Принцип электронной эмиссионной микроскопии

ПРИНЦИП ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИОННОЙ МИКРОСКОПИИ [c.173]

Соотношение (768) аналогично выражению (766), если заменить Г на оно подтверждается экспериментально, по крайней мере, качественно. На явлении холодной эмиссии основан принцип действия эмиссионного электронного микроскопа. [c.454]

Метод электронного проектора, в котором изображение получают с помощью электронов, не может дать атомного разрешения поверхности эмиттера. Вследствие принципа неопределенности электрон, вылетающий с точки поверхности, положение которой известно с точностью АХ, имеет неопределенность Х-компоненты своего момента количества движения в пределах h 2nAX) и, следовательно, неопределенность поперечной скорости в пределах /г/(2лМАХ). Поэтому электроны эмиттируются не с одними только радиально направленными скоростями, и изображение размывается из-за того, что они имеют и поперечную скорость. Вторым фактором, тесно связанным с только что упомянутым, ведущим к размыванию изображения, является то, что электроны в металле вблизи уровня Ферми (а только эти электроны дают значительный вклад в эмиссию в поле) имеют кинетические энергии порядка Г) эВ при О К с неупорядоченными направлениями движения. Однако для туннельного эффекта важны только компоненты скорости, перпендику.тярные поверхности, а эмиттированные электроны сохраняют и другие компоненты (поперечные). Один только принцип неопределенности ограничивает разрешение в методе электронной эмиссионной микроскопии 8 А, а из-за статистического распределения поперечных скоростей фактическое разрешение составляет около 20 А. [c.203]

Роль геометрических факторов. В теории катализа значение геометрических факторов получило наиболее общее выражение в принципе геометрического соответствия мультиплетной теории Баландина. Близкий принцип лежит в основе теории матричных эффектов, общепринятой в современной молекулярной биологии для объяснения действия ферментов, нуклеиновых кислот и других регуляторов биохимических процессов. Применительно к выяснению возможности ускорения сравнительно простых реакций использование геометрических характеристик требует большой осторожности. Трудности начинаются с выбора геометрических параметров поверхности. Во-первых, эти параметры различны для идеальных плоскостей разных индексов (одного и того же монокристалла), которые обычно одновременно наблюдаются на поверхности. Во-вторых, как показывают прямые исследования дифракции медленных электронов, не только расстояния, но и тип структуры могут быть различными на поверхности и в объеме кристалла. Так, в частности, Ое и 81 в объеме имеют кубическую структуру алмаза, а на поверхности — гексагональную структуру расстояния З — 81 или соответственно Се — Се в объеме и на поверхности различаются, как известно, весьма существенно. В-третьих, по данным электронографии и эмиссионной микроскопии, атомы поверхности [c.25]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология