Модель гелевого слоя

VII.4. Модель гелевого слоя [c.402]

Поток через мембрану может быть оценен на основе модели гелевого слоя (см. разд. VII.4). [c.427]

Механизм действия флокулянта-осадителя объясняется адсорбцией последнего на поверхности частиц осадка с образованием рыхлых граничных слоев. Одновременно флокулянт может осаждаться из-за смешения с высокоминерализованными водами. Фильтрационные эксперименты на моделях пласта показали, что гелевый состав на основе пяти частей ОЩ-2 с добавкой одной части жидкого стекла, образующейся в пористой среде, выдерживает градиент давления в 10 МПа/м, что обеспечивает в условиях реального пласта полное прекращение фильтрации воды. [c.329]

В гелевых участках двойные слои (ионные атмосферы) фиксированных ионов перекрываются, тогда как внутренняя часть межгелевых промежутков содержит электронейтральный раствор. В терминах модели "гетерогенного раствора" [73, 151] эта внутренняя электронейтральная область представляет собой "пассивную" зону, а геле(Вые участки вместе с окружающим их двойным электрическим слоем, - "активную" зону. [c.63]

С другой стороны, микрогетерогенная модель является предельным случаем капиллярной модели бидисперсного ионита. В этом случае нужно предположить, что в ионите имеются поры двух размеров мелкие поры, двойные слои в которых существенно перекрываются и изменением потенциала по сечению поры можно пренебречь, и крупные поры, радиус которых значительно больше дебаевской длины экранирования. Участки ионита, содержащие мелкие поры, образуют гелевую фазу, а крупные поры составляют межгелевые промежутки. Необходимо отметить, что бидисперсную пористую структуру предвидел еще Глюкауф [69, 70] и что впоследствии она была подтверждена многими исследователями [10, 21-23, 61, 119, 124, 125, 149, 150, 170-174]. Заметим также, что микрогетерогенная структура ионообменников, отраженная в описанных выше моделях играет важную роль не только в определении закономерностей сорбции электролита, но и в явлениях проводимости электрической, диффузионной, гидравлической, в формировании диффузионного потенциала и потенциала течения, влияет на селективность ионообменных мембран. Этим явлениям посвящены последующие главы. [c.67]

Физическая модель ионита, описанная выше, может быть представлена в виде эквивалентной электрической схемы (рис. 6). Крестообразно соединенные сопротивления г, имитирующие гелевые участки, имеют разные значения — от 150 ол1 до ХЪком причем максимальное количество сопротивлений имеет 1,6 ком. Разброс этих сопротивлений по схеме осуществлен путем случайного выбора. Соединенные крестом, сопротивления, отвечающие гелевым участкам, связаны друг с другом через параллельно соединенные конденсаторы с = 0,6 мкф, моделирующие двойной электрический слой, и переменные сопротивления R, играющие роль межгелевых промежутков. Максимальное значение R характеризуется случаем, когда ионит находится в равновесии с чистой водой. Кривая зависимости электропроводности t3koj схемы от величины 7я качественно совпадает с ходом кривых к—С для ионита (см. рис. 1), а логарифм импеданса схемы от Igf—с ходом кривой Igp—lg/ (см. рис. 5). [c.174]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология