом удается достичь разрешения порядка 0,1 нм, что соответствует увеличениям до 1,5 10 раз. Рассеянные электроны задерживаются диафрагмами, от диаметра к-рых в значит. степени зависит контраст изображения. При изучении сильно-рассеивающих объектов более информативны темнопольные изображения. [c.439]

Для повышения контраста изображения и определения пространственного расположения структурных образований в образце производят оттенение. Наиболее простым методом оттенения является напыление углерода или тяжелого металла под углом к поверхности образца. Угол оттенения зависит от размеров структурных образований, глубины рельефа поверхности и составляет 5—45°. Наибольшее отложение происходит на участках, находящихся под прямым углом к потоку распыляемого материала. На закрытых участках распыляемый материал не осаждается совсем или осаждается в очень малой степени (рис. 7.10). [c.114]

Несмотря на некоторую общность оптической схемы, условия формирования изображения в световом и электронном микроскопах принципиально различны. В световом микроскопе изображение получается, главным образом, вследствие различной поглощающей способности световых лучей отдельными элементами объекта. Многие препараты, особенно биологические, во всех своих частях одинаково прозрачны для видимого света, поэтому их наблюдение в микроскопе затруднено. Если предварительно избирательно окрасить объект, то он начинает поглощать больше света по сравнению с окружающим бесцветным фоном и становится ясно видимым. В электронном микроскопе объект не должен заметно поглощать электроны. Взаимодействие электронов с объектом должно носить характер упругих столкновений, т. е. энергия электронов при прохождении через объект не должна существенно изменяться. Формирование контраста изображения связано с разной степенью рассеивания электронов различными участками объекта. [c.171]

При подготовке монографии были опущены некоторые разделы предыдущего издания. В частности, были исключены главы Механизмы формирования контраста изображения и Ионно-ионный микроанализ по массам . Эти и некоторые другие темы будут освещены во втором томе с предположительным названием Специальные методы растровой электронной микроскопии и рентгеновского микроанализа , предназначенном уже для специалистов, освоивших вводный курс. [c.8]

РОЛИ ОБРАЗЦА И ДЕТЕКТОРА В ФОРМИРОВАНИИ КОНТРАСТА ИЗОБРАЖЕНИЯ [c.134]

Рнс. 4.28. Обусловленный составом контраст изображения, наблюдаемый в суммарном режиме вторичных и отраженных электронов (а). Изображение той же области в отраженных электронах (б). [c.142]

ИНФОРМАЦИИ, СОДЕРЖАЩЕЙСЯ В КОНТРАСТЕ ИЗОБРАЖЕНИЯ [c.164]

Предупреждения относительно использования фиксаторов в равной степени применимы к окрашиванию. В связи с опасностью экстракции содержащихся растворимых веществ и вероятности внесения тяжелых элементов, рентгеновские пики которых могут маскироваться или налагаться на излучение интересуемых элементов, по-видимому, лучше всего избегать окрашивания. Если контраст изображения образца неприемлемо мал, тогда надо идти на некоторый компромисс, объект должен исследоваться либо в просвечивающем растровом электронном микроскопе, который дает наиболее высококонтрастные изображения, либо в режиме вторичной электронной эмиссии, который дает удивительно хорошую информацию с тонких срезов. [c.286]

Изготовление срезов при низких температурах является непростой процедурой, будучи даже более сложной для растительного материала, и рабочие параметры должны быть оптимизированы для каждого образца. Контраст изображения нефиксированного материала является слабым, и часто бывает трудно распознать знакомые клетки и ткани. Эти обескураживающие замечания не должны, однако, удерживать людей от попыток использования этого метода, потому что, несомненно, анализ срезов, и в частности толстых, замороженных в гидратированном состоянии срезов, дает количественно аналитические результаты, наиболее точно напоминающие условия, существующие в живой ткани. Важно распознавать артефакты, связанные с переходным таянием или полным оттаиванием, случайной регидратацией срезов, полученных лиофильной сушкой, перераспределением электролитов за счет мигрирующей рекристаллизации льда и загрязнением замороженных срезов. [c.313]

Вторичные электроны формируют топографический и морфологический контраст изображений. [c.329]

Несмотря на наглядность данного метода, все же контраст наблюдаемой картины недостаточен. Для увеличения контраста используется монохроматическая подсветка через затравку и монокристалл. Изображение выделяется с помощью селективных фильтров. Наряду с контролем диаметра удается получить картину распределения температуры на поверхности монокристалла и расплава, используя для этого передающую камеру высокой спектральной чувствительности в инфракрасном диапазоне. В том случае, если на поверхности расплава образуется оптически непрозрачный слой, то для его просвечивания используются рентгеновские лучи. Полученное при этом изображение проецируется на флюоресцентный экран и после усиления яркости анализируется. Контраст изображения зависит от угловых размеров фокуса рентгеновской трубки и соотношения коэффициентов поглощения кристаллизуемого вещества, а также от состава слоя на поверхности расплава и конструкции нагревательной системы. [c.145]

В результате ионизации электронных уровней генерируются электроны. Они покидают атомы в процессе столкновения последних с первичными электронами и проходят через вещество, теряя кинетическую энергию в результате описанных процессов. Электроны, образовавшиеся вблизи поверхности, испускаются в вакуум, собираются и регистрируются детектором вторичных электронов. С помощью таких электронов можно получить изображение объемных образцов с топографическим и морфологическим контрастом, если проводить развертку первичного пучка (сканирование) по поверхности образца и измерять ток вторичных электронов как функцию положения пучка электронов (рис. 10.2-5). Контраст изображения определяется главным образом углом между направлением первичного пучка и плоскостью поверхности в определенном участке. Это означает, что при сканировании неровных образцов этот угол меняется от точки к точке и также меняется интенсивность вторичной электронной эмиссии. Полученное изображение очень похоже на изображение [c.329]

Гидрозоли золота. Золи золота были объектами многочисленных электронно-микроскопических исследований. Это объясняется, с одной стороны, тем, что они являются примером классических гидрофобных золей и ранее всесторонне изучались другими методами, а с другой стороны — сравнительной легкостью изучения их в электронном микроскопе благодаря высокому контрасту изображения частиц и, следовательно, хорошему разрешению, получаемому на снимках. [c.133]

С помощью оптических методов можно контролировать объекты из материалов, прозрачных и полупрозрачных для светового излучения. Если же материал объекта непрозрачен, у такого объекта можно проверять состояние внешних и внутренних поверхностей или размеров. В зависимости от свойств материала контролируемого объекта оптический контроль осуществляется в отраженном, прошедшем или рассеянном излучении, а в необходимых случаях и при комбинированном освещении. Параметры источников света (интенсивность, спектр, направление, поляризация и т. д.) выбирают исходя из конкретных условий, чтобы обеспечить максимальный контраст изображения. Во всех случаях желательно иметь в помещении общее освещение, создающее освещенность не менее 10% от используемого местного освещения. [c.223]

Контрастом изображения дефекта называют нормированный перепад яркости на дефектном участке и окружающем дефект фоне, т. е. отраженного или прошедшего сквозь материал контролируемого объекта света [1] [c.223]

Радиационный метод оказался малопригодным для обнаружения расслоений, слабо влияющих на поглощение излучения. Результаты контроля можно улучшить применением заполняющих пустоты поглощающих излучение жидкостей (например, иодида цинка), которые увеличивают контраст изображений и облегчают обнаружение ударных разрушений. Однако это возможно только если повреждение материала открывает доступ контрастной жидкости в полость дефекта. [c.511]

Рис. 4. Зависимость контраста изображения от ширины наименьшего видимого дефекта при различной яркости экрана негатоскопа

В кристаллизационных установка но методу Багдасарова наиболее информативным комплексным параметром тепло- и массообмена является положение фронта роста. Чувствительность оптического контроля в данном случае зависит от относительного контраста изображения расплава и кристалла вблизи фронта роста. При высоких температурах, как уже отмечалось, контраст чрезвычайно мал вследствие яркости фонового освещения, создающегося нагревателем и экранами. Поэтому используется способ лазерной локации [112,113], основанный на различии коэффициента отражения поверхностей кристалла и расплава и их пространственной ориентации. Если поверхность расплава [c.148]

Контраст изображения С определяет наряду с разрешающей способностью выявляемость дефектов. Он зависит не только от яркостей дефектного д и бездефектного Ь участков изображения, но и от ширины дефекта Д6 и нерезкости и [c.58]

Зависимость контраста С от АЬ показана на рис. 4. Из анализа кривых следует, что с увеличением Дй и обнаруживаются дефекты с существенно меньшим значением Си, при этом наименьшие значения контраста изображения не превышают 1,4. .. 2 %. [c.58]

Фотографическая обработка. Как и при любых фотографических работах, экспонированная пластинка (или пленка) должна пройти последовательную обработку в проявителе и в фиксаже с достаточной про-мыв кой в воде после каждой из этих операций. Для спектрографических работ желательно применение проявителя, дающего высокий контраст изображения. Для достижения лучших результатов следует придерживаться конкретных рекомендаций, даваемых для обработки каждого применяемого типа пластинок. Необходимо проводить перемешивание растворов в течение всего времени проявления, иначе может произойти неравномерное проявление пластинки, которое приведет к погрешности при количественном анализе. В любом анализе, где производится количественно сравнение спектров по их оптической плотности, процессы обработки должны быть строго идентичны имеет значение разность температур, время проявления, истощение растворов и т. д. Может также оказаться, что две пластинки имеют неодинаковую чувствительность, особенно если они взяты из двух разных пачек это может произойти от неодинакового времени хранения, температуры хранения и т. п. Для уменьшения. влияния этих потенциальных источников ошибок следует анализируемый спектр и эталонные спектры фотографировать рядом друг с другом на одной пластинке этой практики следует придерживаться всегда, когда это возможно. [c.99]

Изменение контраста изображений дефектов. [c.94]

Наряду с положительным воздействием электронного пучка, способствовавшего более быстрому течению реакции, наблюдалось также его отрицательное действие, выражавшееся в образовании на объекте загрязняющего слоя. Появление слоя, толщина которого увеличивалась пропорционально времени и интенсивности облучения, приводило к значительному снижению контраста изображения. В некоторых случаях это обстоятельство вызывало прекращение реакции на одной из начальных стадий, но-видимому, вследствие блокировки поверхности серебра. [c.39]

Проектор светового сечения позволяет получить на экране изображение профиля изделия сложной формы, освещаемого с боков плоскими пучками света. На изделие обычно наносят слой черни (сажи и т.п.), чтобы усилить контраст изображения. Точность измерения контура может достигать 0,01 мм при увеличении 10. .. 20. При контроле протяженных изделий применяют цилиндрические объективы. [c.492]

Широкое применение находят волоконно-оптические телевизионные пирометры. Они обладают рядом преимуществ - возможностью усиления контраста изображения, высоким качеством изображения, возможностью его размножения на несколько телевизионных приемников и на большом удалении от объекта. [c.537]

Контраст изображения коксов, обработанных до различ- [c.34]

НИИ всего цикла температурный перепад между зонами роста и растворения (за счет изменения температуры в зоне растворения) периодически, через каждые 10—15 сут, увеличивается (или понижается) на 2—3 °С. Это позволяет получить кристалл, состоящий из нескольких слоев, различающихся скоростями выращивания. Изменение концентрации примеси в этих слоях дает возможность выбрать для исследования препараты из тех областей кристалла, где достигается максимальный контраст декорирования дислокаций в различных пирамидах роста, которые после термообработки полированных пластин толщиной от 0,1 до 0,2 мм обнаруживаются под микроскопом в определенном-свете при относительно малых увеличениях. Оптическими исследованиями установлено, что визуализация дислокаций обусловлена светорассеянием на многочисленных закономерно ориентированных микроскопических трещинах, возникающих в местах локализации неструктурной примеси. Контраст изображения отдельной дислокации зависит от количества, размеров и ориентации микротрещин, располагающихся вдоль линии ее следования. Обычно трещины ориентируются параллельно плоскостям основных ромбоэдров, базиса, дипирамид и призм. Трещины, параллельные базисной плоскости, имеют довольно крупные размеры (до 1 мм) и поэтому дают размытые изображения дислокационных линий. Наиболее четкие изображения отмечаются в случае декорирования дислокаций несколькими разноориентированными колониями микротрещин. По всей вероятности, контраст декорирования увеличивается и за счет сферических пор диаметром в несколько десятков нанометров, обнаруживаемых под электронным микроскопом в отожженом кварце с включением неструктурной примеси А1. [c.164]

Если для усиления сигнала с детектора до уровня, пригодного для отображающего устройства, используется линейное усиление, то исходный контраст, содержащийся в сигнале от системы образец — детектор, будет равен контрасту изображения на конечном экране. То есть если сигнал 5 линейно усиливается в К раз для получения на экране интенсианости /, то [c.166]

В последующем изложении мы будем отличать контраст, содержащийся в выходящем из системы образец — детектор сигнале, — исходный контраст, от контраста на экране ЭЛТ для визуального наблюдения или при фотографировании — контраст изображения . Это различие является важным, так как контраст, который нужно использовать в лраничном уравнении для определения необходимого тока, — это исходный контраст. Мы увидим, что обработка сигнала дает возможности многочисленных модификаций контраста изображения, делая более удобным его для наблюдения глазом. Такие манипуляции с контрастом изображения не могут, однако, создать никакого увеличения информации, которая не присутствует в сигнале на выходе из детектора. [c.167]

До последнего времени зернистость полимера была обнаружена с помощью просвечивающей электронной микроскопии. Полимеры состоят в основном из атомов легких элементов. В этом случае контраст изображения получается относительно слабым. Для увеличения контраста изображения проводится специальная обработка тяжелым металлом (оттене- [c.77]

Специальные подложки были разработаны для исследования тонких срезов. Применение обычных пленок здесь нежелательно, так как это приводит к снижению контраста изображения и разрешения. Кроме того, в этих условиях обычные пленки все же недостаточно прочны. Поэтому вместо них были предложены пленки с большим количеством отверстий, представ-ляюш ие собой микросетки. Получить их можно одним из двух описанных нин<е способов. [c.62]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология