Теория положительного столба

Элементарная теория положительного столба дает хорошие количественные соотношения между аксиальным и радиальным электрическими полями, давлением и природой газа и радиусом трубки. Зависимость же от тока соблюдается лишь качест- [c.250]

В явлениях прохождения электрического тока через высокий вакуум и через газы имеются налицо не только пространственные, но и поверхностные заряды на стенках прибора. Отрицательные заряды на стеклянных стенках образуются благодаря большей скорости хаотического движения электронов но сравнению с положительными ионами. Такие поверхностные заряды обусловливают поперечный градиент потенциала в разряде и играют существенную роль в теории положительного столба и газоразрядной плазмы. [c.158]

Исходными положениями теории положительного столба дугового разряда при высоком и сверхвысоком давлении служит уравнение Сага для термической ионизации в виде [c.335]

ТЕОРИЯ ПОЛОЖИТЕЛЬНОГО СТОЛБА ШОТТКИ 491 [c.491]

Теория положительного столба Шоттки. Теория Шоттки [1576] предполагает, что исчезновение свободных электронов и ионов происходит лишь путём их взаимной нейтрализации на стенках трубки при отсутствии какой бы то ни было рекомбинации в объёме газа. Дальнейшее упрощающее предположение заключается в том, что число д ионов, вновь образуемых в каждом см газа в одну секунду, пропорционально концентрации электронов, так что [c.491]

ТЕОРИЯ ПОЛОЖИТЕЛЬНОГО СТОЛБА ШОП КИ 493 [c.493]

Подтверждение диффузионной теории положительного столба.) [c.792]

Пример вредного проявлення поверхностного заряда в высоковакуумном приборе мы имеем, когда какой-либо участок экрана в электронно-лучевой трубке настолько сильно заряжается попадающими на него электронами, что отрицательный поверхностный заряд начинает рассеивать пучок электронов. В результате светящееся пятно на экране теряет резкость своего очертания и размывается. В газовом разряде, в тех областях, где нет попадающих на стеклянную стенку пучков быстрых электронов, медленные электроны заряжают стенку отрицательно, диффундируя на неё скорее, чем это успевают сделать малоподвижные положительные ионы. Равновесие в процессе попадания на стенку электронов и положительных ионов устанавливается лищь после того, как стенка приобретает отрицательный потенциал, достаточный для того, чтобы уравнять число попадающих на каждый квадратный сантиметр стенки электронов и положительных ионов. Численное значение этого потенциала зависит от внутренних параметров разряда и может достигать 15—20 в. Такие поверхностные заряды обусловливают поперечный градиент потенциала в разряде и играют существенную роль в теории положительного столба и газоразрядной плазмы. [c.299]

Исходными полол<е1шшми теории положительного столба дуго-во го разряда при высоком и сверхвысоком давлении [1837—1842] служат уравнение Сага для термической и01иизации в виде [c.532]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология