Висмут теллуриды

Интересно, что при переходе по ряду 8—8е—Те максимум теплоты образования смещается от сурьмы (и мышьяка) к висмуту. Теллурид висмута (т. пл. 580, т. кии. 1172 °С) используется в некоторых термоэлектрических устройствах. Его кристаллы имеют слоистую структуру и обнаруживают резко различную электропроводность в направлениях параллельном и перпендикулярном слоям. С повышением давления их температура плавления сперва возрастает (до 610 °С при 15 тыс. от), а затем понижается (до 535 °С при 50 тыс. ат). [c.473]

Физико-химические свойства теллурида висмута. Теллурид висмута обладает ромбоэдрической кристаллической структурой. Его кристаллы составлены из атомных слоев, чередующихся в направлении оси с в последовательности [c.64]

Селениды висмута, теллуриды золота [c.119]

Важной структурной особенностью является приблизительно октаэдрическое расположение атомов Те вокруг атомов Те" и атомов Те вокруг атомов В1. Связи между атомами далеко не равноценны (А) В1—Те — 3,12, В1—Те" — 3,22, Те —Те" (между соседними слоями) 3,57. Поэтому теллурид висмута имеет хорошо выраженную плоскость спайности. Те же причины лежат в основе хорошо известной анизотропии этого соединения. В направлении, перпендикулярном и параллельном плоскости спайности, все параметры чрезвычайно разнятся. В частности, это относится к теплопроводности чч = 0,0075 Вт/см-град, >.ц = = 0,0175 Вт/см- град. [c.64]

В химическом отношении теллурид висмута так же, как и антимонид индия, достаточно благороден. Тем не менее он растворим в окисляющих кислотах (азотная кислота — распространенный травитель данного соединения), взаимодействует с кислородом воздуха при температурах выше 300° С. Некоторые наиболее важные свойства теллурида висмута [c.64]

Висмут (III) теллурид см. Висмут (III) теллуристый [c.116]

Арсенопирит, пирротин, сфалерит, галенит, халькопирит, теллуриды и селениды висмута и свинца [c.119]

Прямое определение Sb в сочетании с рядом других элементов производится в самых разнообразных материалах, в том числе в алюминии [54, 55, 1134, бериллии и его соединениях [305, 1297], боре [778, 11171 и фосфиде бора [26], ванадии и его окислах [234, 491, 1117], висмуте [809, 909, 1134], вольфраме и его соединениях [195, 739, 795, 1265], вольфрамовых рудах [1480], германии и его соединениях [559, 634, 905], горных породах [386, 730, 1182, 1240, 1336, 1443, 1599], графите и углероде [235, 397, 612], жаропрочных и тугоплавких сплавах [176, 177, 379, 1278, 1593], железе [425, 1134, 14411, железных рудах и минералах [198, 386, 636, 971, 1336], сталях [176, 546, 1278, 1441, 1593] и чугуне [61, 274, 546, 1250], золоте [404, 754, 909, 1095] и его сплавах [196, 389,390, 1167], индии [1168, 1308] и сплавах на его основе [814, 815, 1267], иттрии и его окислах [234, 272], алюмоиттриевом гранате [82], кадмии [598, 599, 1134] и кадмиевых сплавах [819], кобальте [60, 153, 1134], кремнии [252, 1619], кварце [154], карбиде кремния 109, 110, 288, 789, 790, 1353], кремниево-медных сплавах 594], силикатах [1586], технических стеклах [612, 1579], меди 129, 482, 964, 997, 1176, 1599, 1609, 1645, 1654], медных сплавах 96, 482, 1048, 1188, 1457,1463, 1566], окиси меди [199], продуктах медеплавильного производства [3601 и медных электролитах [1298, 1600], молибдене и его соединениях [104, 237, 308, 795, 1325, 1347, 1443], мышьяке [472, 1134], никеле и никелевых сплавах [486], ниобии и его окислах [49, 972], олове [582, 744, 782, 812, 900, 1684] и его сплавах [1210, 1494, 1495], полупроводниковых материалах [668, 678, 806, 1298, 16841, припоях [210, 1101], свинце [481, 534, 908, 1154, 1155,1193, 1543,1655], свинцовых сплавах [126, 871], рудах [53, 667, 806, 1143] и пылях [811], РЗЭ и их окислах [234, 353], селене [154, 155, 499, 747, 818, 1134], селениде ртути [715], сере [189, 1134], серебре [388, 390, 391, 909, 1598], хло- иде серебра [1362], стеклоуглероде [397], сульфидных рудах 638], тантале [237], теллуре [156, 591, 592, 1134, 1613], теллуровом баббите [1656] и теллуриде свинца [342], типографских сплавах [323], титане и двуокиси титана [288, 306, 1262], тории и его окислах [272], уране [1447], окислах урана [878, 1182, 1240] и урановых рудах [1443], ферросплавах [792, 793], фосфоритах [879], хроме [555, 729, 792] и его окислах [54, 55, 571], цинке [976] и цинковых рудах и минералах [1142], цирконии [679] и двуокиси циркония [1368], производственных растворах [205, 882, 1290, 1323, 1324, 1483], сточных и природных водах [429], азотной, серной, соляной, уксусной, фтористоводородной и бромистоводородной кислотах [111, 121, 407, 552, 574, 10081, воздушной пыли [121. [c.81]

В теллуриде висмута, легированного сурьмой, и в ряде других подобных термоэлектрических материалов 8Ь определяют пер- [c.126]

Теллуриды свинца и висмута [c.188]

СОЕДИНЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА ВИСМУТА - СОВРЕМЕННЫЕ ПРОМЫШЛЕННЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ОХЛАДИТЕЛЕЙ И ГЕНЕРАТОРОВ [c.39]

В данной лекции речь пойдет о термоэлектрических характеристиках материалов на основе теллурида висмута. Известно, что основные эксплуатационные показатели термоэлектрических устройств (максимальный перепад температуры на холодильной термобатарее, максимальный холодильный коэффициент, коэффициент полезного действия генераторной термобатареи) определяются термоэлектрическими параметрами п- и /7-ветвей термоэлементов коэффициентом термоЭДС а, электропроводностью а и теплопроводностью к. В выражения для эксплуатационных показателей эти параметры входят в виде обобщенной величины 2т.э Г, называемой критерием Иоффе, где 2т.э - термоэлектрическая эффективность термоэлемента Т - абсолютная температура, причем [c.39]

Рассмотрим, почему именно термоэлектрические материалы на основе теллурида висмута являются широко распространенными и высокоэффективными. Из выражения для р видно, что для увеличения 2 надо повышать подвижность носителей и снижать теплопроводность решетки. Подвижность определяется рассеянием носителей на температурных [c.41]

Данные о термоэлектрической эффективности при комнатной температуре некоторых полупроводниковых соединений представлены в табл.1. Видно, что теллурид висмута как я-, так и / -типа существенно превосходит по эффективности другие соединения. [c.43]

Поэтому можно ожидать, что в твердых растворах достаточно высокой концентрации, где атомы второго компонента расположены на расстоянии, сравнимом с постоянной решетки, будет сильное рассеяние фононов, а для электронов рельеф оказывается сглаженным и подвижность не будет существенно снижена. Поскольку в теллуриде висмута подрешетка висмута имеет отрицательный заряд, электроны должны распространяться в основном в этой подрешетке, а в подре-шетке теллура должны распространяться дырки. Следовательно, для создания материалов и-типа на основе теллурида висмута надо вносить примеси в подрешетку теллура, оставляя слои висмута свободными для распространения электронов, а для материалов / -типа надо вносить примеси в подрешетку висмута. [c.44]

А.А. Аверкин, Б.М. Гольцман и сотрудники исследовали возможности повышения 2 путем воздействия на зонную структуру материала упругой деформацией [17]. При этом подвергались гидростатическому сжатию поликристаллические образцы термоэлектрических материалов на основе теллурида висмута стандартных составов, а также термоэлемент, приготовленный из них, в котором непосредственно под давлением измеряли максимальный перепад температуры. Оказалось, что при давлении 15 кбар происходит сильный рост электропроводности и, как следствие этого, увеличение 2 до (4-4,5)10 К . Этот результат подтверждался и измерениями на термоэлементе. Причина этого эффекта до конца не выяснена. По-видимому, давление изменяет величины компонент тензора эффективной массы, анизотропной в материалах на основе теллурида висмута. [c.49]

Советский радионзотопнмй генератор Бета-2 , Предназначен для пнтання радиометеорологических станций. Используется в труднодоступных районах. Удостоен большой Золотой медали в Лейпциге. Термоэлектрические материалы — теллурид и селенид висмута, теллурид сурьмы [c.64]

Левина [314] опубликовала обзор работ по использованию масс-спектрометра для изучения термодинамики испарения и показала, что этот метод может быть применен для изучения состава паров в равновесных условиях и определения парциальных давлений компонентов, а также термодинамических констант. При повышенных температурах изучались галогенные производные цезия [9], были получены теплоты димеризации 5 хлоридов щелочных металлов [355] исследовались системы бор — сера [458], хлор- и фторпроизводных соединений i и z на графите [53], Н2О и НС1 с NazO и LizO [442], UF4 [10], системы селенидов свинца и теллуридов свинца [398], цианистый натрий [399], селенид висмута, теллурид висмута, теллурид сурьмы [400], окиси молибдена, вольфрама и урана [132], сульфид кальция и сера [105], сера [526], двуокись молибдена [76], цинк и кадмий [334], окись никеля [217], окись лития с парами воды [41], моносульфид урана [85, 86], неодим, празеодим, гадолиний, тербий, диспрозий, гольмий, эрбий и лютеций [511], хлорид бериллия [428], фториды щелочных металлов и гидроокиси из индивидуальных и сложных конденсированных фаз [441], борная кислота с парами воды (352), окись алюминия [152], хлорид двувалентного железа, фторид бериллия и эквимолекулярные смеси фторидов лития и бериллия и хлоридов лития и двува лентного железа [40], осмий и кислород 216], соединения индийфосфор, индий — сурьма, галлий — мышьяк, индий — фосфор — мышьяк, цинк — олово — мышьяк [221]. [c.666]

Превалирующими катодной и анодной реакциями при рафинировании серебра являются Ag е Ag+. Из-за малого перенапряжения при не слишком высоких плотностях тока эти реакции протекают при потенциалах, близких к равновесному. В соответствии с этим возможные примеси — золото, платиноиды, медь, сурьма, висмут, олово, селен, теллур, а также незначительные количества цинка, кадмия, никеля, железа — ведут себя в растворах рафинирования серебра в соответствии с их потенциалами и химическими свойствами. В шламе концентрируются золото и платиноиды, сурьма, висмут и олово в виде гидроокисей и метаоловян-ной кислоты, сера, селен и теллур в виде сульфидов, селенидов и теллуридов металлов. В растворе накапливается медь, которой в рафинируемом металле может быть довольно много (в сплаве д оре до 2—3%), а также все более электроотрицательные металлы. Контролирующей примесью является медь, допустимое содержание которой 30—40 г/л. При превышении этого количества часть электролита отбирают и заменяют свежим серебро из отработанного раствора извлекают методом цементации медьЕо. [c.316]

Теллур образует около 40 минералов (калаверит АиТег и другие теллуриды серебра, висмута, свинца, ртути) — больше, чем селен. Поэтому теллур был открыт на 35 лет раньше селена, хотя последнего на Земле гораздо больше, чем теллура. В промышленности теллур получают как попутный продукт переработки руд металлов. [c.249]

В фотосопротивлениях используют таллофид (смесь таллия, серы и кислорода) с максимумом чувствительности в области около 1 мкм, теллурид свинца с максимумом в области 4,5 мкм, селенид кадмия с максимумом в области 0,75 мкм, сульфид свинца с максимумом в области 2,4 мкм, сульфид висмута с максимумом в области 0,7 мкм. Таким образом, большинство фотосопротивлений пригодно для работы в ИК-области спектра. Только фотосопротивления из сульфида кадмия имеют максимум чувствительности в видимой области и пригодны для работы в этом участке спектра. [c.243]

Извлечение селена и теллура из медеэлектролитных шламов. Шламы электролитического рафинирования меди, помимо селена и теллура, содержат другие полезные компоненты, в первую очередь золото, серебро, медь (табл. 24). Медь находится в шламах главным образом элементарная, селен и теллур — преимущественно в составе селенидов и теллуридов благородных металлов, селенидов свинца и меди. Кроме того, в них есть сульфат, арсенат и аитимонат свинца, окислы и гидраты окислов мышьяка, сурьмы, висмута, олова, кремния и другие соединения. [c.136]

Теллурид висмута можно получать, непосредственно сплавляя компоненты (при 650°) на воздухе в графитовых тиглях под слоем флюса — эквимолярной смеси Na l и КС1 (или смеси КС1 и Li l 2 3). Для измельчения структуры слитка кристаллизацию расплава ведут с применением высокочастотной вибрации (20—35 кГц). Для некоторых целей теллурид висмута получают горячим прессованием тщательно смешанных порошков теллура и висмута (400°, давление 4—7 т/см ) с последующим отжигом в вакууме [116]. [c.154]

Перманганатометрическим титрованием определяют Sb в алюминиево-магниевых сплавах [719], арсениде-фосфиде и арсениде-антимониде марганца [1646], медных сплавах [1346], теллуриде висмута и термоэлектрических материалах на его основе [988], сплавах на основе олова и свинца [1304], электролитах серебрения [775], баббитах [1223], щелочно-калиевых растворах [648]. [c.36]

В отличие от Bi2S3 селенид и теллурид висмута имеют структуры, в которых металл занимает октаэдрические пустоты в плотнейшей упаковке атомов селена или теллура. Интересные примеры некоторых более сложных типов плотнейших упаковок [c.515]

К суспензии 20 г порошкообразного Те (обычный промышленный препарат) в 200 мл дистиллированной воды, находящейся в литровом химическом стакане, медленно приливают 95 мл концентрированной азотной кислоты (d 1,42). Смеси дают постоять в течение 10 мин, периодически взбалтывая ее. Случайные нерастворившиеся примеси (селениды, теллуриды и т. д.) быстро отсасывают и к фильтрату приливают еще 65 мл концентрированной азотной кислоты. Раствор кипятят до удаления всех оксидов азота. Если введенный в реакцию теллур содержит некоторое количество сурьмы или висмута, то выпадают основные нитраты этих элементов, которые в случае необходимости можно отфильтровать через стеклянный фильтр. Прозрачный фильтрат упаривают в стакане (емкостью 600 мл) на водяной бане до объема 100 мл, дают охладиться и отсасывают выкристаллизовавшийся Te2O3(0H)N03. Соль промывают водой и высушивают на глиняной тарелочке на воздухе. Чтобы получить ТеОг, высушенную соль нагревают в течение 2 ч при 400—430 °С (на песчаной бане или электрической плите) в фарфоровом сосуде, который прикрыт от пыли перевернутым стаканом (во избежание восстановления до теллура ). Полученный таким образом чисто белый ТеОа представляет собой чистый для анализа препарат. В случае сильного загрязнения исходного вещества Te203(0H)N03 можно перед прокаливанием еще раз перекристаллизовать из 40%-ного раствора азотной кислоты d 1,25). После охлаждения ТеОг тотчас переносят в хорошо закрывающийся чистый сосуд во избежание его окрашивания восстанавливающими органическими веществами из воздуха. При хорошем качестве исходного теллура выход составляет около 21 г, что соответствует 84%. [c.475]

По Брукл и Максимовичу [377], метод Гутбиера дает неполное разделение висмута и теллура — часть теллура остается в осадке (в виде теллурида висмута). [c.71]

Ионы кадмия и висмута осаждаются в виде теллуридов состава СаТе и В12Тез. [c.66]

Что же хфедставляет собой теллурид висмута Этот материал состоит из тяжелых атомов (особенно атомы висмута). В этом отношении он перспективен. Его структура состоит из слоев, расположенных параллельно, как пластинки слюды (рис. 2). Атомы каждого слоя одинаковые и образуют плоскую гексагональную решетку (рис. 3). Как видно из рис. 2, пять соседних слоев объединены в квинтет, в котором слои атомов висмута и теллура чередуются. В квинтете атомы связаны сильными ковалентными связями с небольшой долей ионно-сти. Ионная компонента обусловлена разной валентностью теллура и висмута 6-валентный теллур отдает электроны 5-валентному висмуту, поэтому слои висмута заряжены отрицательно, а слои теллура -положительно. Граничащие между собой внешние слои квинтетов связаны слабыми ван-дер-ваальсовскими связями, поэтому кристаллы теллурида висмута легко раскалываются по границам квинтетов, образующих плоскости спайности. Смешанная химическая связь в тел-луриде висмута благоприятна для получения высокой термоэлектрической эффективности. [c.42]

Описанная структура является предпосылкой сильной анизотропии свойств теллурида висмута. Так, электропроводность и теплопроводность вдоль слоев значительно выше, чем поперек а //ст 1 = = 4-6 Стр///ар = 2,7 Креш/// Кр ш = 2-3, коэффициент термоЭДС почти изотропен. В результате имеет место анизотропия величины 2, т. е. 2 ///2 = 2 2р///2рх = 1,5. Описанная структура обуславливает также сильную анизотропию скорости роста при кристаллизации из расплава. Поскольку ковалентные связи замкнуты внутри квинтета, то вероятность присоединения атомов из расплава к плоскости спайности мала. Поэтому скорость роста в направлении поперек плоскости спайности значительно меньше, чем вдоль нее. Это создает возможность получения материалов с направленной структурой, в которой вдоль направления роста величина 2 максимальна (используются методы направленной кристаллизации зонная плавка, методы Бриджмена и Чохральского). Ширина запрещенной зоны теллурида висмута невелика Eg= 0,1 ЗэВ, т. е. при 300 К Е/кТ = 5. Эта величина меньше отмеченного выше критического значения Е Т= 8. Поэтому в теллуриде висмута при 300 К сказывается собственная проводимость, снижающая термоэлектрическую эффективность. [c.43]

Исследования Т.Е. Свешниковой с сотрудниками [10,11] показали, что монокристаллы я-В12Те2,858ео,15, легированные медью, при 220-350 К имеют 2= (3,1-3,4)10 При этом отмечалась положительная роль меди как упрочняющей добавки. Располагаясь между квинтетами, атомы меди укрепляют связи между ними, и раскалываемость по плоскостям спайности кристаллов снижается, что является существенным для практического использования. Ранее [12] было обнаружено, что коэффициент диффузии меди в теллуриде висмута чрезвычайно велик и поэтому материал, легированный медью, не должен быть стабильным. Однако стабильность материала в [10] высокая после отжига в течение 150 ч при температуре 280 С свойства не изменились. По-видимому, вопрос о возможности использования меди в качестве легирующей добавки в материалах на основе В12Тез еще требует уточнения. [c.47]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология