Энергетические уровни схемы для возмущений

ГИИ, но теперь в рассматриваемой системе один и тот же спектр получается дважды один раз, когда рассматриваемый электрон находится у одного ядра, а другой,— когда у другого ядра. В то же время волновые функции в этих двух случаях будут разными. Говорят, что уровни энергии электрона в такой системе дважды вырождены. Если ядра сближать, то возникнет взаимодействие чисто квантовой природы (так называемый обменный эффект), и в результате дважды вырожденный уровень оказывается расщепленным на два отдельных уровня энергии, причем чем ближе ядра, тем сильнее возмущение и тем значительнее расщепление. Аналогичное имеет место в системе из трех одинаковых ядер и одного электрона здесь происходит расщепление трижды вырожденного уровня на три разных уровня. По такой же схеме рассматривают и кристалл. Приближенно допускают, что в задаче о спектре энергии наличие многих электронов в системе является не очень существенным, побочным фактором и при определении энергетического спектра можно рассматривать систему из N ядер, образующих кристаллическую решетку, и одного электрона. Это — так называемое одноэлектронное приближение, на основе которого до самого последнего времени была построена вся электронная теория кристаллов. Только такие явления как ферромагнетизм и сверхпроводимость потребовали создания многоэлектронной теории. Для теории химической связи в кристаллах одноэлектронное приближениие дает вполне удовлетворительные результаты. [c.199]

Следует отметить, что этим не исчерпывается вся гамма свойств отрывного течения в угловых конфигурациях, обусловленных падающим извне скачком уплотнения. Действительно, трехкратные измерения поверхностного давления в отдельных точках поля потока и визуальные наблюдения за поведением скачка уплотнения дают основание полагать, что, как и в конфигурации [33], течение в некоторых областях, по-видимому, имеет нестационарный характер. Тем самым подтверждается соображение о том, что большинство отрывных течений по своей сути являются нестационарными. Не случайно исследованию нестационарных характеристик различных типов отрывных течений в литературе стало уделяться больше внимания (см., например, [76—79]). В частности, подробные измерения для случаев симметричного и несимметричного типов взаимодействий, реализу-юп],ихся при обтекании комбинации киль — плоская пластина, выполнены в [77 ]. Высокочастотные пульсации поверхностного давления регистрировались при помощи восьми суперминиатюрных быстродействующих датчиков давления типа Ки]11с, подключенных по дифференциальной схеме. Как и в [76], авторы обнаружили относительно высокий уровень пульсаций давления, указывающий на существенную нестационарность течения в области, расположенной позади линии расчетного положения слсда скачка. Кроме того, оказалось, что нестационарность течения, обусловленная пиком среднеквадратичных пульсаций давления в начальной области взаимодействия, для всех типов взаимодействий имеет ряд общих признаков с реализуемым при обтекании комбинации киль — пластина и изученным ранее в [79 ]. Однако для более сильных взаимодействий наблюдается усиление нестационарного характера течения ниже места пересечения слсда скачка, обусловленного формированием здесь интенсивного пика пульсаций давления вблизи линии симметрии обтекаемой конфигурации. В указанной нестационарной области осредненное поверхностное давление возрастает и достигает значения, существенно выше полученного на основе соотношений для косого скачка. Энергетические спектры пульсаций давления на поверхности подтверждают, что нестационарное течение в области взаимодействия характеризуется высокочастотными колебаниями с большой амплитудой возмущений. Иными словами, значительное увеличение уровня энергии потока происходит за счет накачки высокочастотными пульсациями давления. [c.335]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология