Импеданс эквивалентная схема

Рис. 4 31 Эквивалентная схема электрохимической ячейки при отсутствии специфической адсорбции реагирующи.х веществ / р-ра--сопротивленне растаора Сд. с— мкость двойного слоя Л (о)) и Се (<о) -- компоненты фарадеевского импеданса

Рассмотрим эквивалентную схему ячейки с импедансом Варбурга (рис. 108, б) и рассчитаем фарадеевский ток /i, протекающий через ее правую ветвь [c.204]

Потенциостаты и другие электрохимические приборы. Рассмотрим эквивалентную схему трехэлектродной электрохимической ячейки (рис. 1.33). Эта схема включает в себя электроды рабочий (р. э.), вспомогательный (в. э.) и сравнения (э. с.) Zp а и Z .a — импедансы [c.46]

Линейный импеданс. Эквивалентные схемы [c.27]

Комбинируя величины / д и Сд, получим импеданс эквивалентной схемы для последовательного [c.231]

Величина 1/2, обратная импедансу, называется комплексной проводимостью или адмиттансом. Эквивалентная схема, отвечающая уравнению (59.11), состоит из параллельного соединения емкости С и сопротивления R [c.304]

Комбинированная схема, соответствующая наложению процессов диффузии, разряда и гетерогенной химической реакции, показана на рис. 163. Эквивалентная схема гетерогенной реакции включена последовательно с импедансом Варбурга и импедансом стадии разряда. Отдельные элементы этой схемы могут быть определены, если предпо- [c.304]

Величина Zq называется импедансом Геришера. Импеданс Геришера, как и диффузионный импеданс, нельзя представить в виде фиксированных значений емкостей и сопротивлений. Поэтому в эквивалентных схемах его обозначают символом G. Из соотношения (61.7) следует, что при й>- 0 [c.312]

Общая эквивалентная схема процесса, включающего медленную гомогенную реакцию, приведена на рис. 168. При низких частотах вместо О имеем омическое сопротивление, определяемое по формуле (61.8), а при высоких — импеданс Варбурга по веществу К. Если то и диффузионным импедансом по веществу В 2 можно пренебречь. [c.313]

Так как емкости в эквивалентной схеме ячейки соединены параллельно, то влияние емкости на общий импеданс ячейки [c.167]

Уравнение (48.8) легко проверить экспериментально. Величина й рассчитывается из общего импеданса ячейки при заданном потенциале по эквивалентной схеме, приведенной на рис. 131, а, а константа Ь и [c.259]

Общая эквивалентная схема пр оцесса, включающего медленную гомогенную реакцию, приведена на рис. 168. При низких частотах вместо —О— имеем омическое сопротивление, определяемое по формуле (61.8), а при высоких — импеданс Варбурга по веществу К. [c.327]

Приведенную в разд. 4.1.4 эквивалентную схему измерительной ячейки для электрохимических методов анализа можно значительно упростить применительно к методам переменнотоковой полярографии. Поверхность раздела фаз неполяризуемого противоэлектрода и электролита в отличие от небольших поляризуемых электродов обладает небольшим импедансом (переменнотоковым сопротивлением). Емкостный ток, возникающий между капельным электродом и электродом сравнения, также очень мал, поскольку в измерительной ячейке находится раствор электролита. Импеданс ячейки складывается из импеданса поверхности раздела фаз поляризованного электрода и электролита и сопротивления раствора электролита. Перемен- [c.153]

В отсутствие деполяризатора в растворе сопротивление поверхности раздела задается емкостным сопротивлением, при этом фарадеевский импеданс можно рассматривать как бесконечно большую величину. Эквивалентная схема упрощается до схемы с одним сопротивлением электролита и последовательно включенной емкости. Таким образом, можно измерить емкость двойного электрического слоя, определяя, например, общее сопротивление полярографической ячейки с применением импедансного измерительного моста и рассчитывая на основе эквивалентной измерительной схемы емкость поверхности раздела. Так как емкость двойного электрического слоя зависит от потенциала, на электрод надо наложить определенный потенциал (рис. 4.29). Влияние наложенного потенциала на емкость двойного электрического слоя приведено на рис. 4.27. При потенциалах разложения фонового [c.153]

Чтобы найти импеданс электрохимической ячейки, рассмотрим ее эквивалентную схему (рис. 3.17, а). [c.166]

В импедансном методе АК (см. п. 3.2.3) наличие дефекта определяли по изменению импеданса обусловленного гибкостью участка ОК. В случае измерения твердости определяют изменение импеданса к, обусловленного контактной гибкостью. Поскольку на эквивалентной схеме (см, рис. 2.24) элементы, соответствующие этим двум импедансам, включены параллельно, измерение к возможно только при условии 1 н к. Для увеличения ОК небольших размеров крепят к массивным предметам (например, зажимают в тиски), а для уменьшения к применяют более высокие частоты (30...80 кГц). [c.257]

На основе различий в свойствах импеданса емкости двойного электрического слоя и фарадеевского импеданса (зависимость от потенциала электрода, сдвиг фаз тока и напряжения, частотная зависимость, эффект выпрямления) измерить можно только одну из этих величин. Не следует считать на основе эквивалентной измерительной схемы, что фарадеевский импеданс и емкость двойного электрического слоя—две не зависящие друг от друга величины. Обе, включенные параллельно, служат только в качестве модели поверхности раздела электрода и электролита. Часто используют более расширенную модель эквивалентной схемы. При измерении переменнотокового сопротивления в каждом случае получают общий импеданс ячейки и путем соответствующих мероприятий и учитывая различия в свойствах С , и пытаются затем замерить только одну какую-то из этих величин. [c.155]

Если эквивалентная схема электрода может быть представлена в виде параллельного включения емкости двойного электрического слоя и фарадеевского импеданса, составленного из сопротивления перехода и диффузионного импеданса [c.76]

Показать, что если вблизи равновесного потенциала эквивалентную схему металлического электрода можно описать при помощи последовательного соединения диффузионного импеданса и сопротивления перехода, то должна выполняться линейная полулогарифмическая зависимость между потенциалом электрода и константой W уравнения диффузионного импеданса. [c.130]

Процессы, протекающие в электрохимических системах, достаточно сложны. Для облегчения их представления широко пользуются методами моделирования. При этом полярографическая ячейка представляется в виде различных эквивалентных электрических схем. Их эквивалентность состоит в том, что при наложении на них заданного переменного напряжения через схемы течет такой же ток, который протекал бы через полярографическую ячейку при наложении на нее такого же переменного напряжения. Рассмотрение особенностей поведения полярографической ячейки в условиях ВПТ первого порядка показало, что ей эквивалентны электрические схемы, содержащие соединенные соответствующим образом конденсаторы и резисторы. При этом емкость двойного слоя можно представить в виде конденсатора с емкостью Сдв, а омическое сопротивление в цепи ячейки — в виде резистора с сопротивлением В. Электрохимическая реакция моделируется в виде комплексного сопротивления 2ф (фарадеевского импеданса). Эквивалентные схемы, учитывающие все особенности электрохимических процессов, достаточно сложны [10]. На практике часто достаточно применения упрощенных схем, в которых, например, фарадеевский импеданс представляют в виде двух групп составляющих. В первую группу входят элементы, моделирующие процесс диффузионной доставки ЭАВ к поверхности электрода,— резистор с сопротивлением / п, называемым поляризационным сопротивлением, и конденсатор с емкостью С , называемой псевдоемкостью. Сопротивление псевдо-емкости Х5 = 2п1Св, где — частота переменного поляризующего напряжения, равно Кп. [c.20]

Сх — емкость исследуемого электрода Их сопротивление раствора Св -- общая поляризационная емкость вспомогательного врлектро-да г — омическая составляющая фарадеевского импеданса вспомогательного электрода Ся-а — емкость конденсатора. образованного исследуемым и вспомогательный элект1>одани 6 — упрощенная эквивалентная схема ячейки [c.167]

Поскольку в данной системе токи обмена электрохимической реакции намного ниже, чем на Р1, влияние диффузионного импеданса на измеряемые величины практически отсутствует. Эквивалентная схема в этом случае упрощается до схемы рис. 4.35. Для получения элементов данной эквивалентной схемы измерения импеданса необходимо проводить при частотах переменного тока 10 —10 Гц (из-за бо.1Ьшой величины / р), т. е.для выполнения работы следует воспользоваться простейшей установкой, описанной в начале раздела, либо соответствующей автоматической. [c.267]

Анализ результатов измерений состоит в построении диаграмм Коул—Коул, которые представляют собой зависимость в комплексной плоскости реактивной составляющей импеданса (1/С зм а) от активной Данная диаграмма для эквивалентной схемы (рис. 4.35) имеет вид полуокружности, центр которой лежит на оси абсцисс и смещен относительно начала координат на величину Яр. а Ч--Рр, в радиус раве / р. Схематически это показано на рис. 4.36. [c.267]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология