Экспериментальные данные по исследованию решеток

Оптические методы исследования дают относительно ограниченную информацию о спектре колебаний решётки. Так, высоко прецизионные рамановские измерения первого порядка позволяют изучать только оптические фононы вблизи центра зоны Бриллюэна. А такие методы, как инфракрасное поглощение, фотолюминесценция или рамановское рассеяние второго порядка являются косвенными и неточными измерениями энергий и ширин фононов в симметричных точках зоны Бриллюэна. Неупругое рассеяние нейтронов потенциально может дать полную информацию о колебательном спектре кристалла. Но пока ещё слабое экспериментальное разрешение этого метода не позволяет широко использовать его для исследований изотопических эффектов. Однако в случае сильного изотопического беспорядка современные установки позволяют получить количественную информацию. Так, недавно влияние изотопического беспорядка на энергии и ширины линий фононов в Ge было предметом исследований в работах [112, 113]. Такие измерения представляются особо интересными с академической точки зрения, поскольку позволяют сделать простую проверку теоретических моделей, широко используемых для описания разупорядоченных систем, таких, например, как приближение когерентного потенциала. [c.74]

Сверхпроводники. Существенную для выяснения механизма сверхпроводимости информацию могут дать эксперименты по исследованию влияния изотопического замещения атомов сверхпроводника на температуру сверхпроводящего перехода Т . Как известно, открытие изотопического эффекта для Тс ртути, сделанное Э. Максвеллом [229] и К. Рейнольдсом с коллегами [230], явилось экспериментальным указанием на участие фононов в формировании сверхпроводящего состояния и сыграло решающую роль при построении Дж. Бардиным, Л. Купером и Дж. Шриффером микроскопической теории (низкотемпературной) сверхпроводимости (теории БКШ) [231]. Изотопические эффекты в этих сверхпроводниках обусловлены тем, что выигрыш потенциальной энергии электронов при фононном механизме спаривания пропорционален характерной энергии фононов, которая зависит от массы атомов решётки как [c.93]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология