Метод Штёбера

Недавно метод Штёбера в применении к органическим соединениям был использован при получении кристаллов толана и нафталина [6], п-ди-хлорбензола и -дибромбензола [76]. В последней работе постепенного уменьшения подачи энергии к нижнему нагревателю достигали при помощи удобного жидкостного реостата с медленно капающей из него жидкостью. [c.231]

Хотя описанный выше метод Штёбера основан на охлаждении расплава в направлении снизу вверх, очевидно, что перемена горячей и холодной зон местами приведет просто к изменению направления затвердевания. Несмотря на то что такое обратное направление температурного градиента осуществить труднее [82], оно оказывается необходимым, когда имеют дело с расплавом, плотность которого с уменьшением температуры понижается во всей области применяемых температур, так как это приводит к сильным конвекционным потокам, нарушающим горизонтальные изотермические сечения [57]. [c.231]

По сравнению с методом Бриджмена — Стокбарджера метод Штёбера применяется значительно реже. Причиной этого является, вероятно, тот факт, что, хотя оба метода имеют одни и те же удобства и могут применяться одинаково широко, строгий контроль за границей твердое вещество — расплав легче осуществить, меняя положение тигля относительно источника тепла, чем варьируя путем изменения напряжения температурный градиент на нагревателе. [c.231]

Методы кристаллизации расплава приведены в табл. 1.4 и схематически показаны на рис. 1.11. Наиболее простыми являются методы, в которых кристаллизация осуществляется в результате постепенного затвердевания расплава с одного конца контейнера (направленная кристаллизация). Для этого используют горизонтальные кристаллизационные аппараты (методы Капица и др.) или вертикальные (методы Штёбера, Бриджмена, Стокбаргера, Киро- [c.33]

Выращивание вз расплава. Контейнер с расплавом и затравкой охлаждают так, чтобы затравка всегда была холоднее расплава, но переохлаждение на ее пов-сти было невелико и затравка росла без дендритообразования или появления паразитных кристаллов. Этого достигают разными способами меняя т-ру нагревателя (метод Стронга-Штёбера), перемещая нагреватель относительно контейнера (метод Бриджмена - Стокбаргера), размещая затравку иа неподвижном охлаждаемом стержне (метод Наккена), вытягивая затравку из расплава по мере роста кристалла без вращения (метод Киропулоса) или с вращением (метод Чохральского). Затравке или щели, из к-рой вьггягивают кристалл, иногда придают спец. форму, выращивая кристаллы разного профиля (метод Степанова). Особенно широко распространен метод Чохральского, при к-ром затравку закрепляют на охлаждаемом стержне, опускают в расплав, а затем вытягивают из расплава при непрерывном вращении стержня. Метод используют для пром. получения металлич. и полупроводниковых кристаллов размером 1-50 см с регулированием их качества (дефектности) путем изменения скоростей вращения и вытя- [c.132]

Стрихнин 4/873, 391, 466, 874 1/143, 147, 619, 671 2/459 3/704 5/1051 Стробирование 4/127, 128 Стронга-Штёбера метод 3/255, 256 Стронцианит 2/639 4/874, 875, 877 Стронций 4/874 3/849 5/937 азид 1/72 амнд 1/232 4/875 борат 1/1078 [c.714]

Если при выращивании кристаллов из расплава по методу Бриджмена — Стокбарджера тигель перемещается относительно зоны перепада температур, то Штёбер использовал неподвижный тигель и менял в зоне расположения тигля температурный градиент. Схема прибора показана на рис. 33. Тигель А расположен между двумя параллельными нагревателями В и С и окружен материалом теплопроводность которого по возможности такая же, как и у выращиваемого кристалла. Вся внутренняя камера равномерно и хорошо изолирована термоизоляцией Е. [c.230]

Предотвращение сегрегации, зонное выравнивание. Рассмотрим сегрегацию или, точнее, методы ее устранения. При выращивании кристаллов методами, основанными на направленной кристаллизации (например, методами Бриджмена, Штёбера, Стокбаргера, методом вытягивания), расплав обедняется или обогащается примесью в зависимости от того, меньше или больше единицы коэффициент распределения таким образом, состав кристаллов изменяется в процессе роста. Для приготовления однородных кристаллов предложены различные методы. Один из них, довольно простой и удобный для получения сравнительно некрупных кристаллов —это выращивание кристаллов из больших объемов расплава. Его использовали для получения кристаллов теллурида висмута с различным отклонением от стехиометрии [155]. Кристаллы либо извлекают из расплава, либо удаляют последний отсасыванием [156]. [c.40]

Выращивание моно1фисталлов из расплава проводят разнообразными методами, среди которых наиболее популярными остаются методы Бриджмена, Вернейля, Киропоулоса, Наккена, Обреимова-Шубникова, Стокбаргера, Чохральского и Штёбера. [c.405]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология