Дебаевская обратная длина

В соответствии с общим определением обратной дебаевской длины (1.18) величина х в (1.25) равна [c.18]

Здесь введены следующие параметры Г — постоянная Гамакера е — диэлектрическая проницаемость внешней жидкости % — обратный дебаевский радиус, %= 1/Я.д Я-о — толхцина двойного слоя [см. (11.98)] а = ф2/фь Ф, и ф2 — потенциалы поверхностей капель к = — отношение радиусов капель 5 = 2г/(/ , + Л2) — безразмерное расстояние между центрами капель (безразмерный зазор между каплями Д = 5 - 2) а = 0,55 / ,(1 к) з - 2) р = 2я(г- Л, - 2) V — лондонов-ская длина волны. [c.354]

На средних расстояниях между частицами могут нри определенных условиях перевешивать силы электростатического отталкивания, носящие экспоненциальный характер везде, кроме малых расстояний (меньше дебаевской длины), где, как было показано в главе 1, также возможна степенная зависимость (см. формулу Ленгмюра ( 1.35)). Однако здесь зта зависимость от расстояния к слабее, чем соответствующая зависимость молекулярного взаимодействия. Так, ионно-электростатическое давление обратно пропорционально А , [c.260]

X — величина, обратная толщине дебаевской ионной атмосферы — длина волны [c.9]

Здесь 36 —обратная дебаевская длина. Для заряженной поверхности без диполей можно записать следующие граничные условия [c.60]

Кг обратная дебаевская длина в непрерывной и дисперсной фазах [c.461]

Кд, К - обратная дебаевская длина в воде и в масле [c.461]

Воспользовавшись уравнением Пуассона, можно найти V(x) как функцию X и, таким образом, характеристическую для приповерхностного слоя дебаевскую длину л, которая приближенно обратно пропорциональна корню квадратному из концентрации подвижных дефектов и, следовательно, сильно растет с падением температуры. В общем случае ширина слоя Дебая составляет несколько сотен атомных расстояний. Мы обсуждали здесь образование слоя поверхностных зарядов, однако любой источник вакансий (или других атомных дефектов) внутри кристалла об- [c.107]

Реальная зона Бриллюэна, в пределах которой находятся разрещенные значения волнового вектора К, заменяется сферой того же объема в обратном пространстве с радиусом, равным волновому вектору максимальной длины — дебаевскому волновому вектору Кр. [c.101]

А — длина одного звена полимерной цепи х — величина, обратная дебаевскому радиусу Н — расстояние между концами макроина. Отсюда следует [c.52]

Ионизованный газ называют плазмой, если дебаевская длина экранирования заряженных частиц мала по сравнению с линейными размерами рассматриваемого объема. В сильноионизованном газе соударения между заряженными частицами (кулоновские соударения) преобладают над их соударениями с нейтралами. При обратном соотношении говорят о слабоионизоваином газе. В зависимости от степени ионизации и температуры поведение плазмы может быть описано с помощью двух моделей двухжидкост- [c.276]

При сравнительно высоких температурах Сг) = сопз1 (как следует из закона Дюлонга и Пти), скорость звука в дебаевском приближении также считается практически не зависящей от температуры и, поскольку / 1/7, коэффициент теплопроводности должен быть обратно пропорционален температуре Т. При понижении температуры длина свободного пробега фононов I возрастает, и при достаточно низких температурах I определяется размерами кристалла. Дальнейшее понижение температуры уже не влияет на значение I. В этой области теплопроводность а так как при низких температурах то и X зависит от температуры по такому же закону. [c.138]

Наиболее часто изучение дефектов проводят по уширению линий на рентгенограмме поликристалла. В то же время выражение (14.18) показывает интенсивность в точке обратного пространства на конце вектора g. Для получения интенсивности рассеяния от поликристалла надо I (g) проинтегрировать по сфере радиусом g. Тогда интенсивность, приходяшаяся на единицу длины дебаевского кольца, т. е. на единицу площади сферы узла ОР, будет в 4я раз меньше. Так как квазили- [c.351]

Дебаевская длина X является важным параметром, описывающим распределение потенциала. Ее величина равна 9,6Х ХЮ сМд или 9 6 А, в ОД М водном растворе одно-одновалент-ного электролита при 25° С. Она обратно пропорциональна зарядам ионов и квадратному корню из концентрации и прямо пропорциональна квадратным корням из диэлектрической проницаемости и абсолютной температуры. На рис. 27-1 показано распределение анионов и катионов вблизи центрального катиона. Кривые вычислены по уравнениям (27-3) и (27-10) для 0,1 М водного раствора одно-одновалентного электролита при 25 °С. Экранирующие ионы формируют вокруг центрального иона ионное облако толщиной порядка дебаевской длины Л. [c.97]

Дебаевская длина обратно пропорциональна Z ) > т.е. Ьна растет с увеличением концентрации сильного электролита и заряда ионов (другими словами, уменьшается с ростом ионрой силы раствора). Толщину двойного электрического слоя можно оценить довольно точно. При 298 К для водного раствора после подстановки значений постоянных имеем [c.216]

Для объяснения поведения полиэтиленимина при низких степенях нейтрализации (а < 0,5) Шепард и Китченер привлекли теорию цепных полиэлектролитов Качаль-ского [91]. Эта теория основывается на следующих исходных положениях. Основные (и.ии кислотпые) группировки по.тиэлектролита сохраняют свое нормальное химическое сродство при условии, что общая свободрхая энергия полимерной молекулы включает следующие три фактора 1) энергию, необходимую для растяжения макромолекулы от ее нормальной длины (/ о) до средней длины (/г) 2) энергию, необходимую для построения ионной атмосферы (обратный дебаевский радиус х) 3) энергию отталкивания, вызванного взаимодействием V фиксированных зарядов, равномерно распределенных между N статистическими цепными элементами, каждый из которых имеет длину А. [c.92]

X — обратная толш,ипа двойного слоя (дебаевская длина). Граничные условия (5), (6а) и (66) соответственно примут следуюш,ий вид [c.80]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология