Дырки, образование при отжиг

На рис. 7.16 показана схема утолщения путем расширения исходной дырки вдоль плоскостей складывания, которое при длительном отжиге заканчивается образованием удлиненных дырок (рис. 7.14). Подобный механизм образования фронтов утолщения, которые перемещаются в направлении невозмущенных внутренних областей, был предложен ранее Шультцем [112] для объяснения причины появления морфологии типа "рама для картины . Прекращение утолщения при определенной толщине можно объяснить, если учесть конечную длину молекулы. При обсуждении процесса нуклеации на собственных зародышах в разд. 5.1.4.1 было показано, что путем отжига образований из отдельных молекул достигают большего совершенства, чем при отжиге образований, состоящих из многих макромолекул. Удвоенную толщину новой складки по сравнению с исходной можно объяснить на основе механизма преимущественного удвоения (рис. 7.3). В течение всего этого процесса образования дырок и утолщений кристаллографические параметры во всем материале остаются неизменными [117]. [c.479]

В монокристаллах, выращенных из 148 этанола и отожженных выше 58 °С, наблюдается образование складок вдоль кристаллографической оси Ъ, а при температуре 61 °С происходит образование дырок и утолщенных участков (до 160 X по сравнению с исходной толщиной 100 А) при отжиге кристаллов, полученных из амилацетата, наблюдается утолщение от 69 до ПО А, однако дырки при этом не образуются при отжиге плотность увеличивается на 4% [c.489]

Электроны и электронные дырки, возникающие при облучении, захватываются ловушками физической и химической природы. В качестве последних выступают также и атомы отдачи. Если общее число таких ловушек очень велико, т, е, имеются хорошие условия для локализации электронных дырок (и, возможно, экситонов) с образованием V-центров и т. п., то на долю атомов радиофосфора достается малая их доля, так что отжиг низших валентных форм (Р°, Р+, Р +) до Р + во время самого облучения происходит в незначительной степени. В этом случае [c.167]

Механизм отжига в промежуточной области, в которой преимуще ственно происходит образование дырок, может быть охарактеризова более детально. Джейл [43] предположил, что дырки начинают образовываться на дефектных местах. Ранее было установлено, что эти дефекты концентрируются в определенных плоскостях 3101, вдоль которых также наблюдается коллапс пирамидальных кристаллов (см. [c.478]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология