Метод Бриджмена — Стокбарджера

Общепризнанным является тот факт, что при применении метода Бриджмена — Стокбарджера рост лучше всего происходит тогда, когда температура по сечению печи предельно выравнена, а вертикальный перепад температур у перегородки возможно более резкий, что приводит к образованию хорошо обозначенной горизонтальной границы раздела твердой фазы и расплава. Следует избегать кратковременных флуктуаций температуры, механических встряхиваний, неравномерного опускания тигля и других явлений, которые способствуют нарушению границы расплав — поверхность растущего кристалла. После полного затвердевания расплава образовавшийся кристалл для снятия термических напряжений следует постепенно охладить до комнатной температуры. [c.227]

Метод Бриджмена — Стокбарджера может применяться для выращивания кристаллов множества разнообразных органических веществ, плавящихся без разложения, хотя первоначально он для этого не предназначался. Если эксперимент проводят в запаянной трубке, то даже высокая летучесть не создает при этом затруднений. Из последних работ, в которых [c.227]

Важно отметить, что метод Бриджмена — Стокбарджера с вертикальными печами можно применять только к тем веществам, объем которых при затвердевании не увеличивается, а к ним относится большая часть органических соединений. В случае веществ с увеличивающимся при кристаллизации объемом кристаллы могут выращиваться этим методом при использовании горизонтальных печей. Схема прибора в этом случае напоминает схему, изображенную на рис. 37, на котором показано выращивание кристаллов методом горизонтальной зонной плавки, только область расплава на рисунке следует распространить до конца тигля, противоположного зародышу, оставляя зародыш нерасплавленным. Процедура роста здесь осуществляется, так же как и в методе с вертикальными печами, путем медленного продвижения границы раздела твердое вещество — расплав в область расплава. [c.229]

Если при выращивании кристаллов из расплава по методу Бриджмена — Стокбарджера тигель перемещается относительно зоны перепада температур, то Штёбер использовал неподвижный тигель и менял в зоне расположения тигля температурный градиент. Схема прибора показана на рис. 33. Тигель А расположен между двумя параллельными нагревателями В и С и окружен материалом теплопроводность которого по возможности такая же, как и у выращиваемого кристалла. Вся внутренняя камера равномерно и хорошо изолирована термоизоляцией Е. [c.230]

Как и в методе Бриджмена — Стокбарджера, операции образования центров кристаллизации можно избежать, используя подходящую готовую затравку. При этом используют как затравки из ориентированных кристаллов, плавящихся при более высокой температуре [98], так и кристаллические зародыши самого кристаллизуемого вещества [6]. [c.231]

По сравнению с методом Бриджмена — Стокбарджера метод Штёбера применяется значительно реже. Причиной этого является, вероятно, тот факт, что, хотя оба метода имеют одни и те же удобства и могут применяться одинаково широко, строгий контроль за границей твердое вещество — расплав легче осуществить, меняя положение тигля относительно источника тепла, чем варьируя путем изменения напряжения температурный градиент на нагревателе. [c.231]

Зонная плавка, впервые предложенная в 1952 г. Пфанном [69], состоит в образовании относительно короткой расплавленной зоны в бруске или, как его обычно называют, слитке твердого вещества. Расплавленную зону перемещают вдоль бруска при этом во время прохождения границы расплав — кристалл вдоль бруска создаются условия для сегрегирования примесей между зонами расплава и твердого вещества. Принципиальная схема прибора горизонтальной зонной плавки, приспособленного для образования монокристалла из зародыша, изображена на рис. 37. Характерное различие между зонной плавкой и процессом обычного вымораживания, который имеет место в методе Бриджмена — Стокбарджера, состоит в том, что в первом случае в любой момент времени бывает расплавлена только часть твердого вещества этим обеспечиваются условия, при которых избирательное сегрегирование примесей при неоднократном прохождении расплавленной зоны можно использовать для полного их удаления в процессе кристаллизации. [c.234]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология